韩企自研钛蚀刻剂已获HBM3E产线采用，计划扩大供应至高堆叠芯片

韩国半导体公司不仅在高带宽存储器（HBM）制造技术方面取得进步，而且在关键工艺材料的国产化方面也取得了进步。

据韩媒报道，业界消息称，韩国国内半导体材料公司ENF Technology利用自有技术开发出钛蚀刻剂（Ti etchant），并已开始向全球最大的HBM制造商供应。

钛蚀刻剂用于生产硅通孔 (TSV)，这是数据在 HBM 内传输的通道。它从晶圆上去除不必要的钛。

到目前为止，钛蚀刻剂主要由某领先的日本材料公司和某韩国公司的合资企业提供。随着ENF这项技术的成功开发，韩国国内生产和材料多元化的道路已经打开。ENF已开始向第五代HBM（HBM3E）生产线供应其最新产品，并计划扩大供应至高堆叠芯片。

除了ENF之外，关键HBM材料的国内生产也正在积极发展。 Soulbrain 提供独特的特殊浆料，可在 HBM 工艺过程中去除不必要的铜层。

Duksan Hi-Metal 为存储器公司提供用于凸块制造的焊球，这些焊球在 HBM 内的数据传输中发挥着桥梁作用。存储器公司积极支持 Duksan Hi-Metal 的技术开发，以对抗世界第一焊球制造商 Senju Metal 的主导地位。