三星或在10nm以下DRAM工艺引入DSA技术

三星电子和英特尔等半导体公司正在研究定向自组装 (DSA) 技术，以补偿极紫外 (EUV) 工艺过程中出现的图案错误。

DSA是下一代图案化技术之一，这一技术有望补充 EUV 过程中出现的随机误差。随机是指随机且非重复的图案错误，已知占 EUV 图案错误的 50%。

业界预测，DSA技术将从使用High-NA EUV的1.4nm工艺和10nm以下的DRAM工艺开始正式引入。英特尔代工旗下逻辑技术开发部门光刻、硬件和解决方案主管Mark Philip日前表示，“使用 DSA（高数值孔径 EUV）的研究正在进行中，通过应用 DSA，我们正在改进模式粗糙度（LER）。”英特尔在近期发表的论文中表示，其将 DSA 技术应用于 18nm 以下工艺，并成功纠正了 EUV 图案中发生的随机误差。