追求利润最大化，三星拟将部分HBM3E产能转产通用DRAM

据韩媒报道，三星电子正考虑大幅削减其10nm制程的第四代（1a）DRAM芯片HBM3E的产能。鉴于其明年将“利润最大化”作为整体目标，三星计划将生产重心转移到利润率高于HBM3E的通用DRAM芯片上。

据业内人士透露，三星内部正在讨论将30-40%的1a DRAM产能转换为10nm级第五代 (1b) DRAM。如果将成熟工艺线（例如1z）的转换投资也算进去，三星将确保每月额外获得8万片（基于晶圆）的 1b DRAM 产能。

报道称，三星电子12层HBM3E产品的营业利润率预计在30%左右，良率也被认为已显著提升。然而，由于DDR5等通用DRAM的营业利润率预计将超过60%，因此扩大HBM3E产能的必要性不大。

知情人士称，三星电子明年将“利润最大化”作为整体目标，期待实现更高的营业利润，目前的目标是保持DRAM产量的高速增长，并计划将大部分产能分配给利润率较高的通用DRAM。