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低密度microSD卡,消息东芝工厂停电从而有助于进一步促进低密度NAND闪存芯片的价格在本周( 7月27号至31号)持续上升。

NAND闪存保持相对稳定

CFM闪存市场 每周点评 2009-07-28

我们认为,改善记忆卡的需求在本周( 7月20号至24号) ,体现于更多的内存卡交易。

经济部工业局今(22)日举行「DARM产业再造方案」说明会,局长杜紫军在会后记者会中,率先针对TMC破局的市场看法澄清,政府对于DRAM产业再造上,希望进行结构性的改变,因此才会拖了这么久,如今「DRAM产业再造方案」公布,代表TMC条件都已准备好了,现在

7月上旬NAND Flash交投淡静

CFM闪存市场 每周点评 2009-07-13

下游客户采购意愿仍低,上游供应商也持续小幅调低主流 MLC NAND Flash 合约价, 7 月上旬主流的 MLC NAND Flash 合约价大致呈现小幅下跌约 1% 到 5%

年中库存盘点,导致上周NAND闪存现货市场需求下降,整体价格保持稳定;DRAM上周交易仍然有限,需求疲弱

NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。

DRAM反应清淡 flash回软

CFM闪存市场 每周点评 2009-06-22

DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势

NAND平稳,DRAM现货价跌

CFM闪存市场 每周点评 2009-06-15

NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌

Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展

全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名

由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。

DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势

DRAM :现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平

4Q08 在金融风暴的影响下,使得传统旺季需求出现远不如预期的情况,迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下,而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气,因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ,由于终端产品

股市快讯 更新于: 09-16 04:24,数据存在延时

存储原厂
三星电子76500KRW+1.46%
SK海力士331000KRW+0.76%
铠侠4440JPY+10.86%
美光科技157.770USD+0.34%
西部数据102.390USD+4.84%
闪迪90.090USD+4.60%
南亚科技63.1TWD+9.93%
华邦电子26.80TWD+5.30%
主控厂商
群联电子664TWD+6.41%
慧荣科技90.010USD+1.44%
联芸科技50.64CNY+1.32%
点序62.9TWD+9.97%
品牌/模组
江波龙111.31CNY+0.30%
希捷科技211.120USD+7.72%
宜鼎国际347.5TWD+2.06%
创见资讯116.5TWD+4.95%
威刚科技128.5TWD+6.64%
世迈科技26.140USD+0.38%
朗科科技26.57CNY-0.45%
佰维存储79.45CNY-1.12%
德明利117.91CNY+7.41%
大为股份17.77CNY-0.56%
封测厂商
华泰电子42.80TWD+1.42%
力成151.0TWD+6.34%
长电科技37.82CNY-0.16%
日月光166.5TWD-0.30%
通富微电32.95CNY-0.48%
华天科技11.08CNY-1.07%