12月上旬(12-07—12-11)NAND Flash合约价部份持平及部份下跌，主流的MLC NAND Flash颗粒合约均价下跌约1%到20%，SLC NAND Flash颗粒则维持平盘。
回望11月，十一月以来记忆卡市场因交易商调降库存、业者降价促销、白牌记忆卡供货量增加等因素影响，记忆卡现货价格大幅走跌，带动低容量NAND Flash颗粒价格走跌。12月NAND Flash上下游业者因年底将届，相关业者除有降低库存的考虑外，也想趁年终销售旺季进行降价促销，12月份上旬主流MLC NAND Flash合约价因旺季效应淡化，普遍下跌，此外，12月下游系统产品及记忆卡客户的采购量，也因年底结帐降低库存而明显降低，因供货商的3xnm新制程产品的产出比重持续增加，NAND Flash市场已由11月的供货偏紧转为12月较宽松的状况。
现阶段NAND Flash产品需求仍旧是相当低迷，加上大客户苹果(Apple)也进入拉货淡季，不仅NAND Flash产品价格持续下跌，原本最热门且缺货的小型记忆卡microSD需求也转淡，使得NAND Flash现货价和合约价都呈现跌势。
NAND Flash合约价格反应市场需求不佳，合约价出现大跌，也算是反应现货价。其中16Gb芯片价格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，8Gb芯片合约价跌幅最大，达10~15%。32Gb和64Gb芯片由于供给较少，因此跌幅不重。从跌幅来看，低容量MLC NAND Flash颗粒因近期记忆卡价格急跌，跌幅比高容量MLC NAND Flash还大。
12月由于下游客户降库存及降价促销的活动持续，且NAND Flash价格今年初以来已一路飙涨，因此近期在传统淡季来临前开始回档整理是正常的现象，但价格后市仍需视NAND Flash终端应用产品往后的销售状况而定，预期要到1月NAND Flash下游客户检视年终假期销货状况，及准备中国农历年所需库存时，下游客户的采购意愿才会开始回升，预期市场价格也可望因库存回补效应而获得支撑。
展望后市，对于2010年NAND Flash市场供需，各界看法仍是偏向乐观，认为NAND Flash产品的应用领域相当多元化，包括手机、随身碟、快闪记忆卡等，都将驱动NAND Flash产业持续成长，尤其是智能型手机会是NAND Flash产业最杀手级。
