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NAND Fash市场现货部分仍然出现下跌趋势,但下跌幅度较弱,下跌1%~2%左右,跌幅不深。闪存卡方面价格也持续下跌,主流产品256MB~1GB下跌幅度较大,下跌9%左右。

厂商制程微缩之快,大规模的产出会对市场价格有较大的影响,价格恐面临下跌的压力,另一方面,NAND Flash跌价,反会刺激SSD需求,成长幅度可期,但对NB渗透率仍须3-5年。

4 月下旬储存型快闪记忆体 (NAND Flash)合约价出炉,市场主流的16Gb MLC及32Mb MLC合约均价同步下挫逾1.4%,NAND Flash现货价格呈微幅下跌趋势,小跌1%~3%。

4月上旬动态随机存取记忆体 (DRAM)及储存型快闪记忆体 (NAND Flash)合约价出炉,包括DRAM与NAND Flash产品价格全面走扬。

本周(3.29-4.2)NAND Flash现货价格开始疲软,呈小幅下滑的趋势,随三星跳电效应影响消失后,截至4月2日中午,容量为16GB的和32GB的MLC NAND闪存的现货价格跌幅在2%~1%左右。

从合约市场来看,3月下旬DRAM报价全面与上旬持平,而NAND Flash呈现小幅涨跌,变动约1-5%。预期在苹果iPad 4月上市助力带动下,4月上旬主流规格晶片报价可望止跌回稳。

3月上旬NAND Flash合约价呈现部份下跌及部份持平,观望后市,由于Apple的iPad 销售优于预期,加上英特尔新品SSD问世,更使NAND Flash市场重燃希望。预期NAND Flash价格将止跌回稳。

如今观察DRAM,Flash的价格,价格如果能守在某一区间,上下游厂商都可接受,价位较合理,将有助于产业稳定。

32奈米制程可能沦为过渡技术,未来20奈米制程才会是主流,2010年产能增加几乎全仰赖制程微缩,而20奈米世代来临有助于固态硬碟(SSD)应用成熟。

即便NAND Flash近期价格走跌,不过,记忆体模组厂威刚科技及劲永国际仍一致看好NAND Flash市场前景,全球NAND Flash记忆卡龙头新帝(Sandisk)宣布调高本季财测,也看好后市发展。

三星和东芝也进入TLC晶片技术,成本结构大幅下降,价格持续下滑。高阶晶片则在平板电脑iPad,系统大厂、手机应用等带动下,价格会相对持稳,2010年NAND Flash市场发展逐渐朝两极化进行,NAND Flash价格波动也会较大,因此在操作上需更加小心。

NAND Flash市场供需双方都在观望系统厂新推出的杀手级应用产品效应,带动1月下旬NANDFlash合约价普遍持平或小涨,预期短期市场仍将持稳。不过,随着系统厂推出的大容量电子产品于第1季出货开始明显增加,可望驱动NAND Flash 价格攀升。

受到新年假期和北半球天气严寒影响,近期NAND Flash市场买气不振,模组厂一方面静待补货潮启动,一方面为了巩固上游货源关系,对上游NAND Flash大厂预付货款,绑住NAND Flash货源。

由于受到新年假期和北半球天气严寒影响,近期NAND Flash市场买气不振,根据数据显示:1月上旬NAND Flash合约均价大致呈现持平及部分小跌1-6%。

2010年TLC(Triple-Level Cell)元年来临,NAND Flash大厂放手扩产,业界非常看好2010年NAND Flash市场,然而调货和库存管理能力将成胜负关键,掌握NAND Flash芯片货源,便会是最后的赢家。

股市快讯 更新于: 10-06 12:56,数据存在延时

存储原厂
三星电子89000KRW+3.49%
SK海力士395500KRW+9.86%
铠侠6250JPY+1.13%
美光科技187.830USD+2.28%
西部数据131.310USD+0.04%
闪迪128.410USD+3.44%
南亚科技83.0TWD+4.14%
华邦电子38.80TWD+7.78%
主控厂商
群联电子829TWD+4.15%
慧荣科技98.850USD-3.15%
联芸科技65.80CNY+7.03%
点序63.8TWD-0.78%
品牌/模组
江波龙178.03CNY+20.00%
希捷科技252.790USD-0.77%
宜鼎国际339.5TWD-0.44%
创见资讯113.5TWD-1.73%
威刚科技173.0TWD+3.28%
世迈科技27.750USD+1.06%
朗科科技29.10CNY+2.90%
佰维存储104.30CNY+9.34%
德明利204.69CNY+10.00%
大为股份19.71CNY+5.46%
封测厂商
华泰电子47.35TWD+1.28%
力成152.0TWD+0.66%
长电科技44.09CNY+7.83%
日月光165.5TWD+0.61%
通富微电40.17CNY+5.21%
华天科技11.78CNY+4.16%