NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。
DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势
NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌
Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展
全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名
由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。
DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势
DRAM :现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平
4Q08 在金融风暴的影响下,使得传统旺季需求出现远不如预期的情况,迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下,而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气,因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ,由于终端产品
存储原厂 |
三星电子 | 54200 | KRW | -0.91% |
SK海力士 | 200000 | KRW | +1.57% |
铠侠 | 2058 | JPY | -0.82% |
美光科技 | 93.370 | USD | -1.54% |
西部数据 | 50.180 | USD | +0.68% |
闪迪 | 37.280 | USD | -1.48% |
南亚科技 | 42.55 | TWD | -0.70% |
华邦电子 | 17.75 | TWD | -0.56% |
主控厂商 |
群联电子 | 502 | TWD | -2.33% |
慧荣科技 | 63.700 | USD | -2.11% |
联芸科技 | 39.02 | CNY | +0.10% |
点序 | 57.9 | TWD | -0.52% |
品牌/模组 |
江波龙 | 73.14 | CNY | -1.72% |
希捷科技 | 112.740 | USD | +3.56% |
宜鼎国际 | 242.5 | TWD | 0.00% |
创见资讯 | 103.5 | TWD | 0.00% |
威刚科技 | 92.5 | TWD | +0.11% |
世迈科技 | 17.640 | USD | -2.22% |
朗科科技 | 22.27 | CNY | -4.01% |
佰维存储 | 58.12 | CNY | -2.71% |
德明利 | 111.23 | CNY | -1.48% |
大为股份 | 14.13 | CNY | -2.69% |
封测厂商 |
华泰电子 | 37.15 | TWD | -0.80% |
力成 | 119.5 | TWD | +1.27% |
长电科技 | 32.63 | CNY | -0.79% |
日月光 | 142.5 | TWD | -1.72% |
通富微电 | 23.55 | CNY | -2.04% |
华天科技 | 8.90 | CNY | -1.22% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2