CFM闪存市场
每周点评
2009-07-22
经济部工业局今(22)日举行「DARM产业再造方案」说明会，局长杜紫军在会后记者会中，率先针对TMC破局的市场看法澄清，政府对于DRAM产业再造上，希望进行结构性的改变，因此才会拖了这么久，如今「DRAM产业再造方案」公布，代表TMC条件都已准备好了，现在
CFM闪存市场
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2009-07-13
下游客户采购意愿仍低，上游供应商也持续小幅调低主流 MLC NAND Flash 合约价， 7 月上旬主流的 MLC NAND Flash 合约价大致呈现小幅下跌约 1% 到 5%
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2009-07-06
年中库存盘点，导致上周NAND闪存现货市场需求下降，整体价格保持稳定；DRAM上周交易仍然有限，需求疲弱
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2009-06-29
NAND闪存的现货市场上周（ 6月22-26段）持续疲弱，市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片，而合约价大致呈现持平或小跌的情况，近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。
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2009-06-22
DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%，唯成交反应清淡；季底效应与淡季因素，NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势
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2009-06-15
NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足；DRAM上周现货市场价格急剧下跌
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2009-06-10
Computex Taipei 2009展后评析，从新产品展望未来DRAM之发展
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2009-05-12
全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响，季营收较上季下滑逾二成，市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名
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2009-04-29
由于供应商控货，加上客户以及中国手机市场需求， 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ，预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。
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2009-03-04
DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后，经过短暂的持平走势，上周（02/24-03/02）颗粒价格再次呈现下滑的走势
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2009-02-27
DRAM ：现货颗粒价格上周上涨逾10%，二月下旬合约价格表现持平
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2009-02-20
4Q08 在金融风暴的影响下，使得传统旺季需求出现远不如预期的情况，迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下，而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气，因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ，由于终端产品
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 119900 | KRW | +0.33% |
| SK海力士 | 651000 | KRW | +1.72% |
| 铠侠 | 10435 | JPY | -2.25% |
| 美光科技 | 293.545 | USD | -0.28% |
| 西部数据 | 176.360 | USD | -1.85% |
| 闪迪 | 241.120 | USD | -1.28% |
| 南亚科技 | 194.5 | TWD | +3.18% |
| 华邦电子 | 83.7 | TWD | +8.84% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 1340 | TWD | 0.00% |
| 慧荣科技 | 90.810 | USD | +1.88% |
| 联芸科技 | 46.12 | CNY | -1.09% |
| 点序 | 76.9 | TWD | -1.41% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 254.75 | CNY | -1.59% |
| 希捷科技 | 280.380 | USD | -0.33% |
| 宜鼎国际 | 524 | TWD | +1.35% |
| 创见资讯 | 196.0 | TWD | +6.81% |
| 威刚科技 | 260.5 | TWD | +8.09% |
| 世迈科技 | 19.930 | USD | -0.35% |
| 朗科科技 | 25.86 | CNY | -0.46% |
| 佰维存储 | 117.89 | CNY | +3.98% |
| 德明利 | 240.67 | CNY | -0.04% |
| 大为股份 | 26.71 | CNY | -0.71% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 55.2 | TWD | -1.43% |
| 力成 | 175.0 | TWD | -0.85% |
| 长电科技 | 37.10 | CNY | +1.31% |
| 日月光 | 249.0 | TWD | -0.80% |
| 通富微电 | 38.29 | CNY | +2.38% |
| 华天科技 | 11.05 | CNY | +0.18% |
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