2010年TLC(Triple-Level Cell)元年来临，对于NAND Flash产业别具意义，在成本进一步下滑后。随身碟、快闪记忆卡等产品越来越便宜，在降价冲量效应下，将驱动终端产品出货量再创高峰，消费者将是最大赢家。不过，业者一方面担心2010年NAND Flash市场有智能型手机、固态硬盘(SSD)等应用撑腰，成长性无可限量，会出现供货吃紧情况，届时抢产能恐会抢不过手机大厂，但另一方面又担心TLC产能太多，恐驱动低价市场跌价速度过快，库存控管不易，因此，2010年NAND Flash大厂在MLC(Multi-Level Cell)和TLC芯片间产能调配，将成为一大考验。但相对而言，价格走势也会受限于季节性因素，波动幅度会更加剧烈。
在2009年，三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)在 NAND Flash市场可说是独力演出，2010年2家大厂全球市占率仍将囊括超过70%，一举一动对NAND Flash市场动见观瞻，2010年TLC元年将来临，三星和东芝厮杀激烈，NAND Flash产业战况热烈，然对于TLC芯片技术，业者则是既爱又怕，尽管TLC诞生将使得NAND Flash出货量再创高峰，但若产能没掌控，恐会拖累价格下跌。
三星和东芝2010年竞局除TLC技术外，亦将蔓延至30奈米制程世代，三星要转进35奈米MLC技术和32奈米TLC技术，东芝则将转进32奈米制程，加上2者市占率逐渐拉近，2010年三星和东芝间竞局将更加的激烈。
海力士上周（12-21—12-25）传在2010年20亿美元的资本支出中，将有7亿美元会花在NAND Flash芯片上，上周（12-21—12-25）也传出东芝会在2010年4月起投入22亿美元，提升NAND Flash产能40%，将日本四日市(Yokkaichi)2座12吋晶圆厂Fab3和Fab4单月产能由目前的26万片提升至36万片。
东芝和三星对于TLC芯片态度积极，英特尔(Intel)和美光(Micron)对于TLC芯片则持不同看法，由于IM Flash阵营本身在30奈米制程领先，成本已相当有竞争力，因此，对于是否将资源投入TLC芯片，较没有急迫性。
2010年TLC(Triple-Level Cell)元年来临，NAND Flash大厂放手扩产，业界非常看好2010年NAND Flash市场，然而调货和库存管理能力将成胜负关键，掌握NAND Flash芯片货源，便会是最后的赢家。
