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2009年三星策略上减少现货市场的供货量,以系统业者大客户为主,加上释放到现货市场的记忆卡成卡数量也减少,因此是2009年NAND Flash价格稳健的主因之一。

低密度microSD卡,消息东芝工厂停电从而有助于进一步促进低密度NAND闪存芯片的价格在本周( 7月27号至31号)持续上升。

NAND闪存保持相对稳定

CFM闪存市场 每周点评 2009-07-28

我们认为,改善记忆卡的需求在本周( 7月20号至24号) ,体现于更多的内存卡交易。

经济部工业局今(22)日举行「DARM产业再造方案」说明会,局长杜紫军在会后记者会中,率先针对TMC破局的市场看法澄清,政府对于DRAM产业再造上,希望进行结构性的改变,因此才会拖了这么久,如今「DRAM产业再造方案」公布,代表TMC条件都已准备好了,现在

7月上旬NAND Flash交投淡静

CFM闪存市场 每周点评 2009-07-13

下游客户采购意愿仍低,上游供应商也持续小幅调低主流 MLC NAND Flash 合约价, 7 月上旬主流的 MLC NAND Flash 合约价大致呈现小幅下跌约 1% 到 5%

年中库存盘点,导致上周NAND闪存现货市场需求下降,整体价格保持稳定;DRAM上周交易仍然有限,需求疲弱

NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。

DRAM反应清淡 flash回软

CFM闪存市场 每周点评 2009-06-22

DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势

NAND平稳,DRAM现货价跌

CFM闪存市场 每周点评 2009-06-15

NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌

Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展

全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名

由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。

DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势

DRAM :现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平

4Q08 在金融风暴的影响下,使得传统旺季需求出现远不如预期的情况,迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下,而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气,因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ,由于终端产品

股市快讯 更新于: 07-31 07:25,数据存在延时

存储原厂
三星电子72600KRW+2.83%
SK海力士263500KRW+0.38%
铠侠2452JPY+0.99%
美光科技114.740USD+2.48%
西部数据71.430USD+1.16%
闪迪43.390USD+1.07%
南亚科技44.90TWD+6.40%
华邦电子17.85TWD+2.59%
主控厂商
群联电子536TWD+2.49%
慧荣科技76.640USD-1.02%
联芸科技44.43CNY+1.25%
点序52.5TWD-0.38%
品牌/模组
江波龙90.69CNY-0.37%
希捷科技147.420USD-3.45%
宜鼎国际228.5TWD+1.78%
创见资讯93.2TWD+0.54%
威刚科技92.0TWD+1.10%
世迈科技23.990USD-2.60%
朗科科技24.29CNY-2.49%
佰维存储65.22CNY-0.78%
德明利85.10CNY-1.78%
大为股份17.87CNY+2.94%
封测厂商
华泰电子39.15TWD-0.89%
力成139.0TWD0.00%
长电科技35.54CNY-0.73%
日月光152.0TWD-0.98%
通富微电27.88CNY+0.11%
华天科技10.10CNY-1.08%