低密度microSD卡,消息东芝工厂停电从而有助于进一步促进低密度NAND闪存芯片的价格在本周( 7月27号至31号)持续上升。
我们认为,改善记忆卡的需求在本周( 7月20号至24号) ,体现于更多的内存卡交易。
经济部工业局今(22)日举行「DARM产业再造方案」说明会,局长杜紫军在会后记者会中,率先针对TMC破局的市场看法澄清,政府对于DRAM产业再造上,希望进行结构性的改变,因此才会拖了这么久,如今「DRAM产业再造方案」公布,代表TMC条件都已准备好了,现在
下游客户采购意愿仍低,上游供应商也持续小幅调低主流 MLC NAND Flash 合约价, 7 月上旬主流的 MLC NAND Flash 合约价大致呈现小幅下跌约 1% 到 5%
年中库存盘点,导致上周NAND闪存现货市场需求下降,整体价格保持稳定;DRAM上周交易仍然有限,需求疲弱
NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。
DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势
NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌
Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展
全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名
由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。
DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势
DRAM :现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平
4Q08 在金融风暴的影响下,使得传统旺季需求出现远不如预期的情况,迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下,而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气,因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ,由于终端产品
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 97200 | KRW | -5.45% |
| SK海力士 | 560000 | KRW | -8.50% |
| 铠侠 | 10025 | JPY | -23.03% |
| 美光科技 | 246.830 | USD | +4.17% |
| 西部数据 | 157.830 | USD | +0.43% |
| 闪迪 | 254.160 | USD | +4.35% |
| 南亚科技 | 158.5 | TWD | -3.06% |
| 华邦电子 | 60.3 | TWD | -6.07% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 1260 | TWD | -4.18% |
| 慧荣科技 | 86.740 | USD | +0.74% |
| 联芸科技 | 51.09 | CNY | -6.05% |
| 点序 | 76.9 | TWD | -5.41% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 291.07 | CNY | -10.77% |
| 希捷科技 | 258.210 | USD | -1.66% |
| 宜鼎国际 | 522 | TWD | -6.45% |
| 创见资讯 | 196.0 | TWD | -9.26% |
| 威刚科技 | 213.5 | TWD | -3.17% |
| 世迈科技 | 18.900 | USD | +0.37% |
| 朗科科技 | 31.42 | CNY | -5.02% |
| 佰维存储 | 127.08 | CNY | -10.96% |
| 德明利 | 270.00 | CNY | -7.54% |
| 大为股份 | 28.22 | CNY | -6.43% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 49.40 | TWD | -6.62% |
| 力成 | 160.5 | TWD | -5.59% |
| 长电科技 | 37.05 | CNY | -3.11% |
| 日月光 | 222.5 | TWD | -3.89% |
| 通富微电 | 37.78 | CNY | -3.87% |
| 华天科技 | 11.41 | CNY | -3.47% |
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