11月DRAM和NAND Flash芯片价格持续走软，然而内存模块厂11月营收并未受到影响，内存模块厂威刚表现是黑马窜出位，创见稳守获利，劲永则保守因应。上周（11-30—12-04）报道指出：NAND Flash大厂进军TLC喊冲，此事业界对NAND Flash价格更加的担心。
上周曾有报道指出，“苹果被指操控NAND Flash价格”， 苹果向半导体制造商订购海量存储器，来达到以量制价的效果，但苹果最后购买的产品量却小于当初的订单。1位不愿透露姓名的业内人士表示，苹果的行为导致产业供应与需求循环恶化，应该受到指责。回到原来的问题上，如果苹果真有企图压低NAND Flash价格的行为，那么问题是这个策略能维持多久。
从11月内存模块厂营收来看，虽然DRAM和NAND Flash芯片价格持续走软，内存模块厂11月营收受到影响并不大，营收普遍可高于10月，包括创见营收回升至新台币30亿元以上，威刚营收往45亿元以上移动，劲永则是维持在24亿元左右水平。
三星策略转向Flash，打算全面称霸记忆体，三星(Sam sung；005930-KR) 在11月30日晚间宣布，30奈米3-bit MLC NAND Flash 开始量产，显示三星关注焦点不再是DRAM，且称霸记忆体企图心十足。不仅如此，NAND Flash市场即将再度面临巨变，NAND Flash大厂进军TLC，控制芯片经过长达1年的练兵后，技术已迈入成熟，如果NAND Flash大厂要冲，控制芯片业者也准备好了！
在NAND Flash TLC(Triple-Level Cell)芯片制程竞局上一路输给东芝(Toshiba)的三星电子(Samsung Electronics)，终于在30奈米制程扳回一城，东芝目前停留在43奈米制程，至于英特尔(Intel)和美光(Micron)亦宣布TLC芯片将于2009年底量产。
内存业者表示，2010年光是三星和东芝所掀起TLC战争，预计在低阶随身碟和记忆卡市场将会有70~80%芯片被TLC产品替换，这恐让NAND Flash价格更加疲软。
