本周（621-625）记忆卡及随身碟市场需求延续5、6月疲软情况，记忆体价格也持续微幅下滑，下滑幅度较弱，市场需求也无明显的改善，需求较疲软，买卖双方多持观望态度，买气低迷，市场成交有限。
需求疲软情况持续 价格呈微幅下滑趋势
NAND Flash 现货市场价格本周波动不大，波动的产品较少，波动也比较有限，市场需求仍然延续上周清淡表现，交易有限。6月下旬储存型快闪记忆体 (NAND Flash)合约价市场主流的32GbMLC合约均价延续缓跌走势，下跌约5.66%，16Gb MLC合约均价3.92美元，与6月上旬持平；32Gb MLC合约均价则滑落至6.67美元，下跌5.66%。
本周闪存卡价格跌涨起伏，价格波动较小，价格波动有限。主流产品128MB~2GB，其中128~256MB价格呈微幅上扬趋势，虽然有下滑的迹象，但整体呈微幅上扬趋势，上扬3%左右，512MB~2GB价格跌涨起伏，波动幅度较弱。本周市场需求仍然比较疲软，市场虽有交易，但出单情况较少，成交有限。
厂商积极提升制程技术、开拓新产品线
厂商目前积极投资扩产，提升制程技术，以及增添新设备。随半导体产业在摩尔定律法面临极限后，NAND Flash产业制程在进入20奈米制程之后，技术瓶颈越来越近，现在各厂商亦积极开拓有利润的产品线，为生存某一条生路。
本周报道，旺宏日前成功利用BE-SONOS技术研发出3D NAND Flash解决方案，未来将取代以Floating Gate技术为架构的NAND Flash内存，预计2014年可随着产业成熟度逐渐步入量产。
三星也已经成功突破技术瓶颈，在DRAM方面顺利转进46奈米，虽然因为浸润式机台严重缺货、交期递延，不过台塑集团(南科(2408)、华亚科(3474))、力晶(5346)、瑞晶(4932)都将计划在下半年开始转换投入4X奈米，至于茂德，已成功在中科12吋晶圆厂试产尔必达(Elpida)的63奈米1Gb容量DDR3产品，预计8月开始会大量导入63奈米制程，同时预计在2011年下半导入45奈米制程；此外，茂德股东会也顺利通过减资和3项募资案，预计减资和增资程序将于3个月内完成，预计引进3~5家策略联盟伙伴，届时营运可望重新脱胎换骨。
南科(2408)提升制程的效应也逐步显现，南科积极转进50纳米制程之后，预定8月所有DRAM产品将会100%转进2Gb DDR3，预估第三季位元的季成长幅度达20~30%以上。42纳米已提前6月试产，较预定进度提前一季，预计第四季就会有42纳米产品上市。因应资金所需，董事会决议办理6亿股现增。
台积电则把研发重点放在28奈米以下，尤其为力拼20奈米制程，全力备妥战斗武器，预计第1台超紫外线(EUV)微影机台将于2011年到位，以配合2013年导入20奈米制程。
半导体封测二哥矽品（2325董事会通过，将今年资本支出由原订的约145亿元，大举上调到210亿元，增幅高达45%，将用来强化铜制程布局。
