从合约市场来看，3月下旬DRAM报价全面与上旬持平，而NAND Flash呈现小幅涨跌，变动约1-5%。预期在苹果iPad 4月上市助力带动下，4月上旬主流规格晶片报价可望止跌回稳。
上周（3.22-3.26）值得注意的是，三星半导体24日下午生产线意外跳电，旗下位于企兴（Kiheung）的12寸厂与8寸厂，分别负责生产NAND Flash、利基型DRAM产线跳电长达30分钟至40分钟。由于三星跳电效应，直接影响DDR大涨逾7%；NAND Flash方面也受到激励，16G MLC平均最大涨幅逾6%，利基型DRAM与NAND Flash现货报价明显走强。
在策略上，上周有报道指出：金士顿(Kingston)推出30GB产品，市场销售反应热烈，全球出货量写下新高，英特尔(Intel)宣布40GB SSD问世，全面抢攻市场，2家大厂已再度炒热SSD市况，各大厂已陆续走进SSD时代。由于用在PC的零组件轻忽不得，各厂纷收回控制芯片采购权，改采自家芯片，NAND Flash控制芯片产业势必将展开一波整合及淘汰赛。且上周有报道传出，慧荣有意购并鑫创，以扩大客户族群, 然双方公司都否认。东芝则扩增NAND Flash产能，计画投下约3,500亿日圆资金重启NAND Flash的新厂兴建计画，挑战三星龙头宝座。
