本周（3.29-4.2）NAND Flash现货价格开始疲软，呈小幅下滑的趋势，随三星跳电效应影响消失后，截至4月2日中午，容量为16GB的和32GB的MLC NAND闪存的现货价格跌幅在2％~1％左右。另一方面，DRAM现货价在本周一创新高后持续小幅拉回，周四DDR2略跌破3美元关卡，DDR3仍守住3美元，价格重新领先DDR2，周五DRAM现货价重启涨势，DDR2 1Gb品牌颗粒价格上涨1.53%，至3.04美元，DDR3 1Gb涨0.52%，亦来到3.04美元。价格再次反弹将支撑4月厂商营收维系于高档。
此外，财务报告也报来佳绩，美光(Micron)将成为第1家打头阵的业者，揭露财报，预计可较上季每股纯益0.23美元持续增加，交出连续2季获利的佳绩，三星电子(Samsung Electronics)也传出获利优于预期的佳绩。台湾方面则由南亚科和华亚科在4月13日法说中率先公布财报，而NOR Flash相关业者旺宏和华邦财报也是亮丽可期。业者非常看好市场后市发展，也非常看好4月3日苹果iPad销售佳绩，各供应商也积极准备，应对苹果iPad带来的缺货潮。
另外在制程方面，东芝(Toshiba)计画于2012年开始量产20奈米(nm)前半等级(25nm以下)的Flash 记忆体，东芝并计画于今(2010)年内投下150亿日圆在旗下四日市工厂第4厂房内新设试作产线。
