虽然即将进入第三季传统电子产品旺季，但市场价格仍然未见大的起色，市场终端需求也没有起色，需求表现清淡，厂商策略方面，为了提高竞争力，动作频繁，Hynix表现最为突出，其他厂商也不甘示弱。
价格表现清淡 市场终端需求也较清淡
本周（614-618）NAND Flash现货价格部分呈上扬趋势，部分呈下跌趋势，跌涨幅度较弱，幅度在1%左右。闪存卡价格呈微幅下跌趋势，跌幅较弱，大多数产品呈持平状态，波动有限。
本周NAND Flash现货价格Samsung 32G MLC (LBG) 容量产品由8.38上扬至8.46，涨幅0.9%。Hynix 32G MLC (UBG)由6.05下跌至5.98，下跌幅度1%，其他产品价格波幅较弱。闪存卡方面，据数据显示主流产品128MB~2GB产品，整体下跌幅度在1~2%。128MB~2GB产品价格维持在一定价位，分别保持在12.7、15.2、17.9、19、26。波动幅度在0.2左右，价格波动有限。终端需求仍然表现清淡，买卖双方保持观望态度，询价者居多，成交量少，成交有限。
Hynix动作频频 三星资金丰沛 发动价格战
本周为了进一步扩充产能并提升成本竞争力，Hynix动作做频频，宣布斥资4,560亿韩圆(3.734亿美元)扩充、更新现有厂房，并加强研发能力。
此外，Hynix 17日宣布，该公司已与大陆厂商无锡太极实业合作在江苏省无锡市建成第二座记忆体厂房，该座厂房每个月可生产1亿颗1GB DRAM，其中45%由Hynix持有，其余则归无锡太极实业所有。此厂房共花费了3.5亿美元兴建，将为Hynix在无锡另一座厂房制造的晶片进行封装测试的业务。
为进一步扩大在国际半导体市场的竞争优势，次日（6月18日）对批的三期项目实施技术升级，利用自有资金再扩大投资11亿美元引进设备，将无锡海力士44纳米产品产量提升到月产9万片。
在NAND Flash市占率方面，东芝的步步逼近， IM Flash阵营32奈米和25奈米制程两个世代都领先三星，面对东芝和IM Flash阵营双面夹杀，因此三星日前也宣布半导体史上最高金额的资本支出，NAND Flash上的投入肯定是首要。
本周报道指出，三星透露有意发动价格战，藉由削减价格来确保竞争优势。根据资料显示，三星截至今年第1季的约当现金资产达20.6兆韩元（170亿美元）。今年首季的营运获利为4.4兆韩元，且看好经济复苏带动消费电子产品需求，三星今年全年的营运获利可望超过15兆韩元。 此次发动价格战也正是因为三星的现金存量丰沛，三星有信心能在这场比口袋深度的削价战中胜出。此外，在全球营销方面加强火力，以维持其在主要市场的竞争优势，但拒绝进一步透露酝酿中的营销策略变革细节。
第三季消费型电子产品旺季 价格有望攀高
第3季NAND Flash产业前景值得期待，消费性系统大厂备货动作持续，这波NAND Flash市场的动能需求将从OEM和内嵌式记忆体产品蔓延至现货市场，预期7月初价格会有一波涨势。当OEM市场和内嵌式记忆体产品的需求转强后，终端零售市场和合约价将同步上扬，两者的价格走势不会分道扬镳。
