7月14日，长鑫科技公布首次公开发行股票并在科创板上市发行公告。根据公告内容，本次发行价格定为8.66元/股，对应的发行人2025年扣除非经常性损益前后孰低的未行使超额配售选择权的摊薄后市盈率为308.92倍，假设全额行使超额配售选择权后本次发行后市盈率为313.56倍，高于中证指数有限公司发布的发行人所处行业最近一个月平均静态市盈率76.32倍。网下申购时间：7月16日9:30-15:00；网上申购时间：7月16日9:30-11:30、13:00-15:00。

江波龙公告，预计上半年归属于上市公司股东的净利润92亿元～110亿元，比上年同期增长62,204.03%～74,393.95%，扣除非经常性损益后的净利润90亿元～105亿元，比上年同期增长27,844.32%～32,501.71%，营业收入220亿元～250亿元。

CFM闪存市场近日发布2026年第三季度存储市场展望报告。报告指出，预计2026年三季度，服务器DDR5、eSSD价格环比涨幅将分别落在10%~20%、25%~30%区间；Mobile LPDDR4X/5X、eMMC/UFS价格涨幅分别约5%~15%、15%-25%；PC DDR5/LPDDR5X涨幅预计约13%-18%，cSSD涨幅约15%~25%。

CFM闪存市场2026年价格环比幅度预测：

来源：CFM闪存市场。注：最终实际情况可能存在调整，因各供应商拟定基准价不同，最终幅度会有差异。

SK海力士制定总额达1100万亿韩元（约合7130亿美元）的中长期投资战略，以应对全球AI存储器的快速增长需求。该战略将分阶段在龙仁投资600万亿韩元、清州投资100万亿韩元、西南地区投资400万亿韩元。

原计划于2045年竣工的龙仁半导体产业集群，其第四座晶圆厂的完工时间将提前12年至2033年；

SK海力士将在清州投资100万亿韩元（约合648亿美元），扩大NAND闪存产能。这是自2018年M15工厂建成以来，SK海力士在该厂区首次进行重大NAND产能扩张。该投资将用于建设新的NAND闪存晶圆厂、安装生产设备以及扩大用于HBM后端加工的先进封装能力。SK海力士计划将清州进一步发展成为涵盖NAND、HBM和先进封装的综合制造中心；

SK海力士计划投资400万亿韩元（约合2593亿美元）在西南地区打造新的半导体产业集群。该投资将分阶段进行，涵盖土地购置、晶圆厂建设和生产设备安装。

据台媒报道，群联电子执行长潘健成近日表示，当前NAND Flash市场供给持续紧张，缺货情况深不见底。他预计，今年下半年的供需紧张程度将远超上半年，而明年的情况恐怕还会更加严峻。潘健成强调，Flash缺货将是一个长期且不可逆的趋势，目前公司的订单已经排到了2027年第一、第二季度。

三星电子近日召开了为期三天的全球战略会议。据韩媒引述业内人士消息，其DS部门会议重点围绕高带宽内存（HBM）的销售扩张以及长期供应协议（LTA）战略进行了深入探讨。

据韩媒报道，SK海力士将于今年年底前量产下一代375层3D NAND闪存。目前，SK海力士已完成375层NAND闪存的生产验证工作，正着手准备将生产线转移至量产阶段。此次并未新建工厂，而是对清州M15工厂现有的产线（目前主要生产176层、238层和321层产品）进行改造升级，目前正在投入资金将其改造为375层产品生产线。

三星电子宣布，已开始向全球主要客户交付业界首批 12 层 HBM4E 样品，进一步巩固了其在下一代 HBM 市场的领先地位。三星 HBM4E 可提供稳定的 14 Gbps 引脚传输速度，性能可扩展至 16 Gbps，以满足日益增长的数据处理需求。三星12 层 HBM4E 提供 48 GB 容量，比上一代产品增加了 30% 以上，并计划根据客户需求扩展产品线，包括 32 GB（8 层）和 64 GB（16 层）配置。

据CFM闪存市场数据显示，1Q26全球NAND Flash市场规模428.15亿美元，企业级SSD需求倍增并仍在加速，尽管消费类需求现疲软迹象，但不改整体供不应求的局面，1Q26 NAND ASP环比大增，推动一季度全球NAND Flash市场规模环比续增81.8%。具体来看，三星市场份额29.7%，排名第一；SK海力士市场份额17.6%，排名第二；铠侠市场份额14.9%，排名第三；闪迪市场份额13.9%，排名第四；美光市场份额11.7%，排名第五。

据CFM闪存市场数据显示，1Q26全球DRAM市场规模943.25亿美元，环比增长81.5%。数据中心需求激增已导致DRAM供应紧张，HBM占据大部分产能进一步挤占其他DRAM供给，推动Q1 DDR/LPDDR产品ASP大幅上涨，目前通用型DDR利润率已超过HBM。具体来看，三星市场份额为40.5%，SK海力士市占29.6%，美光市占19.9%，长鑫存储市占7.7%，南亚科技市占1.6%，华邦电子市占0.6%。

据外媒引述消息人士透露，高通已与字节跳动就AI ASIC达成了一份合作协议，字节跳动将向高通采购数百万颗定制芯片，为其 AI 服务提供算力支持。另有消息称，这笔交易将帮助字节跳动将已完成的内部芯片设计转变为生产就绪的半导体。

据外媒报道，美光科技全球运营负责人Manish Bhatia近日于投资者会议上表示，美光HBM4产能爬坡速度，比其去年量产HBM3 12层产品时快了两倍，目前产品良率的提升速度也在不断加快。此外，美光HBM4E的开发进展顺利，预计2027年将开始量产。

美光科技日前宣布，已在其位于弗吉尼亚州马纳萨斯的工厂正式启动 1α（1-alpha）DRAM 的生产，这是美国迄今为止最先进的内存技术，将用于生产DDR4及LPDDR4产品，预计将于今年年底实现全面量产，将使该基地DDR4 晶圆供应量提升四倍。主要服务于汽车、国防、航空航天、工业、网络设备及医疗设备等拥有长生命周期需求的客户群体，该客户群体中并未包含数据中心领域。

三星劳资双方已就工资及集体谈判协议达成临时协议，三星工会方面确认，原计划于5月21日至6月7日举行的罢工已被暂停。三星工会将于5月22日14 时至5月27日10 时组织成员投票表决协议。若投票通过，今年工资协议将正式生效，罢工风险彻底解除；若被否决，罢工计划或将重启。

根据新的协议内容，三星将保留现有利润分享奖金机制，同时新增一项针对芯片业务部门的特别绩效奖金制度，依据盈利情况向半导体部门员工发放奖励，资金来源为“约定经营业绩（营业利润）”表现的10.5%。奖金池将在不同层级间进行分配，其中40%分配至事业部门，60%分配至具体业务单元。该部门涵盖存储芯片和逻辑芯片业务。该特别绩效奖金有效期 10 年，要求 2026-2028 年 DS 部门年营业利润达200万亿韩元（约合1333.51亿美元），2029-2035 年达100万亿韩元（约合666.67亿美元）。

三星电子今天（5月20日）的劳资谈判再度宣告破裂，明天起将举行大罢工。

随着市场需求变化，为了更好地反映存储行情，CFM闪存市场将于2026年5月19日新增DDR5 UDIMM、SODIMM及LPDDR5X产品报价。

新增产品如下：DDR5 UDIMM 8GB 5600、DDR5 UDIMM 8GB 6000；DDR5 SODIMM 8GB 5600、DDR5 SODIMM 16GB 5600；LPDDR5X 32Gb、LPDDR5X 48Gb、LPDDR5X 64Gb、LPDDR5X 96Gb、LPDDR5X 128Gb（上述LPDDR5X指标为245ball、315ball两种封装形式；其中，32Gb/64Gb/96Gb包含LPDDR5X 245ball、315ball；48Gb为LPDDR5X 245ball，128Gb为LPDDR5X 315ball）

新增产品均为每周二上午11:00更新报价，单位：美金。此外，将删除DDR4 SODIMM 4GB 3200和LPDDR4X 96Gb产品报价。

铠侠财报显示，2025年第四财季（2026年1-3月）其NAND Flash平均售价（以美元计）环比增长超一倍，Bit增长率环比下降约10%。

腾讯控股公布，2026年第一季度营收1964.6亿元，去年同期为1800.22亿元，同比增长9%；营业利润673.8亿元，同比增长17%；调整后净利润679.1亿元；每股收益7.517元，同比增长12%。该季度腾讯资本开支319.36亿元。资本开支主要包括对IT基础设施（包括电脑设备、零配件及软件）、数据中心、土地使用权、办公园区及知识产权（不包括媒体内容）的投入。

部分存储厂商4月通过竞价方式，成功获取环比上月价格更低的原厂LPDDR4X资源，有效摊薄了成品成本。但从需求端来看，近期市场买气持续疲弱，即便上述具备成本优势的厂商主动下调成品报价，客户仍多以观望为主，成交意愿不强，低成本优势在当前低迷的需求环境下，未能有效转化为实际出货量，本周多数LPDDR4X价格小幅调降。

LPDDR：LPDDR4X 64Gb 跌 2.91% 至 $100.00，LPDDR4X 48Gb 跌 3.75% 至 $77.00，LPDDR4X 32Gb 跌 6.67% 至 $56.00；

eMCP：eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb 跌 4.82% 至 $79.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+32Gb 跌 4.40% 至 $87.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 跌 2.70% 至 $108.00；

uMCP：uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)4GB+128GB 跌 4.30% 至 $89.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)6GB+128GB 跌 2.65% 至 $110.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+128GB 跌 2.21% 至 $133.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+256GB 跌 1.84% 至 $160.00。

在近半年多的时间里，存储价格暴涨正逐渐挑战行业客户的可承受价位，甚至目前高价行业存储产品已超过特定应用场景的客户承受区间，部分PC客户降容明显，DDR4产品中8GB等低容量产品应用居多。基于此前囤积的较低价的次级资源，行业厂商在仍有一定利润基础上具备较大的价格调整空间，加上个别竞争者竞价出货造成的压力犹存，本周行业8GB DDR4内存条价格缓跌。近期原厂NAND资源官价坚挺微涨且控货力度渐强，行业SSD价格相对较稳。

内存条(行业市场)：DDR4 SODIMM 8GB 3200 跌 3.53% 至 $82.00。

尽管五一假期后，渠道贸易端抛货拉踩动作明显减少，甚至存储股市的狂热风吹到了渠道市场，部分贸易商继上月出逃抽离后，基于当前价格处于近两个月的较低水位又重拾备货信心，渠道品牌SSD及内存条贸易零售价率先出现不同程度的止跌反弹，渠道市场短期观望情绪正缓慢退却，询单环比上月有所增加，但是买卖双方之间仍存在一定的价差，实单成交较为艰难，本周渠道SSD、内存条小幅向下调整。

内存条(渠道市场)：DDR4 UDIMM 8GB 3200 跌 5.00% 至 $38.00，DDR4 UDIMM 16GB 3200 跌 2.50% 至 $78.00，DDR4 UDIMM 32GB 3200 跌 2.94% 至 $165.00，DDR5 UDIMM 16GB 5600 跌 3.23% 至 $150.00，DDR5 UDIMM 16GB 6000 跌 4.19% 至 $160.00，DDR5 UDIMM 32GB 5600 跌 3.70% 至 $260.00，DDR5 UDIMM 32GB 6000 跌 1.82% 至 $270.00；

SSD(渠道市场)：Channel SSD 240GB SATA 跌 2.50% 至 $39.00，Channel SSD 480GB SATA 跌 4.00% 至 $72.00，Channel SSD 256GB PCIe 3.0 跌 2.38% 至 $41.00，Channel SSD 512GB PCIe 3.0 跌 3.53% 至 $82.00，Channel SSD 1TB PCIe 3.0 跌 3.85% 至 $125.00，Channel SSD 512GB PCIe 4.0 跌 3.41% 至 $85.00，Channel SSD 1TB PCIe 4.0 跌 3.45% 至 $140.00，Channel SSD 2TB PCIe 4.0 跌 1.85% 至 $265.00。

据台媒报道，慧荣科技总经理苟嘉章预测，在AI投资重心转向推理的带动下，NAND Flash可能一路缺货到2028年，下半年内存价格将持续上涨。他指出，北美云服务商为锁定产能已与原厂积极签订长期合约。然而，即使各大存储厂商现在启动扩产，到形成有效产能至少需要2至3年，无法立刻反应在供给上。由于短期供需缺口难以改善，今年下半年内存价格仍将保持上涨，但涨幅可能小于上半年。价格若持续高涨恐不利产业均衡发展，部分手机与电脑厂商已难以承受成本压力，预计具备采购优势的大型品牌如苹果，市占率将大幅提高。

据业界消息，随着内存芯片成本上涨以及字节跳动加速布局人工智能，该司已将今年的AI基础设施支出计划增加25%至2000亿元人民币。

慧荣科技公布2026年第一季度（截至2026年3月31日）财报：营收3.42亿美元，环比增长23%，同比增长105%，创历史新高；GAAP下，毛利率47.1%，净利润6,680万美元，环比增长39.9%，同比增长243.27%；非GAAP下，毛利率47.2%，净利润5,385万美元，环比增长26.1%，同比增长165.6%。

展望后市，慧荣看好嵌入式、车用与企业级产品线持续成长，加上新一代PCIe Gen5控制芯片、车用存储与AI相关解决方案陆续放量，预期第二季营收达3.93亿美元至4.11亿美元，环比增长15%至20%，同比增长98%至107%，全年营运有望呈现逐季成长。