据CFM闪存市场数据显示，1Q26全球DRAM市场规模943.25亿美元，环比增长81.5%。数据中心需求激增已导致DRAM供应紧张，HBM占据大部分产能进一步挤占其他DRAM供给，推动Q1 DDR/LPDDR产品ASP大幅上涨，目前通用型DDR利润率已超过HBM。具体来看，三星市场份额为40.5%，SK海力士市占29.6%，美光市占19.9%，长鑫存储市占7.7%，南亚科技市占1.6%，华邦电子市占0.6%。
长鑫科技科创板IPO获上市委会议通过。
日月光宣布已开发出业界首个 310mm × 310mm 面板级封装 (PLP) 自动化产线，预计将于 2027 年上半年投入量产。随着 AI 加速器和 HPC 组件的复杂度与日俱增，面板级封装已成为实现超大规模系统级封装 (SiP) 架构的关键创新。相较传统的晶圆级封装 (WLP)，使用矩形面板的 PLP 工艺可大幅提升载体的可用面积和单次加工面积，进而改善吞吐量和材料利用率。
据外媒报道，英伟达 Vera CPU 首批基准测试成绩，在综合平均成绩上，比上一代 72 核 Grace 快 63%。横向对比方面，Vera 比 64 核、主频 5GHz 的 AMD EPYC 9575F 快 10%，对 Intel 128 核 Xeon 6980P 的领先幅度达 55%。
据台媒报道，联电首席财务官刘启东股东常会上表示，随着新加坡厂扩产，成本较昂贵，面临较大困难，今年下半年展开选择性涨价，2027年将更全面与客户就价格调整进行商议。
富士电机开发出了可将数据中心服务器冷却所需的电力消耗削减85%的新技术，通过“喷射式冷却机”结构将制冷剂封闭在直径数厘米的筒中进行压缩，使用从芯片回收的热量来压缩制冷剂，不使用压缩机，富士电机介绍称，用喷射式冷却机代替冷却器功能在全球尚属首次。
据CFM闪存市场数据显示，1Q26全球NAND Flash市场规模428.15亿美元，企业级SSD需求倍增并仍在加速，尽管消费类需求现疲软迹象，但不改整体供不应求的局面，1Q26 NAND ASP环比大增，推动一季度全球NAND Flash市场规模环比续增81.8%。具体来看，三星市场份额29.7%，排名第一；SK海力士市场份额17.6%，排名第二；铠侠市场份额14.9%，排名第三；闪迪市场份额13.9%，排名第四；美光市场份额11.7%，排名第五。
长鑫科技科创板IPO今日上会。此次IPO拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目等项目。
小米集团合伙人、总裁卢伟冰与财报电话会议上透露，小米汽车计划 2027 年三四季度正式启动出海；整体策略是先发达国家、后发展中国家，先中高端、后中端，先右舵、后左舵。目前整体推进进度完全按计划进行。
SK 海力士今日股价一度上涨超11%，成为亚洲第三家市值突破 1 万亿美元的企业；三星电子本月稍早晋升 1 万亿美元俱乐部。
据外媒引述消息人士透露，高通已与字节跳动就AI ASIC达成了一份合作协议，字节跳动将向高通采购数百万颗定制芯片，为其 AI 服务提供算力支持。另有消息称，这笔交易将帮助字节跳动将已完成的内部芯片设计转变为生产就绪的半导体。
蚂蚁集团研究院院长庄蹯在支付宝举行的AI支付生态大会上表示，Token、数据和工具已成为数字时代最核心的生产要素，如同智能体的燃料、感官和四肢，是驱动其运行与进化的基础。他进一步预测，随着智能体应用的爆发，Token消耗将迎来指数级增长。到2030年，全球Token消耗量预计将增长超过300倍。同时，活跃智能体数量有望达到22亿，每年执行的任务量将突破400万亿次。
早盘存储芯片股大幅高开，截至发稿，大普微涨超8%，江波龙、佰维存储涨超5%，德明利涨超2%。消息面上，隔夜美股存储芯片板块集体走高，美光科技大涨超19%，总市值首次突破1万亿美元；闪迪涨超7%，西部数据涨超8%，希捷科技涨4%。
据韩媒最新消息，三星电子劳资协议初步获批，劳资双方将于当地时间今日上午11点举行工资协议签署仪式。
小米旗下MiMo大模型于5月27日发布公告，对MiMo-V2.5系列模型API进行永久性降价，最高降幅达99%，不再区分上下文窗口长度。同时优化Token Plan计价体系，加量不加价，用量提升至原来的5-8倍。降价于5月27日00:00（北京时间）正式生效。此外，MiMo-V2.5-TTS系列继续提供限时免费介入，MiMo-V2-Pro和MiMo-V2-Omni的API价格维持原价不变。
当地时间5月26日，美股三大股指涨跌不一。截至收盘，道琼斯工业指数跌0.23%，报50461.68点；标普500指数涨0.61%，报7519.12点；纳斯达克综合指数涨1.19%，报26656.18点。其中，大型科技股表现分化，AMD涨超7%，高通涨超4%，谷歌A、谷歌C均涨超1%，微软跌0.61%，亚马逊跌0.39%，英伟达跌0.22%，苹果跌0.16%；存储板块集体走高，美光涨超19%，西部数据涨超8%，闪迪涨超7%，希捷涨超4%。
深科技公告称，公司全资子公司深圳沛顿及控股子公司合肥沛顿存储拟实施高端存储芯片封测产能扩充项目，计划总投资14.7亿元，用于购置高端芯片测试机、高精度晶圆研磨一体机等设备、厂房装修及配套动力设施等。按照规划，项目达产后，深圳沛顿预计每月新增封装产能500万颗晶粒及测试产能800万颗芯片；合肥沛顿存储预计每月新增封装产能2880万颗晶粒。
二季度以来，尽管行业客户在持续消化库存的同时，存在阶段性备货需求，但客户采购普遍保守和谨慎，而选择优先消耗剩余库存。行业厂商实际销售环比Q1显著减少，出货明显承压。本周行业8GB、16GB DDR4内存条价格跌幅环比上周进一步扩大，
内存条(行业市场)：DDR4 SODIMM 8GB 3200 跌 12.50% 至 $70.00，DDR4 SODIMM 16GB 3200 跌 8.82% 至 $155.00。
近期，国内上游LPDDR Wafer、颗粒资源处于持续缓跌状态，部分存储厂商低价出售低等级资源LP方案，对市场造成一定的冲击，本周32Gb、48Gb LP4X/5X价格小幅调降；而如16Gb等低容量LP产品则因本身资源有限，并且相对于大容量产品其可选方案也较少，价格相对比较坚挺。嵌入式NAND方面，二季度多数订单已落地，当前精力主要集中在交付上，尽管近期个别厂商有更低的报价出现，但多数存储厂商坚守稳定的价格体系。不过，随着Q3临近，客户价格预期一旦下降，新季度的价格谈判也将变得更加艰巨。
LPDDR：LPDDR4X 48Gb 跌 2.60% 至 $75.00，LPDDR4X 32Gb 跌 1.79% 至 $55.00，LPDDR5X 48Gb 跌 1.30% 至 $76.00，LPDDR5X 32Gb 跌 1.82% 至 $54.00
eMCP：eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb 跌 1.27% 至 $78.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+32Gb 跌 1.15% 至 $86.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 跌 1.85% 至 $106.00
uMCP：uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)4GB+128GB 跌 1.12% 至 $88.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)6GB+128GB 跌 1.82% 至 $108.00
因渠道DRAM低端资源价格大跌叠加需求惨淡，自3月中下旬以来，渠道DDR4/DDR5内存条产品价格近两个月内跌幅累计超20%，尤其是8GB/16GB等低容量DDR4内存条价格跌近40%。经历一个多月的持续下跌，近期现货贸易扫货动作频出，渠道DRAM低端资源价格开始企稳反弹，个别渠道厂商针对个别内存条试水微幅调涨报价。另外，Q2渠道厂商SSD出货普遍不尽人意，当前正处于本季度的中后段，有业绩压力的渠道厂商可能为刺激出货而进一步让价。
1Q26全球DRAM市占排名：三星继续领跑，长鑫存储份额升至7.7%
