据韩媒报道，三星电子已生产出适用于10纳米以下DRAM工艺的可用工作晶圆。业内人士透露，三星在上个月采用其10a工艺制造的晶圆测试中，确认了一颗可用的晶圆，体现了4F²单元架构和垂直通道晶体管（VCT）结构的首次应用。据悉，三星的目标是在今年完成10a DRAM的开发，明年进行质量测试，并在2028年实现量产。该公司计划在10a、10b 和10c三代产品中使用 4F² 和 VCT 结构，然后在10d代转向3D DRAM。

据亚洲日报报道，SK海力士在TSMC主办的技术活动中，重点介绍了AI时代的核心组件HBM4，强调了从HBM4开始采用TSMC的先进逻辑工艺生产“基底芯片”的变化，计划在2026年量产HBM4。两家公司在部件供应和定制HBM市场多方面展开战略合作。SK海力士计划结合台积电的“CoWoS”技术和自身HBM技术，提供符合全球大科技公司需求的解决方案。

铠侠推出面向PC OEM厂商的BG8系列SSD，采用第八代 BiCS FLASH™ TLC 3D 闪存，与上一代产品相比，BG8 系列的顺序读取性能提高47%，顺序写入性能提高67%，随机读取性能提高 44%，随机写入性能提高30%。顺序读取速度高达 10,300 MB/s，顺序写入速度高达 10,000 MB/s，随机读取和写入性能分别高达 140 万和 130 万 IOPS。

对于地缘冲突对产能的影响，SK海力士表示公司已实现原材料供应商多元化，并已确保充足的库存，因此实际影响非常有限。

据韩媒报道，SK海力士已正式启动其位于美国印第安纳州的半导体生产基地建设，项目投资额达5.7万亿韩元（约合39亿美元）。这是SK海力士在美国的首家半导体工厂。据业内人士透露，SK海力士于近日通知当地社区，将开始桩基施工，预计上部结构将于今年下半年开始搭建。据悉，该基地计划于2028年下半年全面投产，预计第七代和第八代高带宽内存（HBM4E、HBM5）可能成为主要产品。

SK海力士22日宣布，在韩国清州科技城工业园区举行P&T7项目的奠基仪式。该项目是一座专用于生产人工智能存储产品（例如 HBM）的先进封装工厂，投资数万亿韩元，将建于清州科技城工业园区内，占地约 23 万平方米。工厂将拥有三层 WLP工艺线，总面积约 6 万平方米，以及七层 WT（晶圆测试）工艺线，总面积约 9 万平方米，仅洁净室面积就将达到约 15 万平方米。破土动工后，工厂将立即开工建设，WT 生产线预计将于 2027 年 10 月竣工，WLP 生产线预计将于 2028 年 2 月竣工。

大普微在互动平台表示，根据招股说明书披露，截止报告期，公司已实现对海外客户Google等客户的产品销售，2025年已通过Nvidia、xAI两家全球AI头部公司测试导入，后续有望逐步放量。此外，公司PCIe 6.0主控芯片及SSD产品已在研发中。全球PCIe 6.0企业级SSD产品业界距离正式规模商用仍需要一段时间。

4月21日，铠侠（Kioxia）宣布推出面向PC OEM厂商的EG7系列固态硬盘（SSD）。该产品为公司首款基于BiCS8 QLC技术的客户端存储方案，采用无DRAM HMB技术，支持PCIe 4.0与NVMe 2.0d规范，提供512GB/1024GB/2048GB三种容量，最高顺序读写达7000MB/s和6200MB/s。EG7系列目前正向部分PC OEM客户提供样品，搭载该SSD的PC预计将从2026年二季度开始出货。

在NAB 2026展会上，闪迪发布了新一代至尊超极速CFexpress 4.0 Type B存储卡。该系列存储卡提供128GB / 256GB / 400GB/1TB/2TB/4TB六种可选容量规格，顺序读写速度最高达3700MB/s和3500MB/s。闪迪还同步推出了容量达2TB的SANDISK Extreme PRO SDXC UHS-II存储卡，包含V90和V60两种速度等级版本，最高提供2TB容量规格。其中，V90读写速度最高达310MB/s和305MB/s；V60读写速度最高达300MB/s和250MB/s。相关产品预计于2026年三季度上市。

江波龙（301308.SZ）4月17日在投资者互动平台表示，UFS4.1 已成为当前旗舰智能手机的主流存储配置，应用前景广阔。公司已与闪迪（SanDisk）等多家原厂达成 UFS 产品商业化合作，并积极探索高端存储产品在端侧 AI 领域的应用

近日，美光在官网产品目录中添加了新款24Gb GDDR7 DRAM，即3GB模块。其中，速率为28Gbps的产品已量产，速率为32Gbps的产品已出样。

据韩媒报道，三星已停止接受部分低功耗移动DRAM产品的新订单，受影响的产品包括LPDDR4和LPDDR4X。公司近期已完成最后一批订单的交付，在完成之前已收到的订单后，相关产品将正式停产。考虑到最终订单的时间安排，LPDDR4和LPDDR4X的生产预计将持续到今年年底。随着库存逐步耗尽，三星预计将转向LPDDR5，生产线可能会从明年第一季度开始改造。

据外媒报道，OpenAI已开始与三星电子建立独立​​的合作渠道，以确保高带宽内存（HBM）的供应，推进其Titan芯片战略。业内人士透露，OpenAI首席财务官Sarah Friar上个月访韩期间，与三星电子高管进行了私下会晤，深入探讨了第六代HBM（HBM4）的供应和产能扩张问题。据悉，双方就HBM4量产时间、供应稳定性以及中长期合作架构交换了意见。

据媒体报道，三星计划在部分Galaxy S27系列机型上，引入UFS 5.0存储，接口速率达10.8GB/s，性能逼近PCIe NVMe Gen 5标准。若研发顺利，Galaxy S27 Ultra将成为首款搭载该标准的量产机型，为端侧AI运算提供更强硬件支撑。

佰维存储第一季度实现营业收入68.14亿元，同比增长341.53%，环比增长44.14%；实现归属于上市公司股东的净利润28.99亿元，同比扭亏为盈，环比增长252.41%。该季度佰维存储人工智能新兴端侧存储产品收入约11.75亿元，同比增长496.45%，环比增长53.19%。

威刚推出URBAN TAPSAFE移动固态硬盘（pSSD），为URBAN都市生活系列首款产品。该pSSD采用20Gbps的USB3.2Gen2×2接口，可选1000GB与2000GB两种容量，顺序读写速率均至高可达1900MB/s，享受5年有限保固。

三星电子宣布推出新款T7 和T9 microSD存储卡，对其可移动存储产品线进行了重大更新，采用了更清晰的命名策略并提升了性能等级。三星T7 microSD存储卡定位于日常高可靠性扩展存储，提供128GB、256GB、512GB和1TB四种容量选项，最高170MB/s顺序读取速度。T9 microSD存储卡专为高性能应用而设计，提供128GB、256GB和512GB三种容量选项，具备最高200MB/s的读取速度。新品将于2026年4月30日面向消费者发售。

据韩媒报道，三星电子的1c DRAM良率已超过80%，达到所谓的"成熟良率”。然而，三星HBM4 DRAM的良率目前仍低于60%，当前的计划是在今年下半年将HBM​​4 DRAM的良率提升至接近完工的水平，旨在提高对包括英伟达在内的主要人工智能客户的需求响应速度。

据媒体报道，三星电子目前2nm工艺制程的良率仍低于60%的量产门槛，约为55%。若进一步纳入后端加工环节，考虑性能分级及后端封测流程带来的良率损失，以最终成品计算，三星2nm的实际良率将降至约40%。值得注意的是，2025年下半年，其2nm良率仅为20%。不到一年时间提升至接近55%，进步幅度显著。但只有当良率稳定突破60%甚至更高，才能吸引关键客户下达大规模订单。

4月13日，南亚科技召开2026第一季度法说会。总经理李培英博士指出，公司第一季DRAM平均售价（ASP）季增超过70%，年增超过2倍。对于近期DRAM现货市场价格出现松动的情况，此次价格回档仅为短期修正，并非产业基本面反转，待库存与价格回归合理区间后，市场将重新聚焦AI驱动的长期需求。李培瑛认为，DRAM Q2的价格将优于Q1，涨幅确定为双位数区间，尽管未来涨幅可能有所收敛，但整体涨势稳健。从供需格局来看，当前DRAM市场供需吃紧的态势预计将延续至2027年。

4月13日，南亚科技公布第一季度财报。2026年第一季度，公司营收490.87亿元新台币（折合人民币约105.44亿元），环比增长63.1%，同比增长582.9%，毛利率67.9%，环比增长18.9个百分点，较去年同期转正；营业利润率61.3%，环比增长22.2个百分点，较去年同期转正；营业净利润301.11亿元（折合人民币约64.68亿元），环比增长155.6%，较去年同期实现扭亏为盈。

4月13日，慧荣科技在台北南港举行了台北企业总部新建工程的动土典礼。新大楼预计于2030年启用，届时有望与新竹竹北总部形成“台北竹北双城运营架构”。慧荣科技董事长周邦基在致辞中表示，未来将通过串联台北与竹北两大据点，提升公司整体运营与研发效率。

德明利（TWSC）于4月9日正式推出首款自研企业级固态硬盘（eSSD）主控芯片 H3361，标志着公司在存储上游核心部件领域实现关键突破。
该主控核心亮点为PCIe NVMe 与 SATA AHCI 双模支持，可复用同一 PHY 接口，通过相同 PCB 设计经板级跳线与固件配合完成模式切换，兼顾兼容性与灵活性。性能上，PCIe 模式下支持 Gen3×2 带宽，符合 NVMe 1.3 协议；同时兼容 SATA 3.0 标准，适配企业级存储多样化场景需求。

京元电子公告，董事会通过提高今年资本支出，由393.72亿元（新台币，下同）提高至500.00亿元，创下历史新高。京元电子表示，上修资本支出主要是为配合营运需要以备产能扩充需求，资金来源为自有资金及融资。