威刚9月14日公告现增发行价格,每股订290元(新台币,下同),预计发行2,000万股,以发行价格计算,总募资规模约58亿元,用途为偿还银行借款。
铠侠控股发布声明称,该司正在筹备将其普通股对应的美国存托股票在美国证券交易所上市,以稳步、可持续地提升企业价值,但有关上市的细节,如时间安排、上市市场和上市方式,尚未确定,且该司可能视筹备过程中的情况决定不再继续推进上市。
美光近日宣布,将向全球超过6万名员工发放2026财年奖励,金额创下公司成立以来的最高纪录。其中,中国台湾地区员工每人最高可获100万新台币的感谢现金奖金,产线员工的整体薪酬水平相当于35至68个月的薪资。
然而,美光桃园工会随后发表声明指出,劳资双方目前尚未达成共识。工会强调,其核心诉求并非一次性奖金的金额高低,而是希望建立一套透明、可预期且与公司获利直接挂钩的利润分享制度。工会方面坚持要求将营业利润的15%拨作员工奖金,并以三星电子、SK海力士的员工分红机制作为参照,指出韩国同行的利润分享安排已拉大了美光员工与韩国同行之间的薪酬差距。工会警告,若公司方面不予回应,将继续推进罢工程序。
美光宣布,将向全球逾6万名员工发放2026会计年度(FY26)奖酬,规模创公司史上新高,其中,中国台湾地区员工除可获得每人新台币100万元感谢现金奖金外,年度绩效奖金最高更达基本目标的500%,加计股票奖酬后,台湾产线员工整体薪酬更相当于35至68个月薪资。
力成8月合并营收85.58亿元(新台币,下同),环比增长3.48%,同比增长24.46%,连续两个月创下历史新高;累计1-8月合并营收612.58亿元,同比增长30.83%。力成执行长谢永达此前曾表示,AI需求持续成长仍是推动集团营运最重要动能,存储先进封装与测试业务将持续扮演成长引擎。在搭配产品组合优化、价格调整及产能利用率提升下,可望带动营收与获利逐季走高,全年营收可望刷新历史纪录。
三星电子与ASML宣布扩大战略合作。三星将加入推动12英寸光罩技术发展的行业合作计划,并计划于2028年前首次将ASML高数值孔径(High NA)极紫外光刻(EUV)技术用于DRAM大规模生产。
9月7日晚间,江波龙在港交所公告配发结果,香港公开发售获40.32倍认购,国际发售获3.88倍认购;最终发售价236.00港元,所得款项净额68.032亿港元,H股股份将于2026年9月8日开始在香港联交所买卖。
长鑫官方新闻称,其自主研发的LPDDR6芯片已实现量产商用,首发搭载于小米 18 Fold 折叠旗舰手机,这是全球范围内LPDDR6产品首次在旗舰手机端落地商用。该款产品芯片容量为16GB,最高传输速率可达12800Mbps,与SoC搭配速率为10667Mbps。
此次长鑫量产的LPDDR6单颗粒容量为16Gb,封装芯片容量达16GB,遵循JEDEC LPDDR6标准,采用1295 Ball FBGA全新封装,最高传输速率可达12800Mbps,与速率10667Mbps的LPDDR5X相比,带宽提升60%。该产品的功耗相比上一代的LPDDR5X降低了20%*,能够有效延长移动设备的续航。
Lexar(雷克沙)推出 NF100 系列 SATA III SSD,采用 2.5" 7mm 外形规格,提供120GB / 250GB / 500GB / 1TB 四种容量选择,全版本顺序读取速率可达 500MB/s,四种容量的保内写入量分别为 42TB / 84TB / 168TB / 336TB。
长电科技近日公告称,拟定增募资不超过65亿元,控股股东磐石润企(实际控制人为中国华润)认购22.53%,剩余份额通过市场化竞价方式由不超过35名对象认购。募集资金计划投入五个方向:高性能计算先进封装平台15亿元、高端电源模组封测10亿元、晶圆级封装平台11亿元、高密度大容量存储芯片封测10亿元,以及补充流动资金及偿还债务19亿元。
长鑫科技公司高管于2026年半年度业绩说明会上,就“报告期末合同负债规模环比下降”称,因一季度合同负债对应的客户订单在二季度集中交付并结转收入,上半年合同负债余额较一季度大幅回落,属于存储行业的正常渠道周转节奏。
华邦电子8月合并营收达273.09亿元(新台币,下同),环比增长2%,同比增长289.43%,受惠存储供不应求、报价大涨,营收连续九个月改写单月历史新高;累计今年前8月营收达1,521.78亿元,同比增长177.39%,创下同期新高。
群联电子宣布,随着其首家欧洲本地实体在德国埃施博恩正式成立,进一步拓展其欧洲业务。同时,群联电子欧洲有限公司任命Ingvar Ersson为欧洲、中东和非洲区总经理兼总裁,Antony Zukowski为欧洲、中东和非洲区区域总监。Ersson 直接向 Phison 首席执行官 KS Pua 汇报工作。群联电子将优先考虑人工智能、超大规模计算、高性能计算和企业级市场机遇,同时提供本地化的销售、技术和市场支持,以便更好地服务于整个区域的客户。
据业界消息,美光计划在今年年底前将其HBM产能每月增加至多6万片晶圆。2025年美光的HBM月产量约为4万至5万片晶圆。知情人士透露,美光正在推进大规模的设施投资,以迅速提升其HBM4产能。到今年年底,该司将确保每月约10万片晶圆的HBM产能。为了确保这一产能,美光正在向多家HBM制造设备供应商增加采购订单。
美光表示将向中国台湾地区员工发放历年最高的绩效奖金,具体激励奖金分红方案预计在 10 月公布,在此之前将持续通过既有沟通渠道与团队成员保持对话。
V10 是三星最新的 3D NAND 闪存,专为满足人工智能时代对高性能、高容量和节能存储日益增长的需求而开发。基于三星的3D Bonded-VNAND架构,V10拥有超过400条字线(WL)。实现超过400层的关键在于“三层堆叠高纵横比(HARC)合并”技术。这种方法并非一次性堆叠超过400层单元,而是将它们分成三个堆叠部分,分别创建每个部分,然后垂直连接起来。相比上一代产品V9,V10的位密度提升超过58%,数据I/O速度超过4.8Gbps,性能提升超过33%,同时功耗降低超过25%。三星电子计划将V10用于支持容量高达128 TB的超高容量SSD以及下一代 PCIe 7.0 SSD。
德明利发布2026年半年报。报告显示,报告期内营业收入为169.11亿元,同比增长311.55%;归母净利润60.17亿元,同比扭亏为盈(上年同期亏损1.18亿元);扣非净利润59.66亿元,同比扭亏为盈(上年同期亏损1.22亿元)。按季度看,第二季度德明利营收93.72亿元,同比增长228.04%,环比增长24.33%;归母净利润26.71亿元,同比增长55.67倍,环比减少20.18%;扣非净利润26.32亿元,同比增长56.54倍,环比减少21.04%。
江波龙在港交所公告,在港上市拟发行2607万股H股(视乎发售量调整权及超额配股权行使与否而定),发行价最高不超240.60港元/股,预期9月8日开始交易。
武汉新芯发布面向未来十年的“芯光计划”,将聚焦“光感互联、三维存算”,力争实现产能翻两番,加快建设特色工艺晶圆制造和三维集成产业平台。伴随产能跃升,武汉新芯计划在2035年前引育超万名半导体高端人才,以AI赋能下一代智能工厂,预计带动超千亿级生态链协同发展。
长鑫存储近日向美国哥伦比亚特区联邦地区法院提起诉讼,将美国国防部及国防部长皮特·赫格塞思列为被告,挑战其被单方面列入1260H清单的合法性。长鑫存储成为继小米、中微、禾赛、药明康德、阿里巴巴、长江存储之后,第7家对美方"中国涉军企业"清单发起法律反击的中国企业。
长鑫存储指控称,美国国防部将其列入所谓"中国军工企业"名单的决定是"武断的"、缺乏证据支持,且违反正当程序,要求法院推翻这一决定并将其从黑名单中移除。长鑫存储明确表示,其并非军工企业、与中国军方无任何关联,所设计的DRAM芯片均用于智能手机、笔记本电脑和服务器等民用及商业用途,而非军事用途。
据业界消息,美光中国台湾厂区员工因不满奖金分配制度,正酝酿一场可能撼动全球DRAM供应链的罢工行动,两大工会合计约1万名会员,初步民调约八成支持罢工,若9月中旬法定调解破裂,最快9月将举行罢工投票。
长鑫科技发布 2026 年半年度报告。2026 年上半年,公司实现营业收入 1503.1 亿元,同比增长 873.64%;归属于上市公司股东的净利润 776.05 亿元,上年同期亏损 23.32 亿元,实现扭亏为盈;扣非净利润 787.93 亿元,上年同期亏损 23.87 亿元,同样扭亏。截至报告期末,公司主营业务毛利率达 84.84%。
分季度来看,长鑫科技第二季度营收约 995 亿元,环比增长约 95.8%;归母净利润 528.43 亿元,环比增长113%;扣非净利润 524.5 亿元,环比增长99.13%。
据韩媒newsis报道,SK海力士CEO郭鲁正表示,没人知道短缺会持续多久,但目前还没有明显的衰退迹象,预计存储半导体供应短缺将持续到2030年底,即使之后需求也不会出现大幅下降。
铠侠与闪迪宣布,预计将在日本进行总额超过310亿美元(约合5万亿日元)的重大投资,具体金额取决于日本政府的支持。这些投资将持续到2032年,并将继续加强铠侠和闪迪的合作关系,这些投资将支持四日市工厂和北上工厂及其相关基础设施和技术的持续建设。
SK海力士将于当地时间27日中午12点在美国印第安纳州举行人工智能(AI)存储器先进封装生产基地的奠基仪式,并正式启动全面建设。SK海力士将投资40亿美元建设该工厂,目标是在2028年底前竣工。该工厂计划量产人工智能存储产品,包括下一代高带宽内存(HBM)。
据日媒报道,因AI普及,带动存储需求激增,为加快高性能产品的增产投资,铠侠将在岩手县兴建NAND Flash新厂房,预估投资额将超过1兆日圆(约合62.78亿美元)。铠侠高层将在27日访问日本首相官邸,宣布新厂兴建计划。
三星电子推出了 P9 和 P7 两款移动固态硬盘 (pSSD),均配备 USB4 接口。其中,P9 pSSD 为专业用户提供高端性能,支持 12K 直录,顺序读写速率分别可达 4000MB/s 和 3800MB/s。P7 pSSD 专为日常使用场景中的快速便捷存储而设计,通过抗 2m 跌落、抗冲击、抗震动测试。P9、P7 pSSD 均提供 1TB / 2TB / 4TB / 8TB 四种容量选择。
三星电子日前公布面向智能手机、AI PC等端侧AI设备的LPDDR5X-PIM架构及详细性能指标。该技术可在内存内部直接完成部分运算处理,无需将数据反复传输至处理器。LPDDR5X-PIM 的 PIM 带宽高达614GB/s,容量为16GB。相比之下,传统 DRAM 的带宽仅为 76.8GB/s,PIM 技术的应用使带宽提升了八倍。
三星使用Meta的拥有80亿参数模型"Llama 3.1"进行测试,结果显示:
处理时间:从传统LPDDR5X的12.3秒缩短至5.4秒,提速约2.3倍; 每秒Token处理量(TPS):从27个提升至81.3个,是现有产品的3倍。
联芸科技发布半年度报告。公告显示,半年度营业收入854,109,397.31元,同比增加40.08%;归属上市公司股东的净利润519,551,700.50元,同比增加825.54%;归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润56,525,153.84,同比增加61.07%。
三星DRAM设计团队负责人Sangwook Han日前在Hot Chips 2026大会上透露,三星正在筹备出货单引脚速率高达16Gbps的HBM4E内存。目前,三星已向客户交付单引脚速率14Gbps的HBM4E工程样品。在2048引脚配置下,14Gbps版本单堆叠最大带宽可达3.6TB/s;而当速率提升至16Gbps时,单堆叠最大带宽将跃升至4TB/s。考虑到每个AI加速器或GPU通常搭载十余个HBM堆栈,HBM4E的带宽升级将为下一代AI芯片提供极为可观的总内存带宽。