存储主控芯片厂商得一微电子股份有限公司近日在深圳证监局办理上市辅导备案登记，正式重启A股IPO进程，辅导机构为中信建投证券，中伦律师事务所、上会会计师事务所联合参与。

得一微曾于2022年11月申报科创板，后于2024年3月主动撤回申请。公司是一家以存储控制技术为核心的芯片设计企业，产品覆盖固态硬盘、嵌入式存储、扩充式存储三大产品线。此次重启，公司将重点聚焦AI存力、存算一体、CXL等前沿方向。

据韩媒报道，三星电子已为平泽半导体生产基地P5晶圆厂集群的首个阶段PH1订购了70余台光刻机，为该阶段2027年的投运做好准备。平泽P5 PH1所需的这些光刻机来自ASML和佳能，其中约20台为ASML的EUV曝光系统。P5 PH1将用于1c nm制程DRAM生产，将同时制造通用内存和HBM。三星电子预计将从2027Q2开始为平泽P5 PH1安装图案化设备，届时该阶段的洁净室施工也将完成，有望在2027年内贡献产能，满足英伟达 "Rubin" 与其它AI XPU的需求，纾解当前DRAM市场的供应紧张态势。

德明利发布2026年第一季度业绩预告。公司预计2026年第一季度营收为73亿元-78亿元，同比增长483.05%-522.98%；归属于上市公司股东的净利润为31.5亿元-36.5亿元，上年同期亏损6908.77万元；扣除非经常性损益后的净利润为31.4亿元-36.4亿元，上年同期亏损7495.86万元。报告期内，在供应偏紧的背景下，行业景气度持续上行，存储价格持续上涨，公司依托前期充足的原材料战略储备，盈利能力持续改善，利润水平大幅提高。

3月31日，铠侠再次向客户发出通知，宣布将于2028年停止生产部分浮栅式（Floating Gate）和BiCS FLASH™ Gen3产品。具体涉及的产品包括基于32/24/15nm制程（SLC/MLC/TLC）的浮栅式和BiCS FLASH™ Gen3晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、普通SD。铠侠表示，最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年9月30日，最后出货时间为2028年12月31日。此前，铠侠曾于3月16日向客户宣布停产采用“薄型小尺寸封装”（TSOP）的MLC NAND闪存产品。

据韩媒报道，美光已启动一项全新研发计划，旨在开发一款垂直堆叠结构的GDDR内存产品，通过类似HBM的垂直堆叠技术，大幅提升传统显存的性能与容量。这一创新设计有望在标准GDDR与高端HBM之间开辟一条新的技术路径，满足市场对高性能、低成本内存解决方案的迫切需求。据悉，美光计划在今年下半年完成相关设备的安装并进入工艺测试阶段。目前初步确定的方案是进行4层GDDR芯片的垂直堆叠，若进展顺利，首批测试样品最快将于2027年亮相。

据韩媒报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近期成功完成工艺制程升级，实现了236层堆叠的第八代V-NAND (V8 NAND)的量产。本次制程升级始于2024年，旨在改造原有的V6 (128L) NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力，满足AI时代对高性能存储设备的需求。三星西安晶圆厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成过渡并实现量产。

佰维存储（688525）3月25日公告，公司与某存储原厂签订15亿美元采购合同，为期24个月（2026年二季度至2028年一季度），标的为特定存储晶圆。合同金额超公司2025年营收与总资产的50%，达到重大合同披露标准。公司表示，此举旨在锁定中长期晶圆供应，稳定采购成本，助力业务稳健发展。

据外媒报道，SK海力士将引进价值约12万亿韩元（约合554亿元人民币）、占总资产9.97%的极紫外光刻（EUV）设备，用于下一代DRAM和高带宽存储器（HBM）量产。设备计划从本月起至明年底分期引进，每台设备分次付款。EUV由荷兰ASML独家生产，波长仅为传统ArF光源的1/13，是实现超精细工艺的关键设备，最新款单价约3000亿韩元。相关设备将陆续导入正在建设的清州M15X晶圆厂及龙仁半导体集群首座工厂，后者预计在明年2月洁净室启用后开始设备引进。

据外媒报道，三星电子即将启动8英寸（200毫米）氮化镓（GaN）功率半导体代工厂的运营，最快于2026年第二季度实现全面投产。该代工厂采用交钥匙服务模式，不涉及芯片设计环节，三星已建立相应的GaN解决方案体系，并具备自产外延晶圆的能力。据行业消息，该氮化镓代工厂初期营收规模预计在1000亿韩元（约合4.62亿元人民币）以内。

值得注意的是，台积电此前已宣布计划于2027年终止氮化镓晶圆生产，而三星半导体最初在2023年宣布2025年投产该业务，实际进度有所延迟。除氮化镓外，三星电子还计划推进碳化硅（SiC）功率半导体晶圆代工业务，两者可在不同耐压区间形成互补。

三星电子宣布，已与AMD签署谅解备忘录 (MOU)，以扩大双方在下一代AI内存和计算技术方面的战略合作。根据该谅解备忘录，三星和AMD将在下一代AMD AI加速器、AMD Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应以及代号为“Venice”的第六代AMD EPYC CPU的先进DRAM解决方案方面达成一致。这些技术将支持结合AMD Instinct GPU、AMD EPYC CPU和机架式架构（例如AMD Helios平台）的下一代AI系统。三星和AMD还将共同研发针对第六代AMD EPYC处理器的高性能DDR5内存。

据韩媒报道，三星电子工会宣布集体斗争行动议案以93.1%的赞成率获得通过，将于5月举行总罢工。分析指出，罢工一旦实施，平泽厂区约一半产能将受冲击，直接影响DRAM与NAND闪存芯片的产能释放。

 美光科技近日在GTC 2026上宣布，已于2026年第一季度开始批量出货专为NVIDIA Vera Rubin平台设计的HBM4 36GB 12H显存。该产品数据传输速率超过11 Gb/s，提供超过2.8 TB/s的带宽，较上一代HBM3E带宽提升2.3倍，能效提升20%。此外，美光已向客户交付HBM4 48GB 16H样品，单颗容量提升33%。

同时，美光推出业界首款量产的PCIe Gen6数据中心SSD（Micron 9650），顺序读取速度达28 GB/s，性能为Gen5两倍，并针对NVIDIA BlueField-4架构优化。专为Vera Rubin设计的192GB SOCAMM2内存也已量产，支持高达2TB内存容量和每CPU 1.2 TB/s带宽。

美光科技发布2026财年第二季度财报，得益于人工智能驱动的内存需求激增，公司营收、毛利率及每股收益均创历史新高。财报显示，美光第二财季总营收达239亿美元，环比增长75%，同比增长196%，连续第四个季度创下营收新高。其中，DRAM营收同比增长207%至188亿美元，NAND营收同比增长169%至50亿美元。公司毛利率达75%，净利润为140亿美元。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，内存已成为人工智能时代的战略资产。随着HBM等产品需求旺盛，预计第三财季营收将达到创纪录的335亿美元，毛利率约为81.0%。同时，美光正大力扩产以满足需求，预计第三财季资本支出约为70亿美元。

据外媒报道，受人工智能浪潮推动，2026年AI内存芯片需求预计将持续激增，三星电子正考虑将内存芯片合同转向多年期合约，计划从现行的季度或年度合同延长至三至五年，以稳定供应并缓解市场对关键组件短缺的担忧 。

据外媒报道，三星一直向英伟达供应HBM4、SOCAMM2内存模块和PM1763 SSD，现在又通过增加Grok3 LPU芯片的生产，扩大了双方的合作，已确立了其作为下一代人工智能加速器平台所有领域核心合作伙伴的地位。三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片（最底层）采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。

在NVIDIA GTC 2026 大会上，三星全面展示了其在AI计算领域的技术布局，展出了从高性能内存到面向个人设备的低功耗解决方案的全系产品。三星首次展示了其下一代HBM4E内存。该产品每引脚传输速度可达16Gbps，带宽高达4.0 TB/s。此外，三星还展出了其混合铜键合（HCB）技术，这项新技术将使下一代HBM能够实现16层或更多堆叠，同时与热压键合相比降低20%以上热阻。

据外媒报道，韩国SK集团董事长崔泰源表示，由于人工智能驱动的需求持续超过供应，全球芯片晶圆短缺的情况可能会持续到2030年。在加州圣何塞举行的英伟达GTC大会间隙，崔泰源接受记者采访时表示，SK海力士正在考虑在美国上市ADR，以扩大其全球投资者基础；同时，其首席执行官可能会公布稳定DRAM芯片价格的计划，集团也正在探索替代能源。

当地时间3月16日，美光在官网宣布公司已于2026年第一季度开始批量出货其HBM4 36GB 12H内存。该产品专为NVIDIA Vera Rubin平台设计，实现了超过11Gb/s的引脚速度，带宽超过2.8TB/s。相比其上一代HBM3E，带宽提升了2.3倍，能效提升超过20%。为了进一步提升HBM立方体的容量，美光将16颗HBM芯片堆叠在一起，并已向客户交付了HBM4 48GB 16H的样品。与HBM4 36GB 12H产品相比，每颗HBM芯片的容量提升了33%。

美光近日宣布，已完成对力积电位于中国台湾苗栗县铜锣乡的P5晶圆厂收购案，交易金额18亿美元。该厂拥有约30万平方英尺12英寸晶圆厂无尘室，将用于支持美光扩大包括HBM在内的先进DRAM产品供应，以满足人工智能驱动的市场需求。美光计划于2026财年底前启动第二座晶圆厂建造工程，再增27万平方英尺无尘室空间，预计2028财年起可支持规模出货。力积电在移交设施的同时，将依约为美光提供HBM后段晶圆制造代工，并推进存储器制程技术合作。这一战略转型有望为力积电3D AI代工新事业注入强劲成长动能。

据韩媒援引业内人士消息称，三星电子正在评估将2nm工艺技术应用于第七代HBM4E的基片，从而提升其技术竞争力。这种涵盖存储器、逻辑和封装的架构正成为AI半导体时代的关键优势。

据韩媒援引业内人士消息称，三星电子正在与英伟达合作加速开发下一代NAND闪存芯片。三星半导体研究院、 英伟达和佐治亚州理工学院的联合研究团队开发出一种“物理信息神经算子（PINO）”的模型，能以比传统方法快10,000倍以上的速度分析铁电基NAND器件的性能。该研究成果已于6日在学术界发表。基于相关研究成果，三星正与英伟达合作开发和商业化铁电NAND闪存。

群联旗下企业级应用品牌PASCARI博思锐已在电商平台开设店铺，首款上架产品为数据中心级SATA固态硬盘SA53P，搭载国产3D TLC NAND闪存。该产品采用标准2.5英寸外形规格，厚度7mm，拥有1DWPD的耐久等级，顺序读写速度分别可达530MB/s和500MB/s，随机读写性能分别为98K IOPS和39K IOPS，并提供5年有限保修服务。据悉，目前上架的PASCARI SA53P固态硬盘包含480GB/960GB/1920GB/3840GB四种容量版本。

据外媒报道，三星电子正面临成立以来最大规模的罢工危机。由于薪资谈判最终破裂，代表约8.9万名员工（占公司总人数60%以上）的三星电子工会联合斗争本部宣布，将于3月9日至18日举行全员罢工投票，若投票通过，工会计划在4月23日举行成员集会，并于5月21日至6月7日举行为期18天的全国总罢工。目前三星正全力为英伟达下一代AI加速器供应HBM4内存，5月的罢工节点极可能打乱出货节奏，导致良率下降或产出减少。

3月10日，SK海力士宣布，已成功开发基于第六代10nm级（1c）工艺的16Gb LPDDR6 DRAM内存产品，专为搭载端侧AI的智能手机、平板等移动设备设计。该产品于今年1月CES展会首次亮相，目前已完成全球首个1c工艺LPDDR6开发验证，计划上半年完成量产准备，下半年正式供货。相较于上一代LPDDR5X，其数据处理速度提升33%，功耗降低20%以上，将大幅优化移动设备AI体验与续航表现。

群联电子公布2025年第四季合并财报暨2月营收公告。2025年第四季，公司合并营收达新台币227.99亿元（折合人民币约49.52亿元），同比增长81.3%，创单季历史新高；本期净利新台币46.29亿元（折合人民币约10.05亿元），同比增长93.6%。2025年全年，公司合并营收达新台币726.64亿元（折合人民币约157.83亿元），同比增长23.3%；净利新台币87.41亿元（折合人民币约18.99亿元），同比增长9.9%。2026年2月，当月合并营收为新台币121.98亿元（折合人民币约26.49亿元），同比飙升170%；1-2月累计营收为新台币226.5亿元（折合人民币约49.20亿元），同比增长180%，均刷新历史同期新高。

长江存储官网日前上线了旗下首款 PCIe 5.0 商用SSD——PC550。据官网介绍，PC550是长江存储专为AI PC打造的PCIe 5.0商用消费级固态硬盘。该硬盘采用X4-9070闪存芯片及四通道方案，相比八通道方案降低了SSD的功耗与发热，满载功耗低于6W，休眠功耗低至3mW，使其更契合笔记本电脑的散热环境，同时提升设备续航能力。PC550 可选512GB、1TB、2TB三个容量版本，顺序读写速度分别可达 10,500MB/s、10,000MB/s，随机读写速度均可达 1300K IOPS（1TB 版本）。

南亚科技披露2026年2月业绩，公司合并营收为新台币156.07亿元（折合人民币约33.93亿元），同比暴涨586%，环比增长1.9%，连续四个月创历史新高。从累计看，2026年1-2月，合并营收为新台币309.17亿元（折合人民币约67.21亿元），同比暴涨597%。南亚科目标在2026年实现两位数百份比的年度晶圆出货增长，预计平均销售价格增长将持续并延续至2026年第二季。

南亚科技近日首度对外揭露定制化AI内存研发进度，公司开发的 UltraWIO（超宽输入输出介面）架构内存已与多家逻辑IC厂合作，部分产品进入试产阶段，预计下半年将有更多具体成果 。该技术通过大幅增加资料通道数以提升AI运算效率，未来将采用3D堆叠与先进封装技术，瞄准AI PC、AI手机等边缘AI装置市场，在标准DRAM之外开辟定制化新战场 。