据韩媒报道，SK海力士已正式启动其位于美国印第安纳州的半导体生产基地建设，项目投资额达5.7万亿韩元（约合39亿美元）。这是SK海力士在美国的首家半导体工厂。据业内人士透露，SK海力士于近日通知当地社区，将开始桩基施工，预计上部结构将于今年下半年开始搭建。据悉，该基地计划于2028年下半年全面投产，预计第七代和第八代高带宽内存（HBM4E、HBM5）可能成为主要产品。

SK海力士22日宣布，在韩国清州科技城工业园区举行P&T7项目的奠基仪式。该项目是一座专用于生产人工智能存储产品（例如 HBM）的先进封装工厂，投资数万亿韩元，将建于清州科技城工业园区内，占地约 23 万平方米。工厂将拥有三层 WLP工艺线，总面积约 6 万平方米，以及七层 WT（晶圆测试）工艺线，总面积约 9 万平方米，仅洁净室面积就将达到约 15 万平方米。破土动工后，工厂将立即开工建设，WT 生产线预计将于 2027 年 10 月竣工，WLP 生产线预计将于 2028 年 2 月竣工。

大普微在互动平台表示，根据招股说明书披露，截止报告期，公司已实现对海外客户Google等客户的产品销售，2025年已通过Nvidia、xAI两家全球AI头部公司测试导入，后续有望逐步放量。此外，公司PCIe 6.0主控芯片及SSD产品已在研发中。全球PCIe 6.0企业级SSD产品业界距离正式规模商用仍需要一段时间。

4月21日，铠侠（Kioxia）宣布推出面向PC OEM厂商的EG7系列固态硬盘（SSD）。该产品为公司首款基于BiCS8 QLC技术的客户端存储方案，采用无DRAM HMB技术，支持PCIe 4.0与NVMe 2.0d规范，提供512GB/1024GB/2048GB三种容量，最高顺序读写达7000MB/s和6200MB/s。EG7系列目前正向部分PC OEM客户提供样品，搭载该SSD的PC预计将从2026年二季度开始出货。

在NAB 2026展会上，闪迪发布了新一代至尊超极速CFexpress 4.0 Type B存储卡。该系列存储卡提供128GB / 256GB / 400GB/1TB/2TB/4TB六种可选容量规格，顺序读写速度最高达3700MB/s和3500MB/s。闪迪还同步推出了容量达2TB的SANDISK Extreme PRO SDXC UHS-II存储卡，包含V90和V60两种速度等级版本，最高提供2TB容量规格。其中，V90读写速度最高达310MB/s和305MB/s；V60读写速度最高达300MB/s和250MB/s。相关产品预计于2026年三季度上市。

江波龙（301308.SZ）4月17日在投资者互动平台表示，UFS4.1 已成为当前旗舰智能手机的主流存储配置，应用前景广阔。公司已与闪迪（SanDisk）等多家原厂达成 UFS 产品商业化合作，并积极探索高端存储产品在端侧 AI 领域的应用

近日，美光在官网产品目录中添加了新款24Gb GDDR7 DRAM，即3GB模块。其中，速率为28Gbps的产品已量产，速率为32Gbps的产品已出样。

据韩媒报道，三星已停止接受部分低功耗移动DRAM产品的新订单，受影响的产品包括LPDDR4和LPDDR4X。公司近期已完成最后一批订单的交付，在完成之前已收到的订单后，相关产品将正式停产。考虑到最终订单的时间安排，LPDDR4和LPDDR4X的生产预计将持续到今年年底。随着库存逐步耗尽，三星预计将转向LPDDR5，生产线可能会从明年第一季度开始改造。

据外媒报道，OpenAI已开始与三星电子建立独立​​的合作渠道，以确保高带宽内存（HBM）的供应，推进其Titan芯片战略。业内人士透露，OpenAI首席财务官Sarah Friar上个月访韩期间，与三星电子高管进行了私下会晤，深入探讨了第六代HBM（HBM4）的供应和产能扩张问题。据悉，双方就HBM4量产时间、供应稳定性以及中长期合作架构交换了意见。

据媒体报道，三星计划在部分Galaxy S27系列机型上，引入UFS 5.0存储，接口速率达10.8GB/s，性能逼近PCIe NVMe Gen 5标准。若研发顺利，Galaxy S27 Ultra将成为首款搭载该标准的量产机型，为端侧AI运算提供更强硬件支撑。

佰维存储第一季度实现营业收入68.14亿元，同比增长341.53%，环比增长44.14%；实现归属于上市公司股东的净利润28.99亿元，同比扭亏为盈，环比增长252.41%。该季度佰维存储人工智能新兴端侧存储产品收入约11.75亿元，同比增长496.45%，环比增长53.19%。

威刚推出URBAN TAPSAFE移动固态硬盘（pSSD），为URBAN都市生活系列首款产品。该pSSD采用20Gbps的USB3.2Gen2×2接口，可选1000GB与2000GB两种容量，顺序读写速率均至高可达1900MB/s，享受5年有限保固。

三星电子宣布推出新款T7 和T9 microSD存储卡，对其可移动存储产品线进行了重大更新，采用了更清晰的命名策略并提升了性能等级。三星T7 microSD存储卡定位于日常高可靠性扩展存储，提供128GB、256GB、512GB和1TB四种容量选项，最高170MB/s顺序读取速度。T9 microSD存储卡专为高性能应用而设计，提供128GB、256GB和512GB三种容量选项，具备最高200MB/s的读取速度。新品将于2026年4月30日面向消费者发售。

据韩媒报道，三星电子的1c DRAM良率已超过80%，达到所谓的"成熟良率”。然而，三星HBM4 DRAM的良率目前仍低于60%，当前的计划是在今年下半年将HBM​​4 DRAM的良率提升至接近完工的水平，旨在提高对包括英伟达在内的主要人工智能客户的需求响应速度。

据媒体报道，三星电子目前2nm工艺制程的良率仍低于60%的量产门槛，约为55%。若进一步纳入后端加工环节，考虑性能分级及后端封测流程带来的良率损失，以最终成品计算，三星2nm的实际良率将降至约40%。值得注意的是，2025年下半年，其2nm良率仅为20%。不到一年时间提升至接近55%，进步幅度显著。但只有当良率稳定突破60%甚至更高，才能吸引关键客户下达大规模订单。

4月13日，南亚科技召开2026第一季度法说会。总经理李培英博士指出，公司第一季DRAM平均售价（ASP）季增超过70%，年增超过2倍。对于近期DRAM现货市场价格出现松动的情况，此次价格回档仅为短期修正，并非产业基本面反转，待库存与价格回归合理区间后，市场将重新聚焦AI驱动的长期需求。李培瑛认为，DRAM Q2的价格将优于Q1，涨幅确定为双位数区间，尽管未来涨幅可能有所收敛，但整体涨势稳健。从供需格局来看，当前DRAM市场供需吃紧的态势预计将延续至2027年。

4月13日，南亚科技公布第一季度财报。2026年第一季度，公司营收490.87亿元新台币（折合人民币约105.44亿元），环比增长63.1%，同比增长582.9%，毛利率67.9%，环比增长18.9个百分点，较去年同期转正；营业利润率61.3%，环比增长22.2个百分点，较去年同期转正；营业净利润301.11亿元（折合人民币约64.68亿元），环比增长155.6%，较去年同期实现扭亏为盈。

4月13日，慧荣科技在台北南港举行了台北企业总部新建工程的动土典礼。新大楼预计于2030年启用，届时有望与新竹竹北总部形成“台北竹北双城运营架构”。慧荣科技董事长周邦基在致辞中表示，未来将通过串联台北与竹北两大据点，提升公司整体运营与研发效率。

德明利（TWSC）于4月9日正式推出首款自研企业级固态硬盘（eSSD）主控芯片 H3361，标志着公司在存储上游核心部件领域实现关键突破。
该主控核心亮点为PCIe NVMe 与 SATA AHCI 双模支持，可复用同一 PHY 接口，通过相同 PCB 设计经板级跳线与固件配合完成模式切换，兼顾兼容性与灵活性。性能上，PCIe 模式下支持 Gen3×2 带宽，符合 NVMe 1.3 协议；同时兼容 SATA 3.0 标准，适配企业级存储多样化场景需求。

京元电子公告，董事会通过提高今年资本支出，由393.72亿元（新台币，下同）提高至500.00亿元，创下历史新高。京元电子表示，上修资本支出主要是为配合营运需要以备产能扩充需求，资金来源为自有资金及融资。

据媒体报道，铠侠（Kioxia）正与一家大型云服务、虚拟服务器服务提供商洽谈一项为期三年的长期供货协议（LTA），有效期至2029年。虽然长期协议（LTA）传统上主要集中在高带宽内存（HBM）和通用DRAM领域，但现在已扩展到NAND闪存。

联芸科技发布公告称，拟定增募资不超20.62亿元，用于面向数据中心与智能终端的新一代数据存储主控芯片系列产品研发项目。其中包括企业级PCIe Gen6 SSD主控芯片、企业级PCIe Gen7 SSD主控芯片、消费级PCIe Gen6 SSD主控芯片、UFS 5.0嵌入式存储主控芯片，以及补充流动资金。

近日，Wasabi宣布从希捷（Seagate）收购其云存储业务Lyve Cloud。根据协议条款，希捷也成为了Wasabi的股东，但其他财务条款未予披露。希捷首席财务官Gianluca Romano表示，此次交易符合希捷专注于其核心大容量存储业务的战略重点，旨在满足不断增长的数据存储需求，同时确保Lyve Cloud客户继续通过Wasabi这一专业的独立云存储供应商获得卓越支持。

通富微电公告称，本次向特定对象发行股票的募集资金总额不超过422,000万元（含本数），扣除发行费用后拟全部用于存储芯片封测产能提升项目、汽车等新兴应用领域封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目、补充流动资金及偿还银行贷款。