CFM闪存市场近日发布2026年第三季度存储市场展望报告。报告指出，预计2026年三季度，服务器DDR5、eSSD价格环比涨幅将分别落在10%~20%、25%~30%区间；Mobile LPDDR4X/5X、eMMC/UFS价格涨幅分别约5%~15%、15%-25%；PC DDR5/LPDDR5X涨幅预计约13%-18%，cSSD涨幅约15%~25%。
CFM闪存市场2026年价格环比幅度预测：
来源：CFM闪存市场。注：最终实际情况可能存在调整，因各供应商拟定基准价不同，最终幅度会有差异。
七彩虹宣布推出全新 PRIME 系列存储产品，该系列专为 B 端行业客户打造，涵盖固态硬盘及内存模组，主打 1:1 专属客户服务与 BOM 长期供应承诺，确保产品规格与供货周期稳定，降低客户因存储资源紧缺带来的供应链风险。PRIME 系列产品将面向国内及海外 B 端客户同步供应，明确不涉及消费类零售渠道。
据外媒报道，Rubin Ultra GPU原版的四Die方案已被取消，原因是台积电目前尚无法解决制造工艺的限制。最终将于2027年出货的Rubin Ultra GPU的计算能力和内存带宽都将约为原先公布方案的一半。据悉，NVIDIA 预计将采用“2+2”板级配置，在Kyber机架系统的单个刀片上集成两块双die的 Rubin Ultra GPU。这种方法在机架级而非单个封装内实现四die，显著降低了制造难度，提高了良率，并降低了单位成本。
据媒体报道，三星电子首席技术官兼半导体研究所所长Song Jae Hyuk在DS部门内部经营说明会上表示，HBM4E的可靠性测试良率已提升至70%以上。下一代DRAM工艺开发方面，Song Jae Hyuk表示D1d工艺的技术竞争力已领先于竞争对手，并以今年11月取得生产准备认证（PRA）为开发目标。
兆易创新推出全新GD24CL系列I²C通信接口的EEPROM，首发容量为256Kb。该产品能够切实满足工业、电表、能源、数字基础设施等领域对关键配置信息长期、稳定保存的严苛需求。
据韩媒THE ELEC援引业内人士消息报道，SK海力士正与设备供应商洽谈清州P&T7工厂的半导体测试设备供应事宜。目前，设备供应商正在协调明年的预计交付量。据估计，该工厂将需要约200台测试设备，其中包括HBM4测试仪。按每台设备15亿至20亿韩元的单价计算，设备总价值可能高达4000亿韩元（折合人民币约17.44亿元）。业内人士表示，SK海力士最初计划今年订购约200台测试设备，但后来减少了订单量，并将部分订单推迟到下半年，推迟的需求可能会集中在明年的P&T7项目中。
小米汽车公布数据显示，6月交付量持续超过30000台。至此，小米汽车已连续三个月（4月、5月、6月）单月交付量稳稳站上3万台台阶。
亚马逊旗下云端业务AWS宣布，将投入10亿美元成立新部门，专门提供forward-deployed engineers服务，即派遣工程师小组进驻客户公司，协助企业更快采用人工智能软件。新部门由亚马逊AWS前沿AI工程与服务副总裁Francessca Vasquez领导，初期计划配置数千名工程师，每次派驻约45日，旨在将AI部署周期从数月压缩至数日。
存储芯片概念快速拉升，截至发稿，江波龙涨超6%，德明利、佰维存储涨超3%，大普微涨超2%，联芸科技涨近2%。
当地时间6月30日，美股三大股指全线收涨。截至收盘，道琼斯工业指数涨幅0.26%，报52319.20点；标普500指数涨幅0.79%，报7499.36点；纳斯达克综合指数涨幅1.52%，报26213.72点。其中，大型科技股涨跌互现，AMD涨超7%，英伟达、苹果涨超2%，微软、谷歌A涨超1%，谷歌C涨0.58%，高通跌超2%，亚马逊跌0.75%；存储板块涨跌不一，闪迪涨超10%，美光涨0.79%，西部数据跌超2%，希捷跌0.36%。
据外媒报道，三星晶圆代工在2025年初短暂暂停1.4nm半导体制造技术的商业化后，已恢复该技术的商业化。鉴于其2nm芯片制造工艺（SF2和SF2P）目前进展顺利，公司正推进1.4nm工艺的先进开发。据悉，三星已对相关进度进行了一些调整，新的时间表已从2027年推迟到2029年。三星晶圆代工已邀请应用材料和Lam Research等合作伙伴启动定制芯片制造设备的先进研发工作，相关设备将交付至三星NRD-K园区。
据外媒援引知情人士消息，受成本上涨、芯片等零部件严重短缺的持续重压，小米、OPPO、vivo 等国内主流手机厂商已告知供应链厂商，将再度下调本年度出货目标，其中小米将下调30%至约9500万部。
江波龙宣布已建设完成mSSD月产能百万级交付能力，具备稳定且规模化量产交付条件，可充分匹配市场增量需求，后续产能仍具备持续扩容、翻倍释放的空间。
三星电子发布名为 “包括沿垂直方向堆叠的多个半导体芯片的半导体封装”的HBM封装新专利，旨在解决高带宽内存（HBM）封装的可靠性问题。据其28日提交的申请显示，三星电子采用“深槽切割”工艺，将堆叠在HBM顶部的虚拟芯片的侧面加工成三级阶梯状曲面结构，这种方法可以有效改善高堆叠HBM中常见的芯片分层、开裂和翘曲等问题。另外，热管理方面，该专利将粘合绝缘层底面与水平延伸面之间的垂直距离精确设计在1-10微米之间，使传热效率保持在现有水平；还包含一种改进的凸起表面结构，可最大限度地减少成型层的体积，从而有可能改善传热路径。
据外媒报道，为突破现有 CXL 套件限制，实现单服务器多类型内存混合使用，Meta开发了一项名为“Vistara”的内存复用技术，可将旧服务器拆下的DDR4内存重新接入新服务器，并借助自研CXL（Compute Express Link）技术在不同应用之间共享内存，同时尽量降低跨应用共享带来的额外时延。据悉，Vistara ASIC 的核心设计是通过符合 CXL 2.0/1.1 标准的 PCIe Gen5 x16 接口将 DDR4 内存连接到主机处理器，Meta已将这种CXL技术应用于拥有数百万台服务器的超大规模基础设施。
据业界消息，聚辰股份已向其经销商下发通知，全系列NOR Flash产品价格将于2026年7月6日起适度上调，调整幅度为在现有价格基础上调25%。聚辰股份表示，所有新签订单及未交付订单的未执行部分均按新价格执行。
英伟达机器人团队围绕具身智能、仿真、部署及解决方案架构四大核心方向开放招聘，北京、上海、深圳三地均设有岗位。英伟达表示，团队意在推动机器人从实验室走向产业落地，加速智能自动化在各行业的应用，致力于实现具身智能机器人落地真实世界。
AMD正式推出Versal™ Premium Gen 2 内存封装（MoP）自适应SoC。该架构将高达32GB的LPDDR5X内存直接集成于单一封装内，可提供最高288GB/s的带宽，同时节省高达60%的电路板面积。这一设计让工程师无需承担板级内存设计的风险与耗时，即可轻松构建高带宽系统。
6月30日早间，截至发稿，德明利、大普微跌超4%，佰维跌超3%，江波龙、兆易跌超2%，联芸逆势走高涨超1%。盘面上，兆易创新昨晚发布股票交易风险提示的公告称，股票价格短期累计涨幅较大，未来可能存在股价快速回落风险。
6月30日早盘，韩国股市短线跳水后回升，韩国KOSPI指数盘中跌幅一度扩大至2%。截至发稿，韩国KOSPI指数回升，跌幅收窄至0.03%；三星涨超1%，SK海力士跌近1%。
【CFM研究】存储价格在下半年将进一步上涨！
