联芸科技发布半年度报告。公告显示，半年度营业收入854,109,397.31元，同比增加40.08%；归属上市公司股东的净利润519,551,700.50元，同比增加825.54%；归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润56,525,153.84，同比增加61.07%。

自今年二季度起，eMMC市场需求明显转弱，甚至Q3低迷市况更加严重，客户库存高企下对于新一轮的备货较为谨慎，甚至部分客户延迟提货；不仅如此，上下游产业链各方在现货贸易市场释放出大量此前囤积的64GB eMMC产品库存，加上市场个别报价偏低，存储厂商出货普遍承压，本周32GB、64GB eMMC产品价格小幅调降。

LPDDR方面，相对于eMMC，LP4X/5X近期受资源成本上涨的压力更加巨大，尤其是48Gb以上容量的LP4X成品与资源严重倒挂，但客户降容早已成常态，大容量LP产品出货相对更加艰巨，本周48Gb、64Gb LP4X产品价格下修。而随着资源价格持续上涨，海外原厂LPDDR Wafer价格已高达2美金/Gb（考虑良率的情况下），个别存储厂商已难以接受当前高价。具体来看：

LPDDR：LPDDR4X 64Gb 跌 2.04% 至 $96.00，LPDDR4X 48Gb 跌 2.63% 至 $74.00

eMMC：eMMC 32GB 5.1 跌 4.35% 至 $22.00，eMMC 64GB 5.1 跌 4.26% 至 $22.50

eMCP：eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb 跌 0.60% 至 $82.50，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 跌 1.87% 至 $105.00

UFS：UFS 2.2 64GB 跌 7.41% 至 $25.00

uMCP：uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)6GB+128GB 跌 1.83% 至 $107.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+128GB 跌 3.73% 至 $129.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+256GB 跌 3.11% 至 $156.00

由于design in资源价格仍坚挺在高位使得生产成本居高不下，当前行业SSD价格处于历史峰值，而高昂的价格也导致部分行业客户提货放缓，除头部PC OEM以外的其他客户释放的新订单十分稀少，未来一个月内在承受巨大业绩压力的同时，存储厂商坚持稳价这一方针下来推动出货将尤其艰难。本周行业市场SSD及内存条价格持平。

6月份以来，受DDR5资源涨价影响，加上本身上游供应较为有限，渠道DDR5内存条已多次跟调价格；近两周以来渠道DDR4资源价格也正小幅抬升，但短期难以对相关成品形成有效带动。SSD方面，近期个别渠道存储厂商出现较激进的竞价出货动作，但尚未有大规模其他厂商跟进降价，因此，本周渠道SSD价格暂时持平。

据CFM闪存市场报价，上游资源方面，Flash Wafer、DDR4及DDR5颗粒价格持平。

三星DRAM设计团队负责人Sangwook Han日前在Hot Chips 2026大会上透露，三星正在筹备出货单引脚速率高达16Gbps的HBM4E内存。目前，三星已向客户交付单引脚速率14Gbps的HBM4E工程样品。在2048引脚配置下，14Gbps版本单堆叠最大带宽可达3.6TB/s；而当速率提升至16Gbps时，单堆叠最大带宽将跃升至4TB/s。考虑到每个AI加速器或GPU通常搭载十余个HBM堆栈，HBM4E的带宽升级将为下一代AI芯片提供极为可观的总内存带宽。

小米日前发布玄戒O3，这是全球首款支持LPDDR6的旗舰处理器。据细，长鑫LPDD6将作为国产内存首发搭配玄戒O3，正式落地商用。长鑫LPDDR6单颗粒容量16Gb，芯片容量16GB，与SoC协同运行的基础速率为10667Mbps，最高速率可达12800Mbps，封装为1295 Ball的POP形式，在低功耗设计、RAS功能上较LPDDR5X产品有明显优化提升。据悉，长鑫已于今年3月向关键客户送样LPDDR6，8月验证工作接近尾声。

大普微发布2026年半年度报告。报告显示，2026年上半年营收47.22亿元，同比增长531.17%；归属于上市公司股东的净利润为13.34亿元，上年同期亏损3.54亿元，实现扭亏为盈，同比增长477.08%；扣除非经常性损益后的净利润为13.31亿元，上年同期亏损3.61亿元，同比增长468.13%。按季度看，第二季度营收为34.13亿元，环比增长160.55%，归属于上市公司股东的净利润为9.64亿元，环比增长160.64%，扣除非经常性损益后的净利润为9.63亿元，环比增长161.93%。

据韩媒inews24报道，SK海力士工会就2026年工资和集体谈判协议的暂定协议进行的投票于25日上午9点结束，结果显示50.08%投了反对票，49.92%投了赞成票，关于绩效奖金支付方式的重新谈判已不可避免。鉴于工会成员对薪资补贴的支付方式而非工资增长率存在严重分歧，如何调整现金与库存股支付的比例将成为重新谈判的关键问题。

8月25日，日经225指数和韩国KOSPI指数开盘下跌。截至发稿，日经225指数跌0.96%、韩国综指跌超3%。存储概念个股方面，截至发稿，三星跌超2%，SK海力士跌超5%，铠侠跌超7%。

据韩媒报道，三星电子已敲定今明两年在中国国内最先进的NAND闪存改造投资计划。自今年上半年以来，三星电子一直在其位于西安的X2生产线上进行V9 NAND闪存的改造投资。三星电子的V9 NAND闪存是一款采用280个堆叠单元的先进产品，预计每月产能可达4万至5万片晶圆。据报道，三星电子正在敲定追加投资计划，以加强其晶圆厂的V9 NAND闪存产能。该计划的核心是引进额外的蚀刻工艺设备，而蚀刻工艺是NAND闪存制造的关键环节。据悉，三星电子决定从明年下半年开始追加投资，以确保V9 NAND闪存的稳定量产，相关设备的采购订单预计也将在今年年底左右落实。

据业界消息称，美国政府可能考虑允许苹果向长鑫存储及长江存储采购存储芯片，消息称苹果正测试长鑫科技的DRAM产品以及长江存储的NAND模组，显示两者进入苹果供应链的可能性正在升高。若后续进入供应链，预计主要用于在中国市场销售的苹果设备。

据韩媒heraldcorp报道，SK海力士近日重申，其12层HBM4产品的量产工作正在正常进行，16层产品已进入认证阶段，此外，SK 海力士提出了一项计划，在现有的 MR-MUF方法之外应用混合键合技术，为未来 HBM 层数增加到 20 层或更多做好准备。

据外媒报道，美光公司 HBM 设计架构研究员 Raghu Sriramaneni近日在演讲中表示，人工智能的计算性能每两年大约提升三倍，但同期高带宽内存 (HBM) 的带宽增长却不到两倍。限制 AI 性能的‘内存墙’实际上可能会加剧。

据韩媒报道，尽管AI驱动的内存需求加剧了DRAM的供应短缺，但预计三星电子今年下半年的增产速度将低于市场预期。这主要是因为三星电子优先考虑从10nm第五代（1b）工艺向10nm第六代（1c）工艺的过渡，更加注重提高良率而非扩大产量。据报道，自全永铉副会长上任以来，公司一直在重新审视所有产品的工艺和设计，并主动调整产能运营速度，从第五代DRAM开始，朝着提升良率稳定性的方向发展。

8月24日，日韩股市双双低开。截至发稿，日经225指数由跌转涨至0.02%、韩国综指跌超1%。存储概念个股方面，截至发稿，三星跌超6%，SK海力士涨超1%，铠侠涨超3%。

8月21日晚间，上交所官网更新审核状态，长江存储控股股份有限公司科创板IPO申请正式获得受理，保荐机构为中信证券、中信建投证券，本次拟募集资金总额330亿元。

招股说明书显示，长江存储自2024年扭亏后盈利水平快速提升，2026年1—3月实现营业收入470.42亿元、归母净利润333.79亿元。

存储模组厂十铨科技近日表示，近年其营运结构已有明显转变，过去游戏市场占营收比重约70%至80%，目前企业级、SI及工控等B2B业务占比已达约65%。由于工控、军工及医疗等客户更重视长期供货稳定度，目前部分客户订单能见度已延伸至2027年底，也有些客户预付订金锁料。

在产能规划上，十铨科技2026年另规划新增2条产线，整体产能预计提升35%至40%。同时，十铨维持约4-5个月安全库存水位，第二季底库存金额约130多亿元新台币，并替工控、军工及医疗等策略型客户预先备料，以因应存储供应吃紧及长单需求。

创见宣布推出全系列DDR5-7200工业级内存模组，凭借极速传输、稳定运作与多元规格配置，满足新一代计算平台对效能与数据处理能力的更高需​​求。产品线涵盖CUDIMM、CSODIMM、ECC CUDIMM、ECC CSODIMM及RDIMM，应用范围从AI PC、台式电脑与工业嵌入式系统，延伸至工作站、服务器及数据中心。最高达7200 MT/s的传输速率可大幅提升内存带宽和数据处理效率，并兼顾低功耗与系统可靠度，协助客户加速部署AI计算、边缘计算与高负载多工处理平台。

据台媒报道，FADU商务长金泰均（Tony Kim）近日表示，存储短缺情况至2027年仍难明显改善，主要是因为新增产能从投资、建厂到量产需要时间。FADU产品布局已由PCIe Gen5延伸至Gen6、Gen7。据悉，Gen6控制器今年上半年完成chip out，预计下半年起出货；Gen7设定传输效能目标达每秒57GB，针对数据处理需求重新设计架构，目前正与客户讨论规格，预计2028年开始送样验证。

美光宣布成立美光研究实验室，这是一个总部位于美国爱达荷州博伊西的、着眼长远的顶级研究机构，未来十年将获得100亿美元的投资支持。其主要研究领域包括关键存储技术、先进的存储和计算架构、封装以及未来半导体制造。该实验室位于博伊西，并与美光在美国、欧洲、日本、印度、新加坡和台湾的研发和技术网络紧密相连，旨在将美光的研究人员与外部专家和研究伙伴联系起来，加速从科学发现到实际应用的转化进程。

据韩媒报道，Primemas正与美光科技合作，推出基于CXL技术的全内存业务，容量超过100TB。通过参与美国政府支持的人工智能和高性能计算(HPC)项目，该公司将加大力度拓展全球市场，其目标是在明年年底前实现2亿美元的营收。Primemas表示，与美光的合作围绕JBOM（just a bunch of memory）展开，预计今年四季度开始量产采用JBOM系统的扩展卡（AICs），通过CXL交换机将扩展卡连接起来。

8月21日，日经225指数和韩国KOSPI指数开盘下跌。截至发稿，日经225指数跌幅收窄至0.96%、韩国综指由跌转涨至0.38%。存储概念个股方面，截至发稿，三星涨0.37%，SK海力士涨超3%，铠侠涨超1%。

据韩媒Newspim报道，SK海力士正在美国硅谷组建精英级HBM设计团队，加强与全球大型科技公司的"联合设计"合作体系。此举标志着HBM行业正从传统的"成品供应"模式，转向从客户下一代AI芯片开发阶段就深度参与的协同研发模式。

日经225指数收涨1.36%，报66216.79点。韩国综指收涨5.89%，报6852.58点。存储股方面，铠侠涨超6%，SK海力士涨近13%，三星电子涨超9%。

据韩联社报道，SK海力士管理层和劳工就2026年工资和集体谈判事宜达成了初步协议。SK海力士已初步同意超额利润分配金（PS）的60%以股票形式发放、剩余40%以现金形式发放；工资涨幅确定为6.3%。其中，40%的股票可在当年出售，另外20%实行递延解锁。据悉，工会计划尽快举行投票，以最终敲定该协议。

据韩媒报道，忠清南道于19日宣布，已完成城市规划委员会对三星电子在牙山温阳园区扩建半导体制造厂的必要审议。该扩建项目投资额达6万亿韩元，是在温阳园区内占地389,825 平方米的地块上建造一座新工厂，以扩大高性能AI半导体（如HBM）的生产。据悉，该投资是“韩国大跃进三大项目”中的首个项目。三星电子计划下个月开始建设新工厂，竣工日期尚未公布。 

据韩媒报道，三星电子将扩建并新建位于京畿道平泽半导体基地核心的“P5 1 和 2 工厂”，将现有的“双层晶圆厂”结构升级为“三层晶圆厂”。此举旨在顺应全球人工智能半导体和存储器“超级周期”的趋势，最大限度地提高产能。该产业园区规划修正案需经京畿道知事审核，并由国土交通部产业选址政策审议委员会批准后方可最终生效。

近段时间来，LP4X/5X资源涨价仍在持续，在考虑良率的情况下，单资源成本已高达$1.90/Gb以上，尽管当前多数LPDDR成品售价与资源成本倒挂，但低端LP产品持续以低价吸引终端客户，甚至出现部分客户倒卖库存加剧市场混乱，存储厂商短期内无法将资源价格上涨传导至成品，本周LPR4X/5X以及嵌入式eMMC、UFS价格不变。