据外媒报道，苹果正以极高价格囤积市场上所有可用移动DRAM，目的就是阻止竞争对手获取足够芯片。目前这一策略已初见成效：联发科、高通均削减4纳米芯片产量，对应减少1500万至2000万颗移动芯片供应，中低端智能手机市场受影响显著；三星也在韩国上调多款平板及手机售价，间接反映出芯片成本压力。

报道称，南加州大学研究团队成功研发出一款可在700℃高温下稳定运行的新型存储芯片，工作期间未出现任何性能退化，相关成果在《Science》发表。

该芯片采用界面工程优化的忆阻器结构，突破传统存储器件对温度环境的严苛限制。实验显示，芯片不仅能耐受极端高温，还可承受超10亿次开关操作，具备优异的可靠性与耐用性。

兆易创新GigaDevice今日宣布，其新一代大容量SPI NAND Flash闪存GD5F4GM7 (4Gb)/GD5F8GM8 (8Gb) 已进入样品阶段。据悉，这两款产品旨在提供同等容量eMMC 的替代方案，面向智能穿戴、高端路由、安防设备、扫地机器人等领域。GD5F4GM7与GD5F8GM8均采用4KB页面大小设计，支持更高的数据传输速率。其可选1.8V/3.3V两种工作电压，支持工规温度范围，4Gb款支持WSON8 6mm×5mm紧凑封装，待机功耗相比传统叠封方案降低约50%。

中国台湾地区经济部门投资审议会核准台积电在日控股子公司JASM位于熊本县的第二晶圆厂 (Fab23 P2) 从原定的6nm制程工艺升级至3nm制程工艺。该厂月产能15000片12英寸晶圆，预计2028年设备安装设定并开始量产。同时核准台积电向TSMC GLOBAL LTD. 增资300亿美元，用于投资银行定期存款与美元债券以赚取利息、降低外汇避险成本。

德明利发布2026年第一季度业绩预告。公司预计2026年第一季度营收为73亿元-78亿元，同比增长483.05%-522.98%；归属于上市公司股东的净利润为31.5亿元-36.5亿元，上年同期亏损6908.77万元；扣除非经常性损益后的净利润为31.4亿元-36.4亿元，上年同期亏损7495.86万元。报告期内，在供应偏紧的背景下，行业景气度持续上行，存储价格持续上涨，公司依托前期充足的原材料战略储备，盈利能力持续改善，利润水平大幅提高。

3月31日，铠侠再次向客户发出通知，宣布将于2028年停止生产部分浮栅式（Floating Gate）和BiCS FLASH™ Gen3产品。具体涉及的产品包括基于32/24/15nm制程（SLC/MLC/TLC）的浮栅式和BiCS FLASH™ Gen3晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、普通SD。铠侠表示，最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年9月30日，最后出货时间为2028年12月31日。此前，铠侠曾于3月16日向客户宣布停产采用“薄型小尺寸封装”（TSOP）的MLC NAND闪存产品。

根据上交所最新披露的信息，2026年3月31日，长鑫科技集团股份有限公司IPO的状态从已受理变更为中止。

兆易创新近日发布公告，公司及控股子公司2026年度拟向长鑫科技集团股份有限公司及其控股子公司（含长鑫存储技术、长鑫科技（合肥）等）采购代工生产的DRAM相关产品，预计交易额度为8.25亿美元，折合人民币约57.11亿元。此举标志着双方在DRAM领域的战略合作进一步深化。

据韩媒报道，美光已启动一项全新研发计划，旨在开发一款垂直堆叠结构的GDDR内存产品，通过类似HBM的垂直堆叠技术，大幅提升传统显存的性能与容量。这一创新设计有望在标准GDDR与高端HBM之间开辟一条新的技术路径，满足市场对高性能、低成本内存解决方案的迫切需求。据悉，美光计划在今年下半年完成相关设备的安装并进入工艺测试阶段。目前初步确定的方案是进行4层GDDR芯片的垂直堆叠，若进展顺利，首批测试样品最快将于2027年亮相。

3 月 27 日，江波龙在MemoryS 2026峰会上发布两大存储新品，布局端侧 AI 存储。

PCIe Gen5 mSSD采用联芸 MAP1802 主控，DRAM-less 设计，尺寸 20mm×30mm，兼容 M.2 2230，顺序读写最高11GB/s、10GB/s，单盘8TB，配五层立体散热。

SPU（WM8500）为 5nm 智能存储专用单元，支持 
DRAM-less 架构，单盘128TB，集成2:1 存内无损压缩与 HLC 高级缓存，搭配 iSA 存储智能体，优化 AI 模型部署效率。

据韩媒报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近期成功完成工艺制程升级，实现了236层堆叠的第八代V-NAND (V8 NAND)的量产。本次制程升级始于2024年，旨在改造原有的V6 (128L) NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力，满足AI时代对高性能存储设备的需求。三星西安晶圆厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成过渡并实现量产。

2026年3月25日，全球主要市场存储板块多数走强，核心驱动力仍来自AI算力需求爆发及存储芯片涨价周期的持续加持。

A股存储芯片板块表现强势，睿能科技、超颖电子等多股涨停，佰维存储涨9.44%。其日前签订的15亿美元晶圆采购合同进一步提振了市场信心。

日韩股市同步上扬。日经225指数收涨2.87%，铠侠大涨6.37%；韩国KOSPI指数涨1.59%，SK海力士微涨0.91%。

台股加权指数上涨2.54%，权重股台积电涨1.42%，南亚科涨4.62%，存储相关个股整体表现活跃。

佰维存储（688525）3月25日公告，公司与某存储原厂签订15亿美元采购合同，为期24个月（2026年二季度至2028年一季度），标的为特定存储晶圆。合同金额超公司2025年营收与总资产的50%，达到重大合同披露标准。公司表示，此举旨在锁定中长期晶圆供应，稳定采购成本，助力业务稳健发展。

深圳市工信局近日印发《深圳市加快推进人工智能服务器产业链高质量发展行动计划（2026-2028年）》。计划提出，到2028年全产业链产能与出货量实现跨越式增长，核心芯片、存储、PCB、光模块等重点领域全球市场份额显著提升。
存储产品方面，支持开展存储芯片研发及应用，加快存储芯片先进封装技术攻关，重点发展企业级SSD、企业级内存模组等高端存储产品；强化近存封装、存算一体等新型技术研发，提升高端存储供应能力，打造适配大模型训练、超算中心的高端存储产品供给体系。

北京君正3月24日在投资者互动平台表示，由于存储大周期导致的产能结构变化，车规、工业等领域的存储供应十分紧张，目前客户需求旺盛。

据外媒报道，SK海力士将引进价值约12万亿韩元（约合554亿元人民币）、占总资产9.97%的极紫外光刻（EUV）设备，用于下一代DRAM和高带宽存储器（HBM）量产。设备计划从本月起至明年底分期引进，每台设备分次付款。EUV由荷兰ASML独家生产，波长仅为传统ArF光源的1/13，是实现超精细工艺的关键设备，最新款单价约3000亿韩元。相关设备将陆续导入正在建设的清州M15X晶圆厂及龙仁半导体集群首座工厂，后者预计在明年2月洁净室启用后开始设备引进。

据外媒报道，群联电子CEO潘健成近日表示，受AI需求激增影响，存储芯片供需严重失衡，目前公司仅能满足客户三成需求，高达七成的订单缺口无法应对。

潘健成指出，此轮缺货主要由AI数据中心建设驱动，呈现结构性成长，并非传统消费电子周期波动。由于上游制造商扩产谨慎，产能短期难以释放，他预计供应紧张局势将持续。

希捷在官网上架了一款全新的FireCuda X1070 SSD，专为游戏PC和掌机设计。该产品采用M.2 2280规格，支持PCIe 4.0 x4接口和NVMe 1.4协议。FireCuda X1070 SSD采用无DRAM的低功耗存储设计方案，搭载特纳飞TC2201主控芯片，搭配美光232层3D QLC NAND闪存颗粒，提供1TB、2TB 和 4TB三种容量版本。

广颖电通（Silicon Power）昨日正式发布DDR5 RDIMM内存条。产品采用JEDEC标准，工作电压1.1V设置，单条容量提供16GB、32GB和64GB，传输速率支持5600MT/s与6400MT/s。该内存条专为服务器及AI计算环境设计，通过全天候运行可靠性测试，配备镀金触点与SPD EEPROM，提升信号完整性与系统兼容性。所有型号享有限终身质保。

存储大厂铠侠近日向客户发出TSOP封装产品停产通知，涉及1Gb至64Gb容量的SLC与MLC存储芯片。此次停产主要因基板生命周期结束、生产限制及市场需求变化。随着AI数据中心需求爆发，存储厂商正将产能向高性能的QLC技术及企业级SSD倾斜，SLC和MLC因存储密度不具优势逐步被边缘化。业内分析认为，此举将进一步加剧低容量MLC供需失衡（2026年全球产能预计缩减41.7%），推动工控、车用等领域加速向强化版TLC方案过渡。

三星电子宣布，已与AMD签署谅解备忘录 (MOU)，以扩大双方在下一代AI内存和计算技术方面的战略合作。根据该谅解备忘录，三星和AMD将在下一代AMD AI加速器、AMD Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应以及代号为“Venice”的第六代AMD EPYC CPU的先进DRAM解决方案方面达成一致。这些技术将支持结合AMD Instinct GPU、AMD EPYC CPU和机架式架构（例如AMD Helios平台）的下一代AI系统。三星和AMD还将共同研发针对第六代AMD EPYC处理器的高性能DDR5内存。

据韩媒报道，三星电子工会宣布集体斗争行动议案以93.1%的赞成率获得通过，将于5月举行总罢工。分析指出，罢工一旦实施，平泽厂区约一半产能将受冲击，直接影响DRAM与NAND闪存芯片的产能释放。

 美光科技近日在GTC 2026上宣布，已于2026年第一季度开始批量出货专为NVIDIA Vera Rubin平台设计的HBM4 36GB 12H显存。该产品数据传输速率超过11 Gb/s，提供超过2.8 TB/s的带宽，较上一代HBM3E带宽提升2.3倍，能效提升20%。此外，美光已向客户交付HBM4 48GB 16H样品，单颗容量提升33%。

同时，美光推出业界首款量产的PCIe Gen6数据中心SSD（Micron 9650），顺序读取速度达28 GB/s，性能为Gen5两倍，并针对NVIDIA BlueField-4架构优化。专为Vera Rubin设计的192GB SOCAMM2内存也已量产，支持高达2TB内存容量和每CPU 1.2 TB/s带宽。

美光科技发布2026财年第二季度财报，得益于人工智能驱动的内存需求激增，公司营收、毛利率及每股收益均创历史新高。财报显示，美光第二财季总营收达239亿美元，环比增长75%，同比增长196%，连续第四个季度创下营收新高。其中，DRAM营收同比增长207%至188亿美元，NAND营收同比增长169%至50亿美元。公司毛利率达75%，净利润为140亿美元。

美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，内存已成为人工智能时代的战略资产。随着HBM等产品需求旺盛，预计第三财季营收将达到创纪录的335亿美元，毛利率约为81.0%。同时，美光正大力扩产以满足需求，预计第三财季资本支出约为70亿美元。

据外媒报道，受人工智能浪潮推动，2026年AI内存芯片需求预计将持续激增，三星电子正考虑将内存芯片合同转向多年期合约，计划从现行的季度或年度合同延长至三至五年，以稳定供应并缓解市场对关键组件短缺的担忧 。

北京君正在互动平台表示，目前DRAM芯片、Flash芯片和部分计算芯片的价格有调整，DRAM新制程的产品已开始销售，预计今年公司业绩会有较好的增长。

据外媒报道，三星一直向英伟达供应HBM4、SOCAMM2内存模块和PM1763 SSD，现在又通过增加Grok3 LPU芯片的生产，扩大了双方的合作，已确立了其作为下一代人工智能加速器平台所有领域核心合作伙伴的地位。三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片（最底层）采用2纳米工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。

铠侠宣布推出一种全新类型的SSD产品“Super High IOPS SSD”，直译为“超高 IOPS SSD”。该产品可使GPU直接访问高速闪存，作为人工智能系统中高带宽内存（HBM）的扩展。这款全新超高IOPS SSD归属于KIOXIA GP系列，专为满足人工智能和高性能计算日益增长的性能需求而设计，可提供更大的GPU可访问内存容量，从而加快人工智能工作负载的数据访问速度。KIOXIA GP系列的评估样品将于2026年底前提供给部分客户。

在NVIDIA GTC 2026 大会上，三星全面展示了其在AI计算领域的技术布局，展出了从高性能内存到面向个人设备的低功耗解决方案的全系产品。三星首次展示了其下一代HBM4E内存。该产品每引脚传输速度可达16Gbps，带宽高达4.0 TB/s。此外，三星还展出了其混合铜键合（HCB）技术，这项新技术将使下一代HBM能够实现16层或更多堆叠，同时与热压键合相比降低20%以上热阻。

据外媒报道，韩国SK集团董事长崔泰源表示，由于人工智能驱动的需求持续超过供应，全球芯片晶圆短缺的情况可能会持续到2030年。在加州圣何塞举行的英伟达GTC大会间隙，崔泰源接受记者采访时表示，SK海力士正在考虑在美国上市ADR，以扩大其全球投资者基础；同时，其首席执行官可能会公布稳定DRAM芯片价格的计划，集团也正在探索替代能源。