近日，紫光西部数据有限公司发生工商变更，企业名称变更为“紫光闪迪存储技术有限公司”。资料显示，该公司成立于2016年3月，法定代表人为章雷，注册资本1.29亿美元，主营企业级、消费级磁盘存储、固态存储及车规级存储芯片等产品与解决方案，现由紫光股份、Sandisk Corporation共同持股。

据外媒报道，英伟达CEO黄仁勋近日在受访时表示，他认为2029年前后内存市场出现供应过剩的可能性较低。谈及内存需求的长期前景时，黄仁勋指出，内存的一大特点在于其使用量仍有持续增长的空间。“内存真正出色的一点在于，你永远可以用得更多。”英伟达未来仍将继续大量使用内存芯片。

长鑫集电（北京）存储技术有限公司（以下简称“北京长鑫集电”）近日发生工商变更，注册资本由约508.5亿元增至约601.8亿元，增幅约18%。长鑫集电（北京）存储技术有限公司成立于2016年8月，法定代表人为赵纶，经营范围包含集成电路设计、集成电路芯片及产品制造、集成电路制造等。股权结构上，该公司由长鑫科技集团股份有限公司、北京亦庄国际投资发展有限公司等共同持有。

美光宣布将投资关键矿物加工和高纯度材料制造，此举预计将支持铟公司在纽约州中部地区的产能扩张，并重启对先进半导体制造至关重要的关键矿物的美国国内加工。这项投资是美光公司7月份宣布的计划的一部分，该计划旨在投资高达30亿美元，以加强美国半导体供应链生态系统，并确保关键制造材料的可靠国内供应。

根据协议，美光科技将提供战略资金，助力铟公司扩大其位于纽约州罗马市的精炼和制造业务。双方将签署一项长期供应协议，确保美光科技能够获得这些高纯度矿物。这项投资有望降低对全球集中精炼产能的依赖，从而满足日益增长的国家安全需求。

SK海力士今日正式宣布，旗下美国子公司Solidigm已决定停止推进Pre-IPO融资及首次公开募股（IPO）计划。 自8月5日首次披露上市准备以来，历时79天，该资本运作最终暂停。

据媒体报道，美光科技近日举办了 2026 年技术网络研讨会，公布其AI存储路线图。DRAM方面，美光已将1δ（1-Delta）定位为1γ技术的后续产品，且其DDR6和LPDDR6都基于即将推出的1δ DRAM节点，其中DDR6的带宽是DDR5的两倍，而LPDDR6的能效提高了35%。此外，美光科技已在规划HBM5、HBM5E和HBM6技术，同时还将开发vHBM和vEIM。NAND方面，美光正在研发其G11。G11将采用晶圆级键合技术，拥有超过400层的厚度以及业界领先的单元间距。G11 NAND预计将于2027年下半年实现量产。从理论上讲，G11 NAND的位密度将是G9 NAND的约2倍，IO速度将提升1.5倍，每次数据传输的效率将提高25%以上。

美光宣布面向全球员工推出一项与公司利润挂钩的新季度奖金计划，明确是为回应中国台湾工会提出的利润分享诉求。新奖金将在现有年度激励薪酬之外额外发放，采用50% 现金 + 50% 股票的形式；同时将中国台湾员工的退休金提拨比例从8% 提高至 10%，并增加三天带薪休假。

美光在中国台湾地区的劳资协商出现分化。据台媒报道，其台中厂区工会已于10月21日与公司达成共识并签署劳资协议，撤回原定于10月22日进行的调解程序；桃园厂区工会则因利润分享等诉求尚未取得具体回应，宣布由11位工会干部自10月22日上午9时至23日上午9时，在桃园公司门口进行24小时罢工。后续协商进展及实际参与范围，将是观察生产与供货影响的重点。

面对近期内存厂商在下一代DRAM路线图上产生分歧而引发的“设备需求放缓”担忧，Lam Research CEO Tim Archer在2027财年第一季度（2026年6月29日至9月27日）业绩说明会上给予了正面回应。Archer指出，随着所有半导体器件结构向3D转型，刻蚀和薄膜沉积工艺的比重将显著提升。他特别强调，如果DRAM技术从6F²结构直接转向3D DRAM，刻蚀和沉积工艺的需求增长将比预期来得更早、更陡峭。无论厂商选择哪种路径，只要致力于延长现有结构寿命并进一步微缩图案，就会增加对Aether和Akara等先进工艺技术的需求。这意味着，DRAM制造商的技术微缩和结构变革将持续推动设备需求的扩大。

据韩媒报道，三星电子设备解决方案（DS）部门近期在其半导体研究所内新设负责存储新产品研发的“核心团队”，以进一步提升下一代存储器的开发速度与技术完成度。该团队将与存储器事业部协同推进新产品开发，重点围绕DRAM、NAND闪存等核心课题开展联合研发。

据韩媒etnews引述业界消息，SK海力士近期已与国内外材料、零部件及设备（简称“小部件”）供应商展开接触，旨在推进iHBM技术的升级与生产准备。据悉，双方重点讨论了iHBM在实际产品中的应用方案及量产计划。

知情人士透露，SK海力士正在试探通过与小部件供应商的合作，以将iHBM应用于实际工艺并实现商业化。这表明公司正通过评估量产可行性，正式启动商业化进程。

据韩联社报道，SK海力士于21日在韩国证券市场（KOSPI）完成了一项为期两个月、总额达40万亿韩元的股票回购计划。SK海力士此前宣布，将投资40万亿4340亿韩元回购2407万股库存股，随后全部注销。最初宣布的回购期为8月20日至11月19日，但相关计划提前约一个月完成。至此，三星电子和SK海力士总计55万亿韩元的大规模股票回购计划已完成。

据台媒报道，台湾美光与台湾美光存储工会（台中工会）21日发布联合声明，宣布双方经多次协商，已就多项议题达成共识并正式签署劳资协议，双方同意撤回原定于22日进行的调解程序，近日将分别向相关员工说明协议内容。

此外，台湾美光晶圆科技公司企业工会（桃园工会）此前宣布，将于10月22日进行一天的声援式罢工。关于桃园工会的相关部分，美光强调，公司将持续秉持诚意与开放态度保持沟通，积极寻求各方均能接受的解决方案。

据媒体报道，Groq正考虑将三维堆叠DRAM的封装技术应用于下一代芯片。这意味着将使用DRAM替代现有的SRAM。业内人士将此举解读为通过摆脱目前以SRAM为中心的芯片设计来大幅提升芯片容量。据悉，SRAM速度快但容量有限，而DRAM速度相对较慢，但更适合实现大容量芯片。3D封装技术将多个半导体芯片垂直堆叠而非平放，从而形成一个完整的芯片，与传统的2D封装相比，能够减小芯片表面积并提高能效。 

港交所10月20日披露，深圳宏芯宇电子股份有限公司已通过主板上市聆讯，独家保荐人为中信建投国际。该司为独立存储方案厂商，主营嵌入式存储、固态硬盘、DRAM、移动存储及存储颗粒，产品覆盖消费电子、车载、服务器等场景，采用轻资产模式，自研主控与固件。相关发行安排需待后续公告。

据韩媒报道，联想、惠普、戴尔等主要 PC 品牌已与存储器制造商签署长期协议 (LTA)，通过合同保障 2027 年供应稳定性。报道称，尽管存储器和部分其它零组件成本持续上涨导致的终端售价提升抑制了一般消费者的换机热情，但商务领域仍十分看重人工智能带来的生产力提升，新一轮的商务换机周期也即将到来。B2B 正成为 2027 年 PC 市场争夺的关键细分领域。

据外媒报道，美光科技台湾桃园工会宣布，将于10月22日举行罢工，声援台中工会与公司的劳资协商。此次争议主要涉及员工奖金及利润分享制度。报道称，美光桃园工会此前已取得罢工授权，但尚未公布罢工持续时间。台中工会目前仍与公司进行协商，尚未举行罢工投票。

长鑫科技在19日举办的“2026年第二次临时股东会”上表示，该司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率，订单饱满，有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构，从容应对市场变化。

长鑫进一步指出，公司对DRAM行业长期发展保持充足信心。AI算力需求爆发正驱动全球DRAM市场持续扩容，预计2025至2030年行业年均复合增长率高达38.39%。面对广阔市场机遇，公司已构建强大的产品技术实力，以满足市场需求。

据韩媒报道，美光科技正在研发一种专为物理AI应用而设计的存储半导体——边缘推理存储器（EIM）。美光科技副总裁李哲在首尔COEX会展中心举行的“半导体驱动人形机器人”会议上表示，包括自动驾驶、人形机器人、增强现实（AR）和虚拟现实（VR）在内的物理人工智能市场正在快速增长。EIM旨在高速处理人工智能推理所需的数据。它将低功耗动态随机存取存储器（LPDDR）堆叠在逻辑芯片之上，该技术位于AI芯片和内存之间，目的是降低数据处理延迟并提高带宽。据悉，美光正在开发将EIM技术应用于LPDDR6内存的方法，业内人士预计将于2028年下半年实现量产。

在19日发布的初步盈利公告中，FADU表示，今年第三季度公司合并营收1436亿韩元，同比飙升460%，环比增长96%；营业利润达363亿韩元，由去年同期114亿韩元的亏损转为大幅盈利；两大指标均再创历史新高。强劲的业绩得益于全球大型科技公司加大对AI数据中心的投资，从而带动了对存储解决方案的爆炸式需求。Fadu今年的累计新订单额达到4563亿韩元，远超去年全年营收（924亿韩元）的四倍。继目前已向多家全球大型科技公司供应Gen5主控后，FADU已完成下一代Gen6主控的研发，并正准备在年底前实现量产和销售。此外，公司还在研发Gen7主控，目标是在2028年提供样品。

戴尔科技CEO迈克尔·戴尔近期表示，AI基础设施建设需求持续飙升，但全球内存产能增长已跟不上市场需求，HBM和DRAM供应紧张局面预计将在2027年进一步恶化，供应受限问题甚至可能持续长达四年。从需求端看，戴尔认为自身看到的需求信号较为可信。公司直接对接各类客户，目前尚未发现重复下单、资源闲置等异常。企业布局AI已不再只是传统IT预算项目，而是提升竞争力、创新速度和运营效率的重要工具，各业务线负责人越来越意识到必须投入AI基础设施。

德明利日前发布财务预告。2026年前三季度，德明利实现营业收入275亿元至295亿元，同比增长312.97%至343.00%；归属于上市公司股东的净利润86.5亿元至89.5亿元，同比增长32,046.52%-33,154.49%；扣除非经常性损益后的净利润85.96亿元至88.96亿元，同比增长17,127.99%-17,722.26%。

其中，德明利第三季度实现营业收入105.89亿元至125.89亿元，环比增长13%至34.33%；实现归属于上市公司股东的净利润26.33亿元至29.33亿元，环比增长-1.42%至9.81%，盈利能力保持在历史较高水平。

据韩媒援引业内人士消息，英伟达正与三星电子和台积电合作设计其专有HBM芯片NVHBM的核心组件——基底裸片。业内人士估计，台积电3纳米工艺的良率超过90%，而三星晶圆代工的2纳米SF2工艺良率约为60%。对于英伟达而言，将基底裸片生产集中在台积电是更稳定的选择。不过报道称，这也不意味着台积电已经锁定英伟达HBM的基底裸片生产。虽然三星电子应英伟达的要求使用了台积电的基底裸片，但为了应对持续增长的需求，三星电子也在准备在其自有晶圆厂生产该组件。一位业内人士表示，台积电的3纳米生产线也生产高性能计算和智能手机芯片，分配的产能可能会达到上限。因此，三星晶圆代工正在其2纳米工艺上验证英伟达HBM基底裸片的生产，该工艺与台积电的3纳米工艺相当。

SK海力士在新闻稿中披露，其研究团队专注于模拟内存计算（一种将数据存储和计算相结合的架构），并提出了一种基于3D FeNAND的方案，该方案对单元、非单元和页面方案进行了协同优化。该研究成果已发表在IEEE的一篇论文中。据介绍，SK海力士的研究团队发现，3D FeNAND在以更低的功耗精确控制多个电流级别等方面优于传统的3D CTN NAND，是一种非常适合模拟存内计算（A-CiM）的存储架构。3D FeNAND可以一次性存储更多权重并直接用于计算，从而减少了重新加载的需要。这提高了吞吐量，也降低了能耗。在相同的芯片面积限制下，其吞吐量比传统3D阵列高出约10到20倍，能效高出约4000到5000倍。

据媒体报道，群联执行长潘健成近日透露，群联2025年研发费用约130亿元，今年上半年就达240亿元新台币，全年来看可能突破500亿元新台币。群联电子通过建置AI团队，进一步从AI使用者转型成为AI开发商。据悉，群联电子内部机房目前已经建置12台服务器，并布建479个AI代理（AI Agent），且在9月自主开发出74个新AI Agent，不仅有效缓解工程师人才短缺压力，更在帐面上为公司省下约235名工程师的人力成本，展现实质效益。

苹果公司 CEO 约翰·特纳斯近日在受访时表示，内存供应短缺显然是一场危机，苹果的基本立场是必须考虑所有方案。分析认为，他的这一表态是对美国国会就测试中国制造的内存所表达的国家安全担忧的回应。

佰维存储公告，公司控股股东、实控人、董事长孙成思先生提议以集中竞价交易方式回购股份，回购资金总额2亿元-2.5亿元，回购价格上限不高于董事会审议通过回购方案决议前30个交易日公司股票交易均价的150%，所回购股份将全部用于注销以减少注册资本，回购期限为股东会审议通过方案之日起12个月内。公司董事会认为该提议具备可行性，将研究制定合理可行的回购方案，具体内容以董事会、股东会审议通过的方案为准。

德明利通过互动平台表示，其H9560主控芯片瞄准CXL内存扩展核心场景，预计年内完成回片。公司已构建从主控芯片、全栈固件到方案验证、系统适配的企业级存储技术布局，并围绕CXL扩展存储分层方案持续深化上下游生态建设与产业链协同，未来将持续推动相关产品的客户导入与商业化进展，具体进展以公司法定披露信息为准。