三星电子启动HBM5技术“超级差距”战略,计划应用降低发热的“HPB”技术

存储器 网络 Andy 2026-06-02 18:45

三星电子为抢占下一代高带宽内存(HBM)市场的主导权,正式启动了技术“超级差距”战略。在首次公开第八代产品HBM5模型的同时,还计划应用新技术以强化HBM的散热特性。

三星电子首席技术官宋载赫表示,HBM4和HBM5之间最大的区别在于核心芯片的工艺。HBM4应用了最先进的1c DRAM,并通过重新设计和完善工艺不断提升性能、良率和质量。而对于HBM5,三星正准备引入先进的2nm工艺来优化基础芯片。从展出的模型来看,HBM5与前代产品HBM4E最大的区别在于采用了HPB结构。

HPB是一项旨在解决AI内存高性能化过程中发热量增加问题的技术,它能够更高效地分散和排出物理层(PHY)区域产生的热量。

三星电子HBM5的优势在于通过增加独立的热传导路径,降低了热阻并提高了运行稳定性。预计未来它将在高带宽、高集成的AI环境中,对提升系统整体效率发挥重要作用。

此外,三星电子透露,目前已经完成了在HBM4E产品上对HPB技术的实现与验证。并强调,这得益于三星在产品设计、内存到封装等全方位的综合半导体能力。未来计划在HBM5中正式应用该技术,进一步高度化产品的性能与稳定性。

除了下一代产品,三星电子此次还公开展示了HBM4E晶圆及芯片组。三星HBM4E采用了最先进的1c DRAM核心裸片与自家晶圆代工4纳米工艺的基础裸片相结合的结构,是集三星独家全面解决方案竞争力于一身的产品。

三星电子已于上月29日在业内首次完成HBM4E的样品出货,该产品能够以每针脚14Gbps的速度稳定运行,并可实现最高16Gbps(最大4TB/s带宽)的传输速度,充分印证了其进一步进化的HBM技术竞争力。

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