据韩媒报道,三星电子在2026年台北国际电脑展(Computex 2026)上首次公开了其第八代高带宽内存(HBM5)的实体模型。三星电子首席技术官宋载赫表示,HBM4和HBM5之间最大的区别在于核心芯片的工艺。HBM4应用了最先进的1c DRAM,并通过重新设计和完善工艺不断提升性能、良率和质量。而对于HBM5,三星正准备引入先进的2nm工艺来优化基础芯片。从展出的模型来看,HBM5与前代产品HBM4E最大的区别在于采用了HPB结构。HPB是一种旨在解决散热问题的技术,其结构本身就像一个物理通道,可以将热量排出到外部。