据外媒报道，美光已正式启动位于美国爱达荷州博伊西总部附近的新晶圆厂建设，用于生产尖端的HBM4（第六代）内存芯片。该工厂选址优越，并获得了美国商务部《芯片法案》补贴，预计将大幅缩短建设周期，目标是在2026年下半年实现量产。

美光科技宣布其位于印度古吉拉特邦萨南德的半导体封装测试工厂开业。这座工厂将来自美光全球制造网络的先进DRAM和NAND晶圆加工成成品存储器和存储产品。美光已向戴尔科技交付了首批印度制造的内存模块，用于戴尔面向印度市场推出的印度制造笔记本电脑。美光预计到 2026 年，萨南德工厂的芯片组装和测试量将达到数千万颗，并在 2027 年达到数亿颗。

德明利公布2025年年报：实现营业收入107.89亿元，同比增长126.07%；实现归母净利润6.88亿元，同比增长96.35%；实现扣非归母净利润6.68亿元，同比增长120.77%。其中，第四季度德明利营收41.30亿元，同比增长251.33%，环比增长61.96%；归母净利润7.154亿元，同比增长1105.46%，环比增长687.29%。截至2025年末，德明利存货金额达70.58亿元，占总资产比例为65.05%。

美国投资基金贝恩资本2月17日和2月19日出售约3900万股铠侠股票，按公司收盘价和每股售价计算，总价值约5500亿日元（约合35.1亿美元）。交易完成后，贝恩资本关联特殊目的公司（SPC）的总持股比例从44%降至37%。

SK海力士26日宣布，已与闪迪公司联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”，正式发布面向AI推理时代的下一代存储器解决方案HBF（High Bandwidth Flash）的全球标准化战略。HBF不仅可提升AI系统的扩展能力，还能有效降低总体拥有成本（TCO）。业界普遍预测，以HBF为关键组件的整合型存储器解决方案，其市场需求将于2030年前后迎来全面扩张。

三星电子日前于ISSCC 2026上发布其LPDDR6研发成果，其最大传输速度可达14.4Gb/s。与上一代LPDDR5X（最大传输速度10.7Gb/s）相比，速度提升约35%。此外，三星电子着重提升了能效，与LPDDR5相比，LPDDR6读取功耗降低27%。在最低电压（0.97V）下，其传输速度可达12.8Gb/s，并通过结构优化，增强了在实际使用环境中的稳定性。LPDDR6预计将于今年下半年上市。

据韩媒报道，业内人士透露，三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率，这是在高温环境下（热测试）取得的最高良率，并进一步表示，基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高，已接近60%，去年第四季度约为50%。

2月12日，三星电子宣布，其HBM4已抢先开始量产，并向客户交付商用产品。三星的HBM4可提供高达每秒11.7 Gbps的稳定处理速度，比业界标准的8Gbps提升约46%，树立了HBM4性能的新标杆。三星预计其HBM产品销量在2026年将比2025年增长三倍以上，并正积极扩大HBM4的产能。在HBM4成功推向市场后，HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始发放，而定制的HBM样品将根据客户的具体规格于2027年开始交付。

铠侠发布截至2025年12月31日的FY25Q3（2025年10-12月）财务业绩，营收5436亿日元(约合35.47亿美元)，环比增长21.3%，主要得益于平均销售价格（ASP）和bit出货量的提高；Non-GAAP下，营业利润为1447亿日元(约合9.44亿美元)，环比增长65.9%；Non-GAAP下归属于母公司所有者的利润为895亿日元（约合5.84亿美元），环比增长114.6%。

南亚科技公布2026年1月营收153.10亿元新台币，环比增长27%，同比大增608%，创历史新高。市场需求复苏是推升1月营收创高的主要动力。

慧荣科技2025年第四季营收2亿7,846万美元，较前一季成长15%，与前一年同期相比大幅成长46%；毛利率49.2%，税后净利4,271万美元。2025年全年营收8亿8,563万美元，同比成长10%；毛利率从2024年的46%提升到48.3%；税后净利达1亿1千982万美元，每单位稀释之美国存托凭证盈余3.55美元。

闪迪公司公布2026 财年第二季度（2025 年 10-12 月）财务业绩：营收为 30.3 亿美元，同比增长 61%；营业利润 10.65 亿美元，同比增长 446%；净利润 8.03 亿美元，同比增长 672%。该财季，闪迪所有业务部门均实现显著增长，数据中心业务销售额达到 4.4 亿美元，环比增长 64%、同比增长 76%。

江波龙发布2025年业绩预告。预计2025年度营业收入225亿元至230亿元，同比增长29%-32%；净利润为12.5亿元至15.5亿元，同比增长150.66%至210.82%。报告期内，存储价格在一季度触底后企稳回升，三季度末因AI服务器需求爆发及原厂产能向企业级产品倾斜，导致供给进一步失衡，存储价格持续上涨。江波龙依托高端产品布局、海外业务拓展及自有品牌优势，上半年实现扭亏为盈，下半年盈利水平稳步提升，第四季度扣非净利润约为6.5亿元至8.7亿元。

铠侠与闪迪共同宣布，双方将铠侠位于四日市工厂的合资协议延长五年。该协议原定于2029年12月31日到期，现续签至2034年12月31日。双方将继续利用人工智能赋能的智能制造和规模经济，确保先进3D闪存的稳定生产。此外，铠侠北上工厂的合资协议与四日市工厂的协议一致，有效期至2034年12月31日。根据这项续签协议，闪迪将向铠侠支付11.65亿美元，用于支付制造服务和持续供货费用。这笔款项将在2026年至2029年期间分期支付。

三星电子在 2025Q4 财报电话会议上透露，计划在本季度启动 HBM4 内存量产交付，包括 11.7Gbps 的高传输速率型号。展望全年，三星存储器业务计划全方面积极应对AI相关需求，重点提升面向 AI KV（键值）存储需求的高性能 TLC SSD的销售。

三星电子2025年第四季度合并营收93.8万亿韩元（按当前汇率约合656.4亿美元），创历史新高，环比增长9%，营业利润也创历史新高，达20.1万亿韩元（按当前汇率约合140.7亿美元）。其中设备解决方案 (DS) 部门营收44万亿韩元（按当前汇率约合308亿美元），环比增长33%，存储器业务营收37.1万亿韩元（按当前汇率约合259.6亿美元），环比增长39%，这得益于 HBM 和其他高附加值产品的销售增长以及整体市场价格的飙升。

SK海力士财报显示，2025年SK海力士HBM销售额同比增长逾一倍，成为创下历史最高业绩的核心动力。自去年9月全球率先构建HBM4量产体系后，目前SK海力士正在量产客户所要求的产量。

美光宣布启动位于新加坡的 NAND 闪存新晶圆厂建设工程，该厂将是新加坡首个双层晶圆厂，洁净室空间达到 70 万平方英尺，未来十年总投资将达 240 亿美元，预计 2028 年下半年投产。

华邦电子DDR4 8Gb 产品已自今年第一季会开始出货，首波应用以电视、网通与嵌入式系统为主。在供给偏紧环境下，客户对新规格接受度高，产品线结构已较过去明显改善，后续出货比重将逐步拉升。

威刚公告2025年12月自结损益，单月营业净利润25.47亿元（新台币，下同），累计2025年全年营业净利润91.62亿元，税前净利首度突破百亿元，达102.48亿元，同比增长1.71倍，全年获利表现明显优于2024年。

据韩媒报道，三星第七代高带宽内存 (HBM) HBM4E 的开发流程已经进入基础芯片的后端设计阶段，这意味着该芯片的研发过程已经过半。

据韩媒报道，铠侠存储事业部总经理中户俊介近日表示，铠侠2026年的全部产能已经售罄，预计这一趋势至少会持续到2027年。他表示，公司不会优先向出价最高的供应商供货，而是与长期合作伙伴共同制定年度供货计划，并据此进行分配。

德明利发布2025年度业绩预告。预计2025年实现营收103亿元至113亿元，与上年同期同比增长115.82%至136.77%；预计归母净利润为6.50亿元至8.00亿元，比上年同期增长85.42%至128.21%。

据韩媒报道，三星电子将在 HBM4 后的定制 HBM 内存上延续“制程优势”策略，提供从 4nm 直到当前最先进的 2nm 的一系列基础裸片 (Base Die) 解决方案。作为对比，台积电计划为定制 HBM 基础裸片导入 N3P 制程（第二代3nm工艺）。

南亚科技2025Q4营业收入达 300.94 亿新台币，环比增长 60.3%，季度 DRAM ASP（平均售价）环比增长超三成，销售规模亦增长超 10%；毛利率达到 49.0%，相较 Q3 提升 30.5 个百分点；营业利润率达 39.1%，相较 Q3 提升 33.1 个百分点。南亚科预计2026 年资本支出约 500 亿新台币，作为对比，该司 2025年实际支出仅134 亿新台币。

美光宣布，将以18亿美元收购力积电位于台湾苗栗县桐洛的P5晶圆厂。据双方近期签署的意向书显示，此次收购预计将于第二季度完成，收购完成后，美光将从明年下半年开始获得相当可观的DRAM产能。此外，美光将和力积电建立DRAM先进封装的长期晶圆代工关系，美光也将协助力积电在新竹P3厂精进现有利基型DRAM制程技术。

SK海力士最新推出的LPDDR5X车用DRAM产品荣获ASIL-D（汽车安全完整性等级D）认证，这是国际汽车功能安全标准ISO 26262下的最高安全等级。

据韩媒报道，熟知三星电子内情的相关人士透露，近期三星电子1c DRAM良率已接近60%，该良率确保了超过盈亏平衡点。

受惠存储价格走扬与需求回温，宜鼎国际2025年第四季度单季营收达48.06亿元（新台币，下同），环比增长26.25%，同比增长115.74%，带动全年营收达142.61亿元，同比增长近六成，创下历史新高。展望今年第一季，宜鼎看好整体需求动能延续，DRAM 与NAND Flash 价格皆持续上扬，其中Flash价格自去年第三季才开始反映供需变化，涨势仍在加速阶段，首季涨幅可望与DRAM 相当。

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。