1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

南亚科2025年12月合并营收达120.17亿元（新台币，下同），环比增长18.18%，同比暴增444.87%，连续第二个月改写新高。市场需求复苏是其推升12月营收创高的主要动能。

据业界消息，美光科技计划今年将其HBM4产能提升至每月1.5万片晶圆。业界预估美光HBM总产能约为每月5.5万片晶圆，这1.5万片晶圆的增产幅度占美光科技总产能的近30%。美光预计将在完成与英伟达的性能评估后，于第二季度开始量产HBM4。

闪迪宣布将其面向游戏玩家、内容创作者和专业人士的内置固态硬盘产品线更名为 SANDISK Optimus™。该系列包含三大产品线：SANDISK Optimus™、SANDISK Optimus™ GX 和 SANDISK Optimus™ GX PRO。从 WD_BLACK™ 和 WD Blue® 品牌到 SANDISK Optimus™ 品牌标识的过渡从今日公告开始执行。

SK海力士于CES 2026首次展出其下一代HBM产品“16层 48GB HBM4”。该产品是继此前实现业界最高速率11.7Gbps的12层 36GB HBM4之后的后续版本，目前正根据客户需求稳步推进研发工作。此外，SK海力士还将展出12层 36GB HBM3E产品，并同步展出搭载该产品的全球客户AI服务器GPU模块，直观展现HBM3E在AI系统中的核心应用价值。

长鑫存储产品（合肥）有限公司日前发生工商变更，注册资本从56.61亿元增加到66.61亿元，增幅约为 17.67%。资料显示，长鑫存储产品（合肥）有限公司成立于2022年11月，法定代表人为赵纶，由长鑫科技集团股份有限公司全资持股。

上交所官网显示，长鑫科技集团股份有限公司（简称：长鑫科技/长鑫存储）科创板IPO申请获受理，且已预先审阅。长鑫存储拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。

据韩媒thelec报道，SK海力士将从明年2月开始在M15X工厂启动用于HBM4的1b DRAM量产晶圆的投入。原计划量产晶圆投入时间为6月。初期将投入约1万张晶圆起步，年底将生产规模扩大至数万张。此举被解读为抢先应对英伟达下一代AI加速器"Rubin"对HBM4的需求。

12月25日，深圳大普微电子股份有限公司（以下简称“大普微”）IPO申请顺利通过深交所创业板上市委会议。财务数据显示，2022年至2024年，大普微分别实现营业收入5.57亿元、5.19亿元、9.62亿元。2025年，公司预计实现营业收入21.58亿元，同比增长124%，预计最早将于2026年整体实现扭亏为盈。

美光表示，2026全年包括HBM4在内的HBM供应价格和数量已达成协议，预计到2028年，HBM潜在市场规模（TAM）的复合年增长率（CAGR）约为40%，从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元。1000亿美元这一潜在市场规模里程碑预计将比早前的展望提前两年到来。值得注意的是，2028年HBM潜在市场规模将超过了2024年整个DRAM市场规模。

据韩媒报道，三星电子存储器事业部DRAM设计团队负责人Son Kyomin近日在演讲中透露，三星计划在年内制定“LPDDR6-PIM”标准，为产品开发奠定基础。目前，三星电子正在开发LPDDR5X-PIM，结合LPDDR5X和PIM技术，带宽高达614 GB/s，是现有LPDDR5X的八倍，并支持FP16/FP8和INT/4/8/16等多种运算。

据韩媒报道，三星电子计划扩大针对博通公司的第五代高带宽内存（HBM）HBM3E的供应量。今年，博通已将三星电子视为战略合作伙伴，以取代SK海力士。三星电子在性能和价格谈判方面展现出了灵活性，具体而言，据报道，三星电子将其供应价格较SK海力士目前供应的HBM3E产品降低了约20%。

据日媒报道称，为抢攻AI数据中心需求，铠侠将在2026年利用岩手北上工厂开始生产第10代的NAND Flash，其堆叠数从现行第8代的218层增加至332层，每单位面积的存储容量提升59%、数据传输速度改善33%，能耗也会降低。报道称，铠侠不会盖新厂，而是活用今年9月投产的北上工厂第2厂房(K2)生产第10代NAND Flash。

群联11月合并营收为70.22亿元（新台币，下同），环比减少0.62%，同比增长62.02%，创历年次高纪录，仅次于今年10月；累计今年前11月营收639.52亿元，同比增长17.53%。11月群联控制芯片总出货量同比增长84%，其中PCIe SSD控制芯片同比增长118%，显示NAND存储市场正快速朝向高速传输技术演进。群联将引导客户通过调整单位容量(GB/pcs)等方式，让更多客户能取得必要产品，而非集中于少数客户，未来报价也会随市场状况调整，群联将在NAND震荡期间持续与全球客户紧密合作，秉持负责任的平衡供应者角色，共同因应这次结构性的需求变化。

12月5日，江波龙与华曦达联合创新实验室在中山存储产业园正式揭牌启动。联合创新实验室聚焦AI智慧生态共建，以AI存储创新产品的联合认证测试为核心切入点，旨在构建覆盖端侧AI设备与智能家庭场景的技术验证体系。

SK海力士正在美国、中国和日本等关键地区建立“全球人工智能研究中心”。首席开发官（CDO）安铉将领导该机构，加速计算系统架构研究，并加强与全球大型科技公司的合作。其中，美国人工智能研究中心将招募全球顶尖专家，以提升其系统研究能力至行业领先水平。

为保持其在HBM技术领域的领先地位，以及确保为HBM主要客户提供及时的技术支持，SK海力士正在美洲地区建立专门的HBM技术部门。为了快速响应不断增长的定制HBM市场，SK海力士成立了专门负责HBM封装良率和质量的独立部门。至此，SK海力士构建了一个涵盖从研发到量产和质量控制全流程的专业化HBM组织架构。

华邦电子宣布推出全新 8Gb DDR4 DRAM，采用华邦自有16nm 制程技术，提供更高速度、更低功耗及更具成本效益的解决方案，适用于电视、服务器、网通设备、工业计算机及嵌入式应用等多元市场。基于16nm 制程节点，华邦目前正开发三款同制程产品，包括 CUBE、8Gb LPDDR4 及 16Gb DDR4。

佰维存储在互动平台表示，2024年公司面向AI眼镜产品收入约1.06亿元，预计2025年公司面向AI眼镜产品收入有望同比增长超过500%。

据日媒报道，美光扩建日本广岛县东广岛市 DRAM 工厂的施工将于 2026 年 5 月启动，目标 2028 年实现 HBM 内存出货。美光将斥资1.5万亿日元对广岛工厂进行扩建，将扩增生产设备、建构月产4万片最先进产品的产能，且将在2028年6-8月开始出货，2030年3-5月以最大产能进行生产。

三星电子11月27日召开高管简报会，并宣布组织结构重组计划。在此次组织结构重组中，三星电子DS部门成立了“存储器开发部门”，该部门将统一管辖原存储器事业部下属的DRAM开发室和NAND Flash开发室。此外，原先隶属于DS部门的HBM开发团队被撤销，其人员被调至DRAM开发室下属的设计团队。此前HBM开发团队负责人EVP Youngsoo Son被任命为该设计团队负责人。