该协议是通过在三星电子现有支持的基础上再提供五个 28 纳米 FD-SOI MPW 工艺，为 200 个芯片制造机会提供额外支持。

High-NA EUV预估会有五大客户：英特尔、台积电、三星、SK海力士、美光，可最早使用设备。科林研发、柯磊、HMI 和JSR及TEL等正与ASML合作，开发High-NA EUV材料与特用化学品。

按出口目的地来看，对中国大陆出口减少12.5%，截至上月已经连续12个月减少。对越南和台湾地区出口分别减少2.8%和38.5%。而对美国、欧盟、日本出口分别增长18.4%、26.4%和2.9%。

Lam Research推出了Coronus DX，这是业界首款经过优化的斜面沉积解决方案，旨在解决下一代逻辑、3D NAND和先进封装应用中的关键制造挑战。

目前仍是车用、Power相关客户需求较佳，库存也较为健康，而压力较大仍是存储器，但还好目前价格已是止稳到略有机会开始小涨。

尽管有迹象表明，随着人工智能芯片的繁荣，芯片行业可能已经触底，但三星的芯片业务预计将在第二季度再次出现营业亏损。

由于建厂成本增加，加上英特尔打算采用先进制程，马德堡厂的总投资额将扩大到270亿欧元。根据英特尔之前公布的规划，这座晶圆厂将在2024年动工，预计2027年或2028年开始量产。

Rapidus现在已完成1台EUV微影设备的筹备作业、将可在2025年开始试产之前导入，且也正评估筹备另1台EUV，预估「最终将拥有多台EUV」。

ASML计划明年出货其首款高NA EUV设备。据了解，它将于2026-2027年量产。

英特尔拟于以色列南部城市Kiryat Gat兴建新厂，预估新厂将于2027年开始运作，至少会营运至2035年，并将雇用数千名人员；英特尔已于该地拥有生产10nm制程晶片的「Fab 28 」工厂。

报道称，这项消息最快将在下周宣布，美光承诺的投资金额也可能上看20亿美元，但因为还在讨论，细节可能变动，也无法保证一定会达成协议。

英特尔最初预计德国芯片厂将耗资170亿欧元，但现在预估将耗资300亿欧元。知情人士表示，与大多数将通过欧盟《芯片法案》获得政府资助的项目一样，英特尔预估其建厂计划将获得约40%的补贴。

从各应用端来看，PC / 智能手机市场方面，虽然终端库存已调整到健康水位，但需求持续疲软；工业用与车用方面因客户库存已达到一定水位，需求触顶，拉货动能开始放缓。

据韩媒报道，三星电子晶圆代工部门14日宣布，将与Synopsys、Cadence、Alpha Wave Semi合作，扩大晶圆代工过程中可使用的IP数量。

韩国5月信息通信技术（ICT）出口额同比减少28.5%，为144.5亿美元，自去年7月起连降11个月。