NAND Flash价格今年第四季至明年第一季就会崩盘。受此利空讯息释出,引发外界对群联全年获利水平的疑虑,今(19)日早盘一度亮灯跌停,盘中也维持 5 %以上跌幅,群联股价一度跌停。

记忆体厂美光科技(Micron Technology) 与英特尔(Intel ) 宣布推出采用25 nm 制程技术3-bit-per-cell (3bpc TLC三层式储存) NAND 快闪记忆体,该NAND 装置拥有业界最大容量与最小尺寸。

因为SSD控制芯片与Flash芯片的限制,在速度表现上与整合NAND Flash的新型HDD差距不大,兼以价格及容量上的劣势,市场的竞争力也因此逐渐处于下风。

NAND Flash控制晶片大厂群联18日召开法说,董事长潘建成对于下半年和2011年第1季的NAND Flash景气透露悲观气氛;他表示,对于第3~4季NAND Flash市场不要有太多期望。

据报导,英特尔(Intel)、日立环球储存科技(Hitachi Global Storage Technologies)虽延迟第1款合作开发的企业固态硬盘(SSD)出货日期,然因数据中心逐渐受到重视,对相关产业来说,2厂延迟产品出货日未必是个坏消息。

这种芯片式的SSD与常规尺寸SSD固态硬盘已经有得一拼,它的峰值读取速度可以达到160MB每秒,写入速度也可以达到100MB每秒,这一速度已经超越了很多台式机硬盘。

8月份看起来还算健康,9月份可能会有点辛苦,第四季还看不到,现在要谈还太早了,不过也不要有太多的期待,尤其是NAND Flash价格的走势,若上游厂商不节制的话,恐有崩盘疑虑。

NAND Flash控制芯片大厂群联(8299)董事长潘健成表示,2009年时,就看好Embedded嵌入式控制IC将会是未来趋势,接下来将正式进军eMMC(手机用嵌入式记忆卡)领域,锁定大中华地区如白牌、山寨机市场发展。

市场预期下半年DRAM价格将因供给大于需求而续走跌,供过于求市况以第四季最明显,利空消息冲击DRAM类股,股价皆下挫作收,仅被摩根士丹利资本国际(MSCI)纳入台股成份股的力晶(5346)收红。

只是NAND Flash供应商制程技术不断推进,产出不断增加,潘健成说,全球各地经济情况不佳,消费力差,市场销耗力弱,投资人对8、9月NAND Flash价格不要有期待,营运确实辛苦。

预期今年DRAM容量需求将成长44%,其中标准型DRAM成长42%、利基型DRAM更将成长49.9%,表现抢眼。到了2012年,预估整体DRAM市场仍将有47.3%的成长,其中标准型DRAM、利基型DRAM成长幅度分别为51.3%、37.7%。

美光(Micron Technology Inc.)17日宣布,由该公司与英特尔(Intel Corporation)合资公司IM Flash Technologies (IMFT)开发的25奈米制程技术3bpc NAND型快闪记忆体(NAND flash

过去台湾在DRAM产业上的主要技术合作来源包括日本、美国、南韩和德国,这几大阵营各自在制程技术上有很大差别,最大差别在于德系业者采用沟槽式(Trench)制程技术,在这一波金融风暴洗礼之下,成为被淘汰的阵营。

eMMC(embeded Multi Media Card)是MMC协会所订立的内嵌式内存标准规格,主要是针对手机应用来做设计,此规格已问世多年,只是随着2010年智能型手机风潮起飞,eMMC内存规格开始受到外界重视;

过去是上游NAND Flash大厂跨足做快闪记忆卡成卡一路吃往下游,现在金士顿(Kingston)更以内嵌式内存(eMMC)反攻上游成功,为模块厂营运模式再创下新典范。

简讯快报

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