资策会预期今年DRAM容量需求将成长44%，其中标准型DRAM成长42%、利基型DRAM更将成长49.9%，表现抢眼。到了2012年，预估整体DRAM市场仍将有47.3%的成长，其中标准型DRAM、利基型DRAM成长幅度分别为51.3%、37.7%，而标准型DRAM最关键的成长动能，将来自于DDR3 2Gb成为市场主流，PC搭载容量大幅提升。
分析师指出，预估今年PC市场将成长14%，平均每一台电脑的搭载容量为3.05GB，则较去年成长24%，成为标准型DRAM的成长动能，另外，还有伺服器用DRAM也明显增加，而今年各家DRAM厂陆续投入生产DDR3 2Gb，预料到了2012年将成为市场主流，PC搭载DRAM的标准容量将转往4GB，持续推升需求成长。
利基型DRAM部分，今年的成长力道特别突出。分析师表示，包括智慧型手机、工业用产品、数位相机、STB、平板电脑、LCD TV均带动利基型DRAM需求成长。值得一提的是，智慧型手机对于DRAM需求远超乎预期，今年许多新机种的搭载容量都高达256MB、512MB，以宏达电以及三星为例，今年所推出的手机当中有高达80%的机种的搭载容量均达到512MB的规格，苹果的部份也有60%。
分析师指出，从今年整体利基型DRAM市场来看，应用于智慧型手机的成长率达130%之多，高居第一，其次为LCD TV 49.2%、印表机37.4%、绘图卡34.9%、录放影机33.6%、功能性手机27.7%、STB 25.8%、PND 18.7%、光碟机14.4%、数位相机13.3%，均拥有不错的成长幅度。
若分析国内DRAM厂的状况，2009年台湾DRAM厂有80%应用于伺服器、工作站以及个人电脑，而随着利基型DRAM市场成长，且部分厂商如华邦电(2344)专注利基型DRAM，因此今年以来，利基型DRAM产出的比例有所增加，统计标准型DRAM与利基型DRAM于今年第一季、第二季的产出比重分别为76.1%比23.9%、75.6 %比24.4%。
另外，三星日前宣布调高资本支出，将大举扩增记忆体产能。分析师表示，这将是未来记忆体产业中的重要议题与关注焦点。她进一步说，三星将记忆体事业的资本支出从5.5兆韩圆（43亿美元）调高至9兆韩圆(70亿美元)，其中DRAM制程将提升至46奈米与35奈米，NAND Flash也将同步制程更新，此外，最关键的是兴建一座月产能高达20万片的12吋厂（Line 16）。
分析师认为，Line 16将于2011年第三季后量产，且该厂的资本支出将高达12兆韩圆，若Line 16满载且有50%的产能用来生产DRAM，则会使全球DRAM位元产出增加10%，不论在制程进度以及产能规模上持续微持遥遥领先地位。
预估
2010年到2013年全球DRAM市场位元需求成长
群联电子：Q3营收及营业利润创单季新高，AI生态模组占比升至57%，毛利率回落至59.7%
本周渠道消费类SSD和嵌入式eMMC价格延续调整，行业SSD/内存条和LPDDR价格持稳
闪迪：营收及利润创独立上市以来单季新高，出货量贡献超过价格因素；NBM客户需求延伸至2030财年以后