美光英特尔推新NAND 旺宏群联华邦电警戒

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-08-20 08:18
记忆体厂美光科技(Micron Technology) 与英特尔(Intel ) 宣布推出采用25 nm 制程技术3-bit-per-cell (3bpc TLC三层式储存) NAND 快闪记忆体,该NAND 装置拥有业界最大容量与最小尺寸。美光与英特尔已送样给部分客户,该产品预计在今年年底量产。
美光表示,与USB、SD (Secure Digital) 快闪记忆体卡和消费性电子产品相比,这次新推出的25 nm 64Gb 3bpc 记忆装置的成本更低且容量更大,而快闪记忆体主要用于储存资料、照片或其它多媒体,以供电脑和数位装置(数位相机、可携式媒体播放器、数位摄影机和各类型个人电脑) 之间的资料撷取和传输,而以上这些市场一直承受来自低价与高容量的压力。
由美光与英特尔双方合资筹组建的NAND 快闪记忆体公司IM Flash Technologies (简称IMFT) 所开发的这项64Gb / 8Gb 25 nm 微影技术,可提供每单位3 位元的资料容量,而传统技术只能提供1 位元(单层式储存) 或2 位元(多层式储存) 。 3bpc 在业界也被称为三层式储存(triple-level cell, 简称TLC,不过,由于分成三层式储存,因此效能不佳一直是其主要的问题,也多应用在低阶市场) 。
该装置较相同容量的美光和英特尔25 nm MLC (多层式储存) 尺寸节省至少20%,是目前市面尺寸最小的单一8Gb 装置。从现今电子产品有限的设计空间来看,小尺寸快闪记忆体对消费性终端产品快闪记忆体卡显得尤其重要。此款产品晶片面积为131 mm²,符合业界标准的TSOP 封装。
美光NAND 解决方案事业部副总裁Brian Shirley 指出,NAND 快闪记忆体对消费性电子产品的重要性日益提高,提早转入25 nm TLC 对于NAND储存产品组合的持续扩张实为一大竞争优势。美光正积极根据包括Lexar Media 和美光较大容量终端产品等的设计,打造符合需求的8Gb TLC NAND 快闪记忆体产品。
英特尔副总裁兼英特尔NAND 解决方案事业部总经理Tom Rampone 表示,随着业界尺寸最小的25 nm 晶片在1月问世后,25 nm 3bpc 产品的进度也紧随其后,英特尔将继续加速研发工作,为客户提供一系列卓越领先的产品。英特尔计画在新推出的8Gb TLC 25 nm NAND 装置的基础上,利用IMFT 在设计和制造上的优势,为客户提供更高容量、更具成本竞争力的产品。
国内存储器厂则透露,美光和英特尔宣示量产更先进、更大容量的NAND Flash,将加速国内存储器量如旺宏(2337)、群联(8299)、华邦电(2344)等,快速在高容量NAND Flash开发脚步,否则将面临在低容量NAND Flash更激烈的厮杀。
美光和英特尔强调,此举有助着重轻薄短小的手持装置,如手机、数字相机、可携式媒体播放器、数字摄影机和各类型小笔电拥有更大容量的内存空间;二大半导体厂也能避开激烈价格战,开辟新利基。
美光和英特尔表示,这项新型NAND Flash系由两家公司所合资的IM Flash公司所开发的25奈米制程储存型闪存的微缩技术,将是美光持续扩张市场的竞争利品。

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