英特尔美光25nm64GB 3bpcNAND flash年底投产

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-08-18 09:43
海力士半导体(Hynix)宣布将投入26奈米制程64Gb多层式储存(MLC)NAND Flash产品量产。海力士于2010年2月时对外宣布已开发完成,并于8月成功投入量产,确保了先驱企业的技术能力。且该产品量产性较30奈米制程32Gb产品提升约60%,存储容量相同的新型芯片的尺寸减少约20%,在业界拥有最高的成本竞争力。
海力士紧追在第2季即已投入20奈米闪存量产的三星电子(Samsung Electronics)及IM Flash之后,将量产时程差距缩短至1季内,大幅缩减闪存领域技术能力的差距。
三星4月时首度量产20奈米制程级32Gb闪存,海力士则是以量产较32Gb容量更大的64Gb产品以提升量产性。该产品量产性较30奈米制程32Gb产品量产性提升约60%。
新型芯片不仅能减少存储芯片所占空间,还能增加消费电子产品的存储容量。两家公司称,使用NAND闪存的数码相机和便携式媒体播放器等产品的尺寸越来越小。新型芯片还有助于降低制造成本。美光NAND战略营销主管凯文•基尔巴克(Kevin Kilbuck)说,“我们在增加存储密度的同时,能够降低制造成本,增加存储容量。”但是,存储密度的提高是有代价的。基尔巴克说,“新型芯片写入信息的次数有所减少。”
报导指出,Hynix此次所采取的实际制程技术为26nm,每片芯片容量为64Gbit,在相同的封装尺寸内其容量可达现行产品的2倍,将可应用于智能型手机及平板计算机等产品上。据报导,Hynix今(2010)年设备投资及研发费用总额达3.05兆韩圜(约2,200亿日圆),约为2009年的3倍,且除了NAND Flash之外,Hynix也将加快使用于PC的DRAM细微化脚步。
海力士计划2010年底前将20奈米制程产品比重提高约10%,而30奈米以下制程产品的比重也将由目前的30%,提高至约65%。海力士为达到此目的,已与高效能闪存设计专门企业Anobit进行策略合作,完成闪存技术产品开发。海力士早先因只能提供单一种产品而在扩大客户方面遭遇困难。
海力士30奈米制程32Gb快产内存产品已与Anobit控制器(Controller)结合,并增加保存期限,强化信息储存设备的可信赖度。近日投入量产的20奈米64Gb闪存结合控制器的技术产品也将于9月完成认证流程。
海力士研究开发制造总部(CTO)副社长朴星昱表示,海力士为因应客户需求,决定开发20奈米制程最大容量64Gb产品,并推出技术产品,应可适时满足目前智能型手机(Smartphone)及平板计算机与日俱增的需求。
海力士目前已在南韩清州闪存专门厂进行量产,而闪存整体生产量也将由2010年初的4.5万颗,于年底时提升至8万颗以上,并持续扩大市占率。

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