极佳的随机存取性能与稳定的频宽表现一直是固态硬碟(SSD)产品的最大优势,但因快闪存储器成本偏高,使得相关产品的接受度迟迟无法获得有效提升,而价格相对合理的小容量产品,却因为SSD控制芯片与Flash芯片的限制,在速度表现上与整合NAND Flash的新型HDD差距不大,兼以价格及容量上的劣势,市场的竞争力也因此逐渐处于下风。
快闪存储器大厂东芝(Toshiba)与三星电子(Samsung Electronics) 2家存储器大厂上个月底正式宣布合作制订DDR NAND 2.0标准,而DDR NAND 1.0标准已获JEDEC通过,同时通过的还有发展已久、同属DDR NAND技术的ONFi标准,此2大标准皆从NAND的存储器存取界面进行革新,让通道数量少的SSD产品仍能拥有高传输效率,透过制订业界可遵循的标准化作法,务求突破目前快闪存储器的发展瓶颈。
另一方面,高容量、高效能SSD产品也同样面临发展上的困难,通常高效能SSD产品必须透过多通道连接多颗快闪存储器,甚至利用RAID结合多组SSD才有办法达到,产品布线复杂化与RAID芯片的采用,都相当程度的增加了成本,因此业界也提出HLNAND快闪存储器架构,与前面提到的DDR NAND不同的是,其采用的是标准界面,但是以不同的封装串接方式简化设计,并提升其速度延展性。
DDR NAND欲从快闪存储器架构改善整体效率,而HLNAND则是透过巧思,利用有弹性的模块封装方式,降低产品设计难度与元件成本,2者针对的面向虽不同,但彼此并没有冲突,反而有效的提升了产品性能,并强化NAND快闪存储器的应用广度与未来产品竞争力。