消息称三星1c DRAM良率已接近80%

据韩媒报道，三星电子1c DRAM良率近期已达到70%左右。多位知情人士表示：“三星电子已大幅提高1c DRAM的良率，已接近80%以上的目标。公司内部开始对1c DRAM的性能充满信心。”

通常，DRAM 在实验室开发完成并转移到量产线时，成品率约为50%。然而，要实现全面的业务运营，这一成品率需要提高到80-90%。

基于这一良率提升，三星电子正在加速1c DRAM的量产。三星电子平泽四号工厂（P4）目前正在安装半导体设备，将专注于生产1c DRAM。该生产线已进入建设的最后阶段。

目前，SK海力士采用1b DRAM 构建 HBM4，三星计划通过使用更先进的1c DRAM来夺得先机。据半导体行业人士称，随着1c DRAM的稳定，目前三星HBM4的样品良率已达到50%。三星电子正在与英伟达合作进行HBM4性能评估，预计在获得量产批准后将立即投入生产。