编辑:Andy 发布:2024-07-17 12:00
据韩媒报道,三星电子副总裁柳昌植(DRAM先进开发团队负责人)近日表示,三星电子下一代DRAM路线图进展良好,1b DRAM正在顺利量产,4F Square也正在顺利开发,三星将在内存领域保持超级差距。
其中,4F Square DRAM 是下一代DRAM,其存储单元(存储数据的最小单位)结构垂直而不是水平排列。平方是衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积有多大的指标。
目前商业化的DRAM具有6F Square结构。由于DRAM的密度和性能随着单元面积的减小而提高,因此各大原厂都集中精力开发技术以推进到4F Square。三星预计明年将开发出 4F Square DRAM 的初始样品。
此外,三星电子正专注于开发尖端的DRAM解决方案,包括量产1b(第五代10纳米级DRAM)DRAM以及验证具有业界最高运行速度的LPDDR5X。
三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试,目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。
存储原厂 |
三星电子 | 68900 | KRW | -3.50% |
SK海力士 | 258000 | KRW | -5.67% |
铠侠 | 2424 | JPY | -2.18% |
美光科技 | 104.880 | USD | -3.90% |
西部数据 | 76.550 | USD | -2.72% |
闪迪 | 41.330 | USD | -3.70% |
南亚科技 | 44.45 | TWD | -0.22% |
华邦电子 | 17.60 | TWD | +1.44% |
主控厂商 |
群联电子 | 525 | TWD | -0.94% |
慧荣科技 | 76.420 | USD | -0.16% |
联芸科技 | 43.24 | CNY | -1.39% |
点序 | 51.9 | TWD | +0.58% |
品牌/模组 |
江波龙 | 87.86 | CNY | -1.59% |
希捷科技 | 154.810 | USD | -1.40% |
宜鼎国际 | 226.5 | TWD | -0.22% |
创见资讯 | 93.6 | TWD | -1.06% |
威刚科技 | 91.8 | TWD | +0.55% |
世迈科技 | 22.810 | USD | -3.22% |
朗科科技 | 23.80 | CNY | -1.24% |
佰维存储 | 63.50 | CNY | -0.11% |
德明利 | 87.93 | CNY | +2.90% |
大为股份 | 16.85 | CNY | -2.43% |
封测厂商 |
华泰电子 | 39.45 | TWD | +0.90% |
力成 | 123.5 | TWD | -1.98% |
长电科技 | 34.54 | CNY | -1.51% |
日月光 | 152.5 | TWD | 0.00% |
通富微电 | 27.13 | CNY | -3.52% |
华天科技 | 9.91 | CNY | -1.10% |
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