编辑:Andy 发布:2024-07-17 12:00
据韩媒报道,三星电子副总裁柳昌植(DRAM先进开发团队负责人)近日表示,三星电子下一代DRAM路线图进展良好,1b DRAM正在顺利量产,4F Square也正在顺利开发,三星将在内存领域保持超级差距。
其中,4F Square DRAM 是下一代DRAM,其存储单元(存储数据的最小单位)结构垂直而不是水平排列。平方是衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积有多大的指标。
目前商业化的DRAM具有6F Square结构。由于DRAM的密度和性能随着单元面积的减小而提高,因此各大原厂都集中精力开发技术以推进到4F Square。三星预计明年将开发出 4F Square DRAM 的初始样品。
此外,三星电子正专注于开发尖端的DRAM解决方案,包括量产1b(第五代10纳米级DRAM)DRAM以及验证具有业界最高运行速度的LPDDR5X。
三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试,目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。
存储原厂 |
三星电子 | 71400 | KRW | +1.13% |
SK海力士 | 251000 | KRW | +2.45% |
铠侠 | 2403 | JPY | +4.25% |
美光科技 | 117.680 | USD | +1.63% |
西部数据 | 76.970 | USD | +3.09% |
闪迪 | 46.370 | USD | +1.91% |
南亚科技 | 45.35 | TWD | -2.37% |
华邦电子 | 18.20 | TWD | -1.09% |
主控厂商 |
群联电子 | 473.0 | TWD | -0.21% |
慧荣科技 | 76.430 | USD | +3.01% |
联芸科技 | 49.29 | CNY | +2.47% |
点序 | 50.5 | TWD | -1.37% |
品牌/模组 |
江波龙 | 96.60 | CNY | +3.86% |
希捷科技 | 159.210 | USD | +2.98% |
宜鼎国际 | 242.5 | TWD | 0.00% |
创见资讯 | 97.2 | TWD | -2.61% |
威刚科技 | 96.4 | TWD | +0.94% |
世迈科技 | 24.350 | USD | +2.96% |
朗科科技 | 27.48 | CNY | +2.00% |
佰维存储 | 70.70 | CNY | +5.01% |
德明利 | 98.92 | CNY | +2.40% |
大为股份 | 19.41 | CNY | +2.70% |
封测厂商 |
华泰电子 | 40.95 | TWD | +0.86% |
力成 | 117.0 | TWD | -2.09% |
长电科技 | 38.84 | CNY | +6.18% |
日月光 | 143.5 | TWD | -0.35% |
通富微电 | 30.23 | CNY | +4.71% |
华天科技 | 11.27 | CNY | +4.45% |
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