编辑:Andy 发布:2024-07-17 12:00
据韩媒报道,三星电子副总裁柳昌植(DRAM先进开发团队负责人)近日表示,三星电子下一代DRAM路线图进展良好,1b DRAM正在顺利量产,4F Square也正在顺利开发,三星将在内存领域保持超级差距。
其中,4F Square DRAM 是下一代DRAM,其存储单元(存储数据的最小单位)结构垂直而不是水平排列。平方是衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积有多大的指标。
目前商业化的DRAM具有6F Square结构。由于DRAM的密度和性能随着单元面积的减小而提高,因此各大原厂都集中精力开发技术以推进到4F Square。三星预计明年将开发出 4F Square DRAM 的初始样品。
此外,三星电子正专注于开发尖端的DRAM解决方案,包括量产1b(第五代10纳米级DRAM)DRAM以及验证具有业界最高运行速度的LPDDR5X。
三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试,目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。
存储原厂 |
三星电子 | 54900 | KRW | -1.08% |
SK海力士 | 180200 | KRW | +1.52% |
铠侠 | 1830 | JPY | -0.16% |
美光科技 | 77.770 | USD | +1.07% |
西部数据 | 43.950 | USD | +0.21% |
闪迪 | 32.590 | USD | +1.49% |
南亚科 | 36.00 | TWD | -3.23% |
华邦电子 | 15.75 | TWD | -1.25% |
主控厂商 |
群联电子 | 447.5 | TWD | -0.33% |
慧荣科技 | 50.330 | USD | +1.68% |
联芸科技 | 41.35 | CNY | +1.95% |
点序 | 55.4 | TWD | -0.18% |
国科微 | 68.93 | CNY | -0.68% |
品牌/模组 |
江波龙 | 77.91 | CNY | +3.33% |
希捷科技 | 90.010 | USD | -1.12% |
宜鼎国际 | 233.0 | TWD | -2.92% |
创见资讯 | 100.0 | TWD | -3.38% |
威刚科技 | 83.7 | TWD | -0.12% |
世迈科技 | 16.910 | USD | -0.94% |
朗科科技 | 25.09 | CNY | +4.24% |
佰维存储 | 62.33 | CNY | +1.32% |
德明利 | 127.50 | CNY | +0.73% |
大为股份 | 14.18 | CNY | +2.09% |
封测厂商 |
华泰电子 | 31.90 | TWD | -4.49% |
力成 | 108.5 | TWD | -2.69% |
长电科技 | 33.43 | CNY | +1.24% |
日月光 | 135.5 | TWD | -2.17% |
通富微电 | 25.62 | CNY | +0.99% |
华天科技 | 9.28 | CNY | -5.31% |
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