3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND)，而3D NAND，顾名思义，即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房，那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化，意味着每个...

FTL算法的好坏，直接决定了SSD在性能（Performance）、可靠性（Reliability）、耐用性（Endurance）等方面的好坏，FTL可以说是SSD固件的核心组成。

“MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写

USB3.0的技术目前已经相当成熟，而且其产品也非常普及，但在使用的过程中，你是否会感觉设备跑起来并没有你想象当中的那么快？

随着科技的发展，手机已成为当下必不可少的移动设备，其配置从当初的单颗发展到八核甚至是十核，功能也越来越强大，高端旗舰机对存储芯片的标配从eMMC向UFS升级，并开始在千元机机型中普及。

纠错能力是一个SSD质量的重要指标。最开始的NAND 每个存储单元只放一个bit，叫SLC，后来又有了MLC，现在的主流的是TLC。

相较于处理器芯片，存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。

当前128/256GB的存储容量，已经成为了许多旗舰智能机的一个选项。而在一些支持存储扩展的设备上，某些厂商甚至标出了“最大支持 2TB microSD 存储卡”的字样。

SATA-IO组织宣布推出最新的SATA Revision 3.4版标准规范，重点引入了设备状态监视、清理任务执行等特性，对性能影响极小。

HMB全称Host Memory Buffer，即主机内存缓冲技术，可使得SSD可以在无缓存的情况下，借助内存的高速读写特性来提升自身性能，最终达到与自带缓存SSD鼓旗相当的性能。

原厂将Good Die进行堆叠封装成不同NAND Flash芯片，然后再与控制芯片封装在一起，生产eMMC产品，eMCP则是将eMMC与LPDDR进行多芯片封装，然后用于手机、平板、智能盒子等终端产品中。SSD则是在PCBA板上贴一片或数...

USB 3.1 Gen.2接口已经广泛普及，10Gbps(1.25GB/s)的高带宽已经相当充裕，但技术进步没有极限，新一代USB 3.2标准规范其实在2017年9月底就正式公布了，Synopsys(新思科技)现在第一次公开演示了USB 3.2。

HBM（High bandwidth memory）是一款新型的CPU/GPU内存芯片（即“RAM”），就像摩天大厦中的楼层一样可以垂直堆叠。

SSD品质的优劣主要取决于NAND Flash颗粒的品质，市面上的NAND Flash颗粒分为四个等级，其品质：原装片 > 自封品牌 > 白片 > 黑片/拆机片/翻新片。

虽然之前eMCP因为封装尺寸限制，导致大容量无法保证良率，但随着封装工艺的进步，以及原厂技术向3D NAND普及后，单颗Die容量可提高到512Gb，128GB容量eMCP只需2颗Die堆叠，完全可满足手机存储需求，而且三星、美...