编辑:Helan 发布:2018-07-25 17:31
NAND 会出错
纠错能力是一个SSD质量的重要指标。最开始的NAND 每个存储单元只放一个bit,叫SLC,后来又有了MLC,现在的主流的是TLC。存储密度不断增加的同时,器件尺寸变小,存储单元电气耦合性变得很复杂。比如氧化层变得很薄,比如读取单个bit需要的读电压控制能力更精密等,总的来说,NAND flash更容易出错了,或者说NAND 上的噪声增加了。
RBER (Raw Bit Error Rate)是衡量NAND质量的重要参数。给定RBER,可以比较各种纠错算法的有效性。
LDPC 软判决算法由于有更多的信道信息,相对于BCH 和硬判决LDPC 算法更有优势。所以目前主流的SSD 控制器都采用LDPC 作为纠错算法。
NAND 纠错模型
我们存储进NAND的信息通过电子储存起来,读的时候通过探测器件储存的电子多少来恢复数据。
LDPC纠错流程
NAND硬判决,数据传输到控制器,以及硬判决解码这几个过程的速度都很快。软判决要读很多次,传输数据很多次,所以对SSD的性能产生不好的影响。
为了提高性能,一种普遍的优化是,把LDPC的软判决的分辨率变成动态可调,这样只有最坏的情况下,才需要最高的分辨率去读。这样在大部分情况下,软判决读和软判决传输数据的时间开销大大变小。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 102000 | KRW | +3.24% |
| SK海力士 | 535000 | KRW | +4.90% |
| 铠侠 | 9810 | JPY | +11.73% |
| 美光科技 | 218.995 | USD | -0.01% |
| 西部数据 | 127.897 | USD | -1.18% |
| 闪迪 | 181.830 | USD | -2.33% |
| 南亚科技 | 120.0 | TWD | +9.59% |
| 华邦电子 | 50.9 | TWD | +9.94% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 968 | TWD | +10.00% |
| 慧荣科技 | 104.073 | USD | +4.99% |
| 联芸科技 | 63.77 | CNY | +4.30% |
| 点序 | 81.9 | TWD | +3.02% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 266.00 | CNY | +19.82% |
| 希捷科技 | 236.375 | USD | +0.96% |
| 宜鼎国际 | 447.0 | TWD | +4.81% |
| 创见资讯 | 137.0 | TWD | +4.58% |
| 威刚科技 | 205.0 | TWD | +9.92% |
| 世迈科技 | 22.890 | USD | +2.19% |
| 朗科科技 | 34.90 | CNY | +5.18% |
| 佰维存储 | 127.81 | CNY | +7.31% |
| 德明利 | 238.61 | CNY | +10.00% |
| 大为股份 | 25.58 | CNY | +10.02% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 49.25 | TWD | +4.68% |
| 力成 | 160.5 | TWD | +7.00% |
| 长电科技 | 42.09 | CNY | +2.78% |
| 日月光 | 202.5 | TWD | +3.32% |
| 通富微电 | 43.94 | CNY | +4.92% |
| 华天科技 | 12.47 | CNY | +4.53% |
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