编辑:Helan 发布:2018-07-25 17:31
NAND 会出错
纠错能力是一个SSD质量的重要指标。最开始的NAND 每个存储单元只放一个bit,叫SLC,后来又有了MLC,现在的主流的是TLC。存储密度不断增加的同时,器件尺寸变小,存储单元电气耦合性变得很复杂。比如氧化层变得很薄,比如读取单个bit需要的读电压控制能力更精密等,总的来说,NAND flash更容易出错了,或者说NAND 上的噪声增加了。
RBER (Raw Bit Error Rate)是衡量NAND质量的重要参数。给定RBER,可以比较各种纠错算法的有效性。
LDPC 软判决算法由于有更多的信道信息,相对于BCH 和硬判决LDPC 算法更有优势。所以目前主流的SSD 控制器都采用LDPC 作为纠错算法。
NAND 纠错模型
我们存储进NAND的信息通过电子储存起来,读的时候通过探测器件储存的电子多少来恢复数据。
LDPC纠错流程
NAND硬判决,数据传输到控制器,以及硬判决解码这几个过程的速度都很快。软判决要读很多次,传输数据很多次,所以对SSD的性能产生不好的影响。
为了提高性能,一种普遍的优化是,把LDPC的软判决的分辨率变成动态可调,这样只有最坏的情况下,才需要最高的分辨率去读。这样在大部分情况下,软判决读和软判决传输数据的时间开销大大变小。
存储原厂 |
三星电子 | 65900 | KRW | -0.15% |
SK海力士 | 266000 | KRW | -1.30% |
铠侠 | 2457 | JPY | -4.25% |
美光科技 | 111.260 | USD | -0.42% |
西部数据 | 68.820 | USD | -0.29% |
闪迪 | 42.480 | USD | +1.00% |
南亚科技 | 43.25 | TWD | +0.58% |
华邦电子 | 17.45 | TWD | +0.58% |
主控厂商 |
群联电子 | 521 | TWD | -0.38% |
慧荣科技 | 72.800 | USD | -1.41% |
联芸科技 | 43.04 | CNY | +2.33% |
点序 | 52.8 | TWD | -1.12% |
品牌/模组 |
江波龙 | 87.20 | CNY | +1.64% |
希捷科技 | 150.890 | USD | -1.20% |
宜鼎国际 | 225.0 | TWD | -0.44% |
创见资讯 | 89.9 | TWD | +0.33% |
威刚科技 | 90.9 | TWD | -0.87% |
世迈科技 | 25.160 | USD | +1.04% |
朗科科技 | 24.89 | CNY | +2.01% |
佰维存储 | 64.78 | CNY | +0.43% |
德明利 | 87.30 | CNY | +3.69% |
大为股份 | 17.34 | CNY | -0.86% |
封测厂商 |
华泰电子 | 38.90 | TWD | -1.52% |
力成 | 140.0 | TWD | +0.72% |
长电科技 | 34.82 | CNY | +0.35% |
日月光 | 153.5 | TWD | -1.29% |
通富微电 | 26.57 | CNY | +0.72% |
华天科技 | 10.39 | CNY | +0.87% |
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