编辑:Helan 发布:2018-07-25 17:31
NAND 会出错
纠错能力是一个SSD质量的重要指标。最开始的NAND 每个存储单元只放一个bit,叫SLC,后来又有了MLC,现在的主流的是TLC。存储密度不断增加的同时,器件尺寸变小,存储单元电气耦合性变得很复杂。比如氧化层变得很薄,比如读取单个bit需要的读电压控制能力更精密等,总的来说,NAND flash更容易出错了,或者说NAND 上的噪声增加了。
RBER (Raw Bit Error Rate)是衡量NAND质量的重要参数。给定RBER,可以比较各种纠错算法的有效性。
LDPC 软判决算法由于有更多的信道信息,相对于BCH 和硬判决LDPC 算法更有优势。所以目前主流的SSD 控制器都采用LDPC 作为纠错算法。
NAND 纠错模型
我们存储进NAND的信息通过电子储存起来,读的时候通过探测器件储存的电子多少来恢复数据。
LDPC纠错流程
NAND硬判决,数据传输到控制器,以及硬判决解码这几个过程的速度都很快。软判决要读很多次,传输数据很多次,所以对SSD的性能产生不好的影响。
为了提高性能,一种普遍的优化是,把LDPC的软判决的分辨率变成动态可调,这样只有最坏的情况下,才需要最高的分辨率去读。这样在大部分情况下,软判决读和软判决传输数据的时间开销大大变小。
存储原厂 |
三星电子 | 89000 | KRW | +3.49% |
SK海力士 | 395500 | KRW | +9.86% |
铠侠 | 5900 | JPY | -6.65% |
美光科技 | 190.960 | USD | +1.67% |
西部数据 | 125.280 | USD | -4.59% |
闪迪 | 121.170 | USD | -5.64% |
南亚科技 | 91.2 | TWD | +9.88% |
华邦电子 | 42.65 | TWD | +9.92% |
主控厂商 |
群联电子 | 874 | TWD | +5.43% |
慧荣科技 | 99.990 | USD | +1.15% |
联芸科技 | 65.80 | CNY | +7.03% |
点序 | 69.2 | TWD | +8.46% |
品牌/模组 |
江波龙 | 178.03 | CNY | +20.00% |
希捷科技 | 242.830 | USD | -3.94% |
宜鼎国际 | 335.0 | TWD | -1.33% |
创见资讯 | 118.5 | TWD | +4.41% |
威刚科技 | 174.0 | TWD | +0.58% |
世迈科技 | 29.300 | USD | +5.59% |
朗科科技 | 29.10 | CNY | +2.90% |
佰维存储 | 104.30 | CNY | +9.34% |
德明利 | 204.69 | CNY | +10.00% |
大为股份 | 19.71 | CNY | +5.46% |
封测厂商 |
华泰电子 | 48.45 | TWD | +2.32% |
力成 | 158.0 | TWD | +3.95% |
长电科技 | 44.09 | CNY | +7.83% |
日月光 | 173.5 | TWD | +4.83% |
通富微电 | 40.17 | CNY | +5.21% |
华天科技 | 11.78 | CNY | +4.16% |
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