NVMe(NVM Express)接口正在成为带内(in-band)主软件(host software)与PCIe SSD间通讯的产业标准，新增NVMe管理接口(NVMe-MI)，定义管理NVMe存储的架构与指令集，支持以带外(out-of-band)方式

NVMe SSD 厂商Spec给出的性能非常完美，前面也给出了NVMe SSD和磁盘之间的性能对比，NVMe SSD的性能的确比磁盘高很多。但在实际应用过程中，NVMe SSD的性能可能没有想象中的那么好，并且看上去不是特别的稳定，找...

和磁盘相比，NVMe SSD最大的变化在于存储介质发生了变化。目前NVMe SSD普遍采用3D NAND Flash作为存储介质。NAND Flash内部有多个存储阵列单元构成，采用floating gate或者charge trap的方式存储电荷，通过存

3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND)，而3D NAND，顾名思义，即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房，那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化，意味着每个...

FTL算法的好坏，直接决定了SSD在性能（Performance）、可靠性（Reliability）、耐用性（Endurance）等方面的好坏，FTL可以说是SSD固件的核心组成。

“MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器（SRAM）的高速读取写入能力，以及动态随机存储器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以无限次地重复写

USB3.0的技术目前已经相当成熟，而且其产品也非常普及，但在使用的过程中，你是否会感觉设备跑起来并没有你想象当中的那么快？

随着科技的发展，手机已成为当下必不可少的移动设备，其配置从当初的单颗发展到八核甚至是十核，功能也越来越强大，高端旗舰机对存储芯片的标配从eMMC向UFS升级，并开始在千元机机型中普及。

纠错能力是一个SSD质量的重要指标。最开始的NAND 每个存储单元只放一个bit，叫SLC，后来又有了MLC，现在的主流的是TLC。

相较于处理器芯片，存储性能这些年在智能手机上的重要性也开始逐渐凸显。据Android Authority总结，LPDDR5 RAM、UFS 3.0 ROM和SD Express存储卡将会成为新一轮旗舰智能机将要占领的技术之制高点。

当前128/256GB的存储容量，已经成为了许多旗舰智能机的一个选项。而在一些支持存储扩展的设备上，某些厂商甚至标出了“最大支持 2TB microSD 存储卡”的字样。

SATA-IO组织宣布推出最新的SATA Revision 3.4版标准规范，重点引入了设备状态监视、清理任务执行等特性，对性能影响极小。

HMB全称Host Memory Buffer，即主机内存缓冲技术，可使得SSD可以在无缓存的情况下，借助内存的高速读写特性来提升自身性能，最终达到与自带缓存SSD鼓旗相当的性能。

原厂将Good Die进行堆叠封装成不同NAND Flash芯片，然后再与控制芯片封装在一起，生产eMMC产品，eMCP则是将eMMC与LPDDR进行多芯片封装，然后用于手机、平板、智能盒子等终端产品中。SSD则是在PCBA板上贴一片或数...

USB 3.1 Gen.2接口已经广泛普及，10Gbps(1.25GB/s)的高带宽已经相当充裕，但技术进步没有极限，新一代USB 3.2标准规范其实在2017年9月底就正式公布了，Synopsys(新思科技)现在第一次公开演示了USB 3.2。