随着对大容量存储需求的不断增长，QLC技术凭借更高存储密度、更低廉的bit成本，成为各大原厂的“新宠”，基于QLC技术的固态硬盘也相继问世，并且这些QLC技术产品无不例外的被注明为适用于读密集型应用场景。

在PCIe3.0时代，从NVMe1.2到NVMe1.3， NVMe SSD的性能得到了巨大的提升。目前NVM Express已正式发布了NVM Express™（NVMe™）1.4规范，该规范提供了更快、更简单、更容易扩展的技术， 并进一步完善了NVMe技术。

根据PCI-SIG联盟的说法，最终规范应该会在2021年制定完毕，因此我们可能会在2022年到2023年之间的某个时间用上采用PCI-E 6.0规范的产品。

NVMe是为SSD而生，NVMe相比于AHCI规范充分利用了PCIe SSD的低延迟和并行性，提升同一时间内的操作速度，并降低I/O等待时间，兼顾与CPU与平台构架兼容性，能最大程度的发挥SSD的性能。

英特尔将与阿里巴巴集团、思科、戴尔易安信、Facebook、谷歌、惠普、华为以及微软共同合作发展 Compute Express Link（CXL），创建新产品生态系统和硬件标准。

近日，USB-IF公布了USB 4规范，并定义了新的速度标准，预计2019年中即可正式登场。新的USB 4规范将比USB 3.2 Gen 2 x2的20Gbps传输速度增加一倍，达到与雷电3相同的40Gbps传输速度，并与现有的USB 3.2、USB 2.

我们经常可以看到DRAM和NAND Flash芯片上有很多字符，我们可以通过以下方式获取更多的信息，比如生产日期，芯片编码、生产地，容量等信息。

SD协会在MWC2019大会宣布microSD Express规范，将PCIe 3.1总线和NVMe 1.3接口协议引入传统microSD卡中，使得最高理论传输速度可达985MB/s。

PCIe推进组织PCI-SIG批准了PCIe 5.0的0.9版规范，这意味着离正式版规范不远了。通常来说，在0.4版规范时厂商可以开始设计终端产品，0.9版规范时会发布产品。

近日USB Implementers Forum（USB标准组织，简称USB-IF）宣布推出USB Type-C认证计划，该计划为USB Type-C充电器和设备带来基于加密的认证。新项目将使设备能够阻止接入未经认证的USB充电器。主设备可以在插入电...

各家原厂NAND Flash命名规则各不相同，通过对产品编码的解读可对芯片品质了解更多。本文整理了部分美光NAND Flash编码以供参考。

NVMe(NVM Express)接口正在成为带内(in-band)主软件(host software)与PCIe SSD间通讯的产业标准，新增NVMe管理接口(NVMe-MI)，定义管理NVMe存储的架构与指令集，支持以带外(out-of-band)方式

NVMe SSD 厂商Spec给出的性能非常完美，前面也给出了NVMe SSD和磁盘之间的性能对比，NVMe SSD的性能的确比磁盘高很多。但在实际应用过程中，NVMe SSD的性能可能没有想象中的那么好，并且看上去不是特别的稳定，找...

和磁盘相比，NVMe SSD最大的变化在于存储介质发生了变化。目前NVMe SSD普遍采用3D NAND Flash作为存储介质。NAND Flash内部有多个存储阵列单元构成，采用floating gate或者charge trap的方式存储电荷，通过存

3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND)，而3D NAND，顾名思义，即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房，那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化，意味着每个...