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PCI-SIG联盟宣布PCI-E 6.0规范的0.3修订版

编辑:AVA 发布:2019-10-16 18:00

根据PCI-SIG联盟的说法,最终规范应该会在2021年制定完毕,因此我们可能会在2022年到2023年之间的某个时间用上采用PCI-E 6.0规范的产品。

2019年是NVMe的一年,四大挑战,如何解决!

编辑:AVA 发布:2019-05-20 15:49

NVMe是为SSD而生,NVMe相比于AHCI规范充分利用了PCIe SSD的低延迟和并行性,提升同一时间内的操作速度,并降低I/O等待时间,兼顾与CPU与平台构架兼容性,能最大程度的发挥SSD的性能。

英特尔将与阿里巴巴集团、思科、戴尔易安信、Facebook、谷歌、惠普、华为以及微软共同合作发展 Compute Express Link(CXL),创建新产品生态系统和硬件标准。

近日,USB-IF公布了USB 4规范,并定义了新的速度标准,预计2019年中即可正式登场。新的USB 4规范将比USB 3.2 Gen 2 x2的20Gbps传输速度增加一倍,达到与雷电3相同的40Gbps传输速度,并与现有的USB 3.2、USB 2.

如何通过美光FBGA Code查询Part numbering

编辑:AVA 发布:2019-02-28 13:15

我们经常可以看到DRAM和NAND Flash芯片上有很多字符,我们可以通过以下方式获取更多的信息,比如生产日期,芯片编码、生产地,容量等信息。

microSD Express规范发布:最高速度985MB/s

编辑:AVA 发布:2019-02-26 17:47

SD协会在MWC2019大会宣布microSD Express规范,将PCIe 3.1总线和NVMe 1.3接口协议引入传统microSD卡中,使得最高理论传输速度可达985MB/s。

PCIe 5.0规范今年制定:速率再翻倍 128GB/s带宽

编辑:AVA 发布:2019-01-21 15:20

PCIe推进组织PCI-SIG批准了PCIe 5.0的0.9版规范,这意味着离正式版规范不远了。通常来说,在0.4版规范时厂商可以开始设计终端产品,0.9版规范时会发布产品。

USB Type-C规格及认证解决方案解析

编辑:AVA 发布:2019-01-04 11:46

近日USB Implementers Forum(USB标准组织,简称USB-IF)宣布推出USB Type-C认证计划,该计划为USB Type-C充电器和设备带来基于加密的认证。新项目将使设备能够阻止接入未经认证的USB充电器。主设备可以在插入电...

如何从美光NAND Flash编码分辨品质

编辑:AVA 发布:2019-01-03 16:23

各家原厂NAND Flash命名规则各不相同,通过对产品编码的解读可对芯片品质了解更多。本文整理了部分美光NAND Flash编码以供参考。

NVMe规格新增管理接口标准 支持远程带外管理

编辑:AVA 发布:2019-01-03 14:59

NVMe(NVM Express)接口正在成为带内(in-band)主软件(host software)与PCIe SSD间通讯的产业标准,新增NVMe管理接口(NVMe-MI),定义管理NVMe存储的架构与指令集,支持以带外(out-of-band)方式

NVMe SSD 厂商Spec给出的性能非常完美,前面也给出了NVMe SSD和磁盘之间的性能对比,NVMe SSD的性能的确比磁盘高很多。但在实际应用过程中,NVMe SSD的性能可能没有想象中的那么好,并且看上去不是特别的稳定,找...

详解NVMe SSD各个硬件的功能和作用

编辑:AVA 发布:2018-11-09 11:39

和磁盘相比,NVMe SSD最大的变化在于存储介质发生了变化。目前NVMe SSD普遍采用3D NAND Flash作为存储介质。NAND Flash内部有多个存储阵列单元构成,采用floating gate或者charge trap的方式存储电荷,通过存

什么是3D NAND?与2D NAND相比有什么优势?

编辑:AVA 发布:2018-11-06 12:39

3D NAND指的是闪存芯片的存储单元是 3D 的。此前的闪存多属于平面闪存 (Planar NAND),而3D NAND,顾名思义,即是指立体结构的闪存。如果平面闪存是平房,那 3D NAND 就是高楼大厦。把存储单元立体化,意味着每个...

SSD核心技术FTL算法,对SSD有哪些影响

编辑:AVA 发布:2018-10-19 14:52

FTL算法的好坏,直接决定了SSD在性能(Performance)、可靠性(Reliability)、耐用性(Endurance)等方面的好坏,FTL可以说是SSD固件的核心组成。

什么是MRAM?

编辑:AVA 发布:2018-08-14 18:50

“MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写

股市快讯 更新于: 10-07 11:44,数据存在延时

存储原厂
三星电子89000KRW+3.49%
SK海力士395500KRW+9.86%
铠侠6130JPY-3.01%
美光科技190.960USD+1.67%
西部数据125.280USD-4.59%
闪迪121.170USD-5.64%
南亚科技90.2TWD+8.67%
华邦电子42.65TWD+9.92%
主控厂商
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联芸科技65.80CNY+7.03%
点序67.3TWD+5.49%
品牌/模组
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希捷科技242.830USD-3.94%
宜鼎国际338.5TWD-0.29%
创见资讯118.5TWD+4.41%
威刚科技174.0TWD+0.58%
世迈科技29.300USD+5.59%
朗科科技29.10CNY+2.90%
佰维存储104.30CNY+9.34%
德明利204.69CNY+10.00%
大为股份19.71CNY+5.46%
封测厂商
华泰电子48.20TWD+1.80%
力成159.0TWD+4.61%
长电科技44.09CNY+7.83%
日月光174.5TWD+5.44%
通富微电40.17CNY+5.21%
华天科技11.78CNY+4.16%