权威的存储市场资讯平台English

回到首页 当前位置:技术知识

UFS 3.0最高23.2Gbps的传输速度是为5G手机而生

编辑:Helan 发布:2018-03-13 10:46

固态技术协会(JEDEC)已发布了Universal Flash Storage (UFS&UFSHCI)v3.0标准(JESD220D、JESD223D)和UFS存储卡v1.1标准(JESD220-2A)。UFS 3.0引入了HS-G4规

PCIe 4.0正式发布:带宽64GB/s翻番

编辑:Helan 发布:2017-10-26 17:44

PCI-SIG组织正式发布PCIe 4.0规范,版本号v1.0。传输速率定义为16GT/s,比3.0翻番,而下一代的5.0则继续翻番到32GT/s。

USB-IF正式公布USB 3.2规范

编辑:Helan 发布:2017-09-27 11:52

7 月份的时候,有关 USB 3.2 即将到来的报道就已经出来了。与 USB 3.0 / 3.1 相比,尽管 USB 3.2 只是个普通计算机用户没理由去关心的“增量更新”,但它的部分特性还是令人激动不已。

USB 3.2标准公布 - 使用现有线缆,速率提升一倍

编辑:Helan 发布:2017-07-26 12:16

行业技术联盟USB 3.0 Promoter Group今天公布了USB 3.2标准,USB 3.2将替代目前的USB 3.1标准。USB 3.0 Promoter Group 组织包含苹果、惠普、英特尔、微软和其他科技公司。

PCI-E 5.0标准:速度再次翻番达32GT/s

编辑:Helan 发布:2017-06-09 11:23

PCI-SIG标准组织在开发者大会上宣布,已经确定32GT/s为下一代PCI-E 5.0标准架构的传输速度——1GT/s相当于每秒10亿次传输,32GT/s那就是每秒320亿次传输。目前普及的PCI-E 3.0的传输速率为8GT/s,下一代PCI-E 4.

NVMe标准组织公布NVMe 1.3标准

编辑:Helan 发布:2017-05-25 18:39

5月24日NVMe标准组织公布了最新的NVMe 1.3标准,为消费级与服务器带来了许多新功能,与之前的标准更新一样,大多数功能都是可选的,几个新的NVMe功能是基于其他存储接口如eMMC和ATA的现有功能,能帮助NVMe改善现...

关于SSD传输协议:AHCI/NVMe的区别

编辑:Helan 发布:2017-05-17 17:31

SSD(固态硬盘)最为主流的传输协议有两种。一种是AHCI协议,另一种是NVMe协议。

eMMC与UFS规范比较

编辑:Helan 发布:2017-04-11 16:00

随着智能手机的快速发展,对存储容量和性能的要求在不断提高。eMMC5.1虽然基于eMMC 5.0优化提高了传输速度,但并未定义更高的接口传输值,UFS2.0最高传输速度可达到11.6Gbps,是eMMC5.0(400MB/s)的3倍。

eMMC4.41/4.5/5.0/5.1规范比较

编辑:Helan 发布:2017-04-11 15:49

随着智能手机的快速发展,对存储容量和性能的要求在不断提高。eMMC规范已发展到了eMMC 5.1,最大的改变在于速度的提升。

SD最新UHS-III、A2、LVS标准的意义和区别

编辑:Helan 发布:2017-04-07 19:35

为了让移动设备用户能够方便识别适合运行APP的SD卡,SD协会公布新的体系标准,A1分类(APP Performance A1)基于Secure Digital 5.1规格定义,A2标准则是对于SD6/0标准规范的补充说明...

新型DRAM以VLT技术突破刷新限制

编辑:Helan 发布:2016-12-28 15:05

垂直分层闸流体(Vertical Layered Thyristor;VLT),是Kilopass研发出的新型内存单元,能够显著降低动态随机存取内存(DRAM)的成本和复杂性。

SSD Trim 详解

编辑:Helan 发布:2016-07-25 18:08

Trim命令使SSD的垃圾回收效率更高,写性能,寿命也就相应得到了提高。

UFS存储卡与传统的Micro SD卡的区别

编辑:Helan 发布:2016-07-22 10:53

三星推出一款容量高达256GB全新的UFS存储卡,其读取速度上完全碾压现有Micro SD(TF卡)闪存卡。有不少人认为未来UFS存储卡将会取代TF卡的“江湖地位”。

三星3D V-NAND 32层 VS 48层

编辑:Helan 发布:2016-06-29 15:18

三星公司已经开始量产其48层(即单NAND内48层单元,属于第三代升级技术)3D V-NAND芯片,预计其将被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企业级SSD(PM1633a)等SSD产品。

SpecTek NAND Wafer/Die 编号信息

编辑:Helan 发布:2016-06-16 17:25

股市快讯 更新于: 12-13 18:17,数据存在延时

存储原厂
三星电子108900KRW+1.49%
SK海力士571000KRW+1.06%
铠侠9890JPY+2.91%
美光科技241.140USD-6.70%
西部数据176.340USD-5.80%
闪迪206.180USD-14.66%
南亚科技162.0TWD+3.85%
华邦电子74.6TWD+9.06%
主控厂商
群联电子1125TWD+1.81%
慧荣科技87.710USD-5.95%
联芸科技46.46CNY+2.24%
点序69.3TWD+1.17%
品牌/模组
江波龙265.55CNY+2.53%
希捷科技287.640USD-6.56%
宜鼎国际500TWD+5.71%
创见资讯181.5TWD+4.31%
威刚科技185.5TWD+1.92%
世迈科技20.840USD-4.54%
朗科科技26.73CNY+0.49%
佰维存储116.67CNY+1.08%
德明利214.69CNY-1.11%
大为股份26.44CNY-2.07%
封测厂商
华泰电子50.9TWD+9.82%
力成162.0TWD0.00%
长电科技36.82CNY+1.13%
日月光243.5TWD-0.41%
通富微电37.18CNY+1.28%
华天科技11.01CNY+1.38%