编辑:Helan 发布:2018-08-14 18:50
什么是MRAM?
何为MRAM? 百度百科是这样说的:“MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。”
划重点:
MRAM是非挥发性介质;
MRAM是磁性随机存储介质;
MRAM具有RAM的读写速度;
MRAM可接近无限次写入。
MRAM特点
我们来看看MRAM有哪些特性。
首先看看MRAM有多快。
MRAM(Spin Torque MRAM)的读写速度跟DRAM差不多。3D-Xpoint、PCM等新型存储介质,在写速度方面跟MRAM相差二三个数量级。所有新型存储介质中,MRAM是唯一一个真正做到和DRAM一个级别访问速度的介质。
除此之外,MRAM还具有很好的数据保持性和宽的工作温度范围。
总结一下MRAM的特点:
基于闪存的SSD,由于每个block寿命有限,因此SSD固件需要做磨损均衡(wear leveling)算法。MRAM由于长生不老的特点,固件就无需实现wear leveling了。
闪存不能覆盖写(写之前需擦除block),因此SSD固件需要做垃圾回收。MRAM可以原地更新,因此不存在垃圾回收之说。
MRAM数据存储原理
我们知道,闪存数据存储在浮栅晶体管,通过往浮栅极注入电子的多少来表示逻辑“0”和“1”。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 102000 | KRW | +3.24% |
| SK海力士 | 535000 | KRW | +4.90% |
| 铠侠 | 9810 | JPY | +11.73% |
| 美光科技 | 219.020 | USD | +5.96% |
| 西部数据 | 129.430 | USD | +2.95% |
| 闪迪 | 186.160 | USD | +11.44% |
| 南亚科技 | 120.0 | TWD | +9.59% |
| 华邦电子 | 50.9 | TWD | +9.94% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 968 | TWD | +10.00% |
| 慧荣科技 | 99.130 | USD | +4.31% |
| 联芸科技 | 63.77 | CNY | +4.30% |
| 点序 | 81.9 | TWD | +3.02% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 266.00 | CNY | +19.82% |
| 希捷科技 | 234.120 | USD | +3.41% |
| 宜鼎国际 | 447.0 | TWD | +4.81% |
| 创见资讯 | 137.0 | TWD | +4.58% |
| 威刚科技 | 205.0 | TWD | +9.92% |
| 世迈科技 | 22.400 | USD | +3.08% |
| 朗科科技 | 34.90 | CNY | +5.18% |
| 佰维存储 | 127.81 | CNY | +7.31% |
| 德明利 | 238.61 | CNY | +10.00% |
| 大为股份 | 25.58 | CNY | +10.02% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 49.25 | TWD | +4.68% |
| 力成 | 160.5 | TWD | +7.00% |
| 长电科技 | 42.09 | CNY | +2.78% |
| 日月光 | 202.5 | TWD | +3.32% |
| 通富微电 | 43.94 | CNY | +4.92% |
| 华天科技 | 12.47 | CNY | +4.53% |
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