西部数据最新发布的专利披露了一种将NAND闪存和其他例如存储级内存（SCM）存储介质结合在一起、集各家优势配置的混合SSD实现高带宽、低延迟的存储解决方案。

随着数据需求不断增长，对存储的要求也越来越高，如何找到可持续性的存储解决方案已成为许多业者的首要任务。而接口作为计算机内部连接的“大门”，在确定存储系统的性能以及了解不同的迭代方式方面起着至关重要...

日本科学家受到固态锂电池的启发，开发出一种三值(three-valued)存储器，由于电力消耗相当低，不排除成为催生更省电、更快速随机存取存储器(RAM)的触媒。

存储器中的直通硅（TSV）已经成为一种用于容量扩展和带宽扩展的有效基础技术。这是一种在整个硅晶圆厚度上打孔的技术，目的是在芯片的正面到背面形成数千个垂直互连，反之亦然。

随着对大容量存储需求的不断增长，QLC技术凭借更高存储密度、更低廉的bit成本，成为各大原厂的“新宠”，基于QLC技术的固态硬盘也相继问世，并且这些QLC技术产品无不例外的被注明为适用于读密集型应用场景。

在PCIe3.0时代，从NVMe1.2到NVMe1.3， NVMe SSD的性能得到了巨大的提升。目前NVM Express已正式发布了NVM Express™（NVMe™）1.4规范，该规范提供了更快、更简单、更容易扩展的技术， 并进一步完善了NVMe技术。

根据PCI-SIG联盟的说法，最终规范应该会在2021年制定完毕，因此我们可能会在2022年到2023年之间的某个时间用上采用PCI-E 6.0规范的产品。

NVMe是为SSD而生，NVMe相比于AHCI规范充分利用了PCIe SSD的低延迟和并行性，提升同一时间内的操作速度，并降低I/O等待时间，兼顾与CPU与平台构架兼容性，能最大程度的发挥SSD的性能。

英特尔将与阿里巴巴集团、思科、戴尔易安信、Facebook、谷歌、惠普、华为以及微软共同合作发展 Compute Express Link（CXL），创建新产品生态系统和硬件标准。

近日，USB-IF公布了USB 4规范，并定义了新的速度标准，预计2019年中即可正式登场。新的USB 4规范将比USB 3.2 Gen 2 x2的20Gbps传输速度增加一倍，达到与雷电3相同的40Gbps传输速度，并与现有的USB 3.2、USB 2.

我们经常可以看到DRAM和NAND Flash芯片上有很多字符，我们可以通过以下方式获取更多的信息，比如生产日期，芯片编码、生产地，容量等信息。

SD协会在MWC2019大会宣布microSD Express规范，将PCIe 3.1总线和NVMe 1.3接口协议引入传统microSD卡中，使得最高理论传输速度可达985MB/s。

PCIe推进组织PCI-SIG批准了PCIe 5.0的0.9版规范，这意味着离正式版规范不远了。通常来说，在0.4版规范时厂商可以开始设计终端产品，0.9版规范时会发布产品。

近日USB Implementers Forum（USB标准组织，简称USB-IF）宣布推出USB Type-C认证计划，该计划为USB Type-C充电器和设备带来基于加密的认证。新项目将使设备能够阻止接入未经认证的USB充电器。主设备可以在插入电...

各家原厂NAND Flash命名规则各不相同，通过对产品编码的解读可对芯片品质了解更多。本文整理了部分美光NAND Flash编码以供参考。