NAND平稳，DRAM现货价跌

编辑： 发布：2009-06-15 12:17

NAND flash 市场上周价格整体表现平稳，尽管受季末和传统淡季影响，需求依然疲弱，但存货渠道的有限也防止了价格的大幅下跌。上周整体需求较弱，买家采购目的是为了补充货源，而非预先存储存货，买气不足。

近期流传苹果将于夏季订购美光大部分产能的传言，业者期待更多的美光的竞争对手的芯片在现货市场出现，尽管传言尚未得到证实，市场上已经有更多的三星芯片流通。三星芯片在市场上流通的另一个原因是由于对创见跟美光已经产生一笔大订单的猜测。业内人士猜测，创见有可能已经以极具竞争力的价格获得了美光大体积芯片的报价。

随着中国区经销商和代理商倾销芯片，DRAM上周现货市场价格急剧下跌，1Gb DDR2下跌超过10℅。原因是11日力晶近万数的芯片被倾销。也有人认为原因在于经销商商和代理商对力晶的的转换价格重置信心不足。

受市场仍供过于求影响， DRAM现货市场疲弱，现货价呈现盘跌走势，记忆体现货价续跌；DDR2 1Gb eTT下跌4.12%，价格为1.07美元，DDR2 1Gb 667MHz及DDR2 1Gb 800MHz分别跌至1.08美元及1.09美元，跌幅分别为3.23%及3.20%。

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美光科技	293.615	USD	+3.14%
西部数据	180.230	USD	-0.72%
闪迪	246.778	USD	-1.31%
南亚科技	188.5	TWD	-0.26%
华邦电子	76.9	TWD	+0.52%

主控厂商

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点序	78.0	TWD	-1.52%

品牌/模组

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威刚科技	241.0	TWD	+8.80%
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朗科科技	25.98	CNY	-1.03%
佰维存储	113.38	CNY	+0.25%
德明利	240.76	CNY	+0.74%
大为股份	26.90	CNY	-2.36%

封测厂商

华泰电子	56.0	TWD	-1.06%
力成	176.5	TWD	+0.86%
长电科技	36.62	CNY	-0.49%
日月光	251.0	TWD	+4.37%
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