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记忆卡价格虽再下滑1成幅度,但价跌后果如预期般带来更大需求量,所以记忆卡厂才会在此时扩大下单,记忆卡封测产能紧缺。

2009年整年的NAND Flash价格基期相对较高,因此比较容易遭受淡季的突袭;加上iPhone中国上市并未为NAND Flash需求带来激励的效果,因此旺季备货效应过后,NAND Flash价格开始回软,11月上旬NAND Flash合约价呈现涨跌互见

因为大多数买家悲观预测未来采购的价格,NAND闪存芯片价格下滑趋势一直持续到本周(11月2-6)。记忆卡的ASP则相反,尽管一些厂商已经挖掘了更多的成品卡的渠道,但是ASP仍然相对稳定。

电子系统厂客户第四季旺季长单,而且第四季控制晶片出货量仍会成长,全年营收有机会达7亿美元,不过NAND Flash价格涨幅已大,未来1、2个月价格可能下滑,惟市场产能有限,下跌空间不大,价格不至崩盘。

10月下旬主流MLC NAND Flash颗粒的合约均价上涨约4至7%。

市场供货吃紧,10月上旬主流MLC NAND Flash合约均价上涨约8%到10%,因旺季需求持续,预期短期NAND Flash价格将持续盘坚的格局。

本周(9-21—9-25)9月下旬主流MLC NAND Flash合约均价小涨1%到3%,9月下旬NAND Flash合约价呈现部份上涨及部份持平的状况。

虽然NAND Flash需求吃紧消息频频报道,但是NAND Flash报价继续保持稳定,除了低密度Flash产品报价呈微幅上扬以外,其他的价格没有太大的波动。

受惠旺季库存回补需求增温,9月上旬主流的MLC NAND Flash合约均价大致上涨3-12%。 目前多数NAND Flash供应商接获电子系统客户的年终旺季备货订单,同时9月初记忆卡以及随身碟(UFD)需求也在中国十一长假前的库存回补带动下回温。

本周(8月31日至9月4日)NAND闪存现货主流密度的NAND闪存价格的需求有着明显的增长。9月的NAND快闪记忆体市场看法偏向乐观。

本周(8.24—8.28),NAND Flash合约价大致呈现高容量颗粒持平及低容量颗粒小涨。今年第 3 季一些供应商接获手机及MP3 系统客户的高容量应用订单,将随着旺季接近而逐渐加温,因此 8月下旬高容量颗粒的 NAND Flash 合约价,在多空因素

美国国际贸易委员会(ITC)24日发布新闻稿宣布,将调查数家制造或使用某些特定NAND型快闪记忆体(NAND Flash)的企业是否侵犯BTG International, Inc.的专利权。ITC指出,BTG International是在2009年7月

本周(8月17日至21日),NAND闪存的现货价格被认为是温和的百分比跌幅。 其实2009年以来,两大NAND Flash大厂三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)的NAND Flash和记忆卡的供货量都锐减,但都以O

外电21日报导,根据呈交至德拉瓦州破产法院的文件,德州仪器(Texas Instruments Inc.)已出价1.725亿美元,希望能买下奇梦达(Qimonda AG)在维吉尼亚州Richmond郡的记忆体晶片制造厂房。根据文件,若有其他厂商出面竞价,则

本周记忆体现货价普遍呈现上扬走势;在DRAM现货价方面,因多数厂商将产能转进DDR3,DDR2产能缩减,导致DDR2供货逐渐短缺,激励DDR2颗粒价格一周来全面上扬,重回1.5美元价位;其中DDR2 1Gb 667MHz及DDR2 1Gb eTT一周来皆上

股市快讯 更新于: 05-04 00:15,数据存在延时

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