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如今观察DRAM,Flash的价格,价格如果能守在某一区间,上下游厂商都可接受,价位较合理,将有助于产业稳定。

32奈米制程可能沦为过渡技术,未来20奈米制程才会是主流,2010年产能增加几乎全仰赖制程微缩,而20奈米世代来临有助于固态硬碟(SSD)应用成熟。

即便NAND Flash近期价格走跌,不过,记忆体模组厂威刚科技及劲永国际仍一致看好NAND Flash市场前景,全球NAND Flash记忆卡龙头新帝(Sandisk)宣布调高本季财测,也看好后市发展。

三星和东芝也进入TLC晶片技术,成本结构大幅下降,价格持续下滑。高阶晶片则在平板电脑iPad,系统大厂、手机应用等带动下,价格会相对持稳,2010年NAND Flash市场发展逐渐朝两极化进行,NAND Flash价格波动也会较大,因此在操作上需更加小心。

NAND Flash市场供需双方都在观望系统厂新推出的杀手级应用产品效应,带动1月下旬NANDFlash合约价普遍持平或小涨,预期短期市场仍将持稳。不过,随着系统厂推出的大容量电子产品于第1季出货开始明显增加,可望驱动NAND Flash 价格攀升。

受到新年假期和北半球天气严寒影响,近期NAND Flash市场买气不振,模组厂一方面静待补货潮启动,一方面为了巩固上游货源关系,对上游NAND Flash大厂预付货款,绑住NAND Flash货源。

由于受到新年假期和北半球天气严寒影响,近期NAND Flash市场买气不振,根据数据显示:1月上旬NAND Flash合约均价大致呈现持平及部分小跌1-6%。

2010年TLC(Triple-Level Cell)元年来临,NAND Flash大厂放手扩产,业界非常看好2010年NAND Flash市场,然而调货和库存管理能力将成胜负关键,掌握NAND Flash芯片货源,便会是最后的赢家。

内存业界对于2010年NAND Flash市场寄予厚望,在智能型手机应用起飞,加上没有新产能大举开出情况下,预期2010年高阶NAND Flash市场恐严重缺货。但业界又担心,2010年TLC产品时代的到来,恐NAND Flash走势两极化,高阶市场严重缺

12月上旬(12-07—12-11)NAND Flash合约价部份持平及部份下跌,主流的MLC NAND Flash颗粒合约均价下跌约1%到20%,SLC NAND Flash颗粒则维持平盘。

2010年光是三星和东芝所掀起TLC战争,预计在低阶随身碟和记忆卡市场将会有70~80%芯片被TLC产品替换,这恐让NAND Flash价格更加疲软。

随着年底备货高峰将过,11月下旬NAND Flash市场主流的16Gb MLC合约均价下滑3.41%,预期12月价格恐将续跌。

记忆卡价格虽再下滑1成幅度,但价跌后果如预期般带来更大需求量,所以记忆卡厂才会在此时扩大下单,记忆卡封测产能紧缺。

2009年整年的NAND Flash价格基期相对较高,因此比较容易遭受淡季的突袭;加上iPhone中国上市并未为NAND Flash需求带来激励的效果,因此旺季备货效应过后,NAND Flash价格开始回软,11月上旬NAND Flash合约价呈现涨跌互见

因为大多数买家悲观预测未来采购的价格,NAND闪存芯片价格下滑趋势一直持续到本周(11月2-6)。记忆卡的ASP则相反,尽管一些厂商已经挖掘了更多的成品卡的渠道,但是ASP仍然相对稳定。

股市快讯 更新于: 06-14 11:50,数据存在延时

存储原厂
三星电子58300KRW-2.02%
SK海力士235500KRW0.00%
铠侠2010JPY-3.74%
美光科技115.600USD-0.50%
西部数据55.700USD-0.14%
闪迪42.500USD+2.91%
南亚科技53.5TWD-1.11%
华邦电子18.45TWD-1.86%
主控厂商
群联电子526TWD-2.95%
慧荣科技66.960USD-0.76%
联芸科技37.41CNY-1.91%
点序57.0TWD-4.20%
品牌/模组
江波龙71.23CNY-2.85%
希捷科技127.270USD+0.95%
宜鼎国际235.0TWD-3.89%
创见资讯103.5TWD-1.43%
威刚科技95.7TWD-1.03%
世迈科技19.280USD-3.79%
朗科科技21.55CNY-4.09%
佰维存储58.29CNY-2.17%
德明利119.78CNY-2.32%
大为股份15.12CNY-3.14%
封测厂商
华泰电子40.80TWD-0.97%
力成129.5TWD-0.38%
长电科技31.90CNY-0.68%
日月光143.5TWD-1.03%
通富微电23.10CNY-0.99%
华天科技8.74CNY-0.91%