本周(1018-1025)NAND Flash价格呈跌涨起伏的趋势，价格波动仍然表现在高容量产品上，低容量产品价格波动幅度较弱，呈持平状态。本周16Gb、32Gb容量产品价格成微幅上扬走势，上扬幅度较弱，大约在2%左右。市场需求表现一般，成交一般。
合约价方面，10月上旬NAND Flash合约均价呈现部份下跌约3-5%及部份持稳的状况，在季节性因素及新产品上市效应的多空因素相互影响下，预期今年第四季主流NAND Flash合约价将会呈现缓跌的走势。
对于闪存卡方面，由于零售市场需求依然表现平淡，市场供货过多，市场价格持续下滑，其中128MB价格维持在10.3元价位，开始价格呈微幅下跌走势，到周四之后价格开始大幅上扬至10.8；256MB本周下跌幅度较大，本周由12.5下跌至10.7，下跌14.4%，周四价格开始反弹。512跌涨幅度也较大，从周一14.8下跌至13，下跌12.2%，周四也开始反弹，上扬至周一价格。1GB由15.2下跌至最低价13.6下跌10.5%，周四价格也反弹至周一价格水平；2GB容量产品价格下跌幅度相对较弱，下跌幅度在8.5%，周四价格开始止跌，价格上扬幅度较弱。
本周价格到周一价格持续下跌，下跌幅度较上周跌幅加倍，周四价格开始反弹，本周价格反弹，主要是上游厂商释出货量有限，导致市场供货短缺，市场价格被大幅抬高。从需求上来看，市场需求轻微好转，但价格大幅上涨时间恐较为短暂，本周市场后期需求增加，成交量也略有加大。
（备注：数据采用每日开盘价和收盘价作为参考）
产商制程演变及产品线布局
三星为了超越英特尔与美光，上周才宣布10月将率先量产可储存大容量信息的20奈米级制程64Gb TLC闪存。
本周19日英特尔则宣布，该公司将斥资60亿-80亿美元在美国奥勒冈州打造一座新的研发晶圆厂(代号「D1X」)并将亚利桑那州(Fab 12、Fab 32)、奥勒冈州(D1C、D1D)各两座晶圆厂制程技术升级至22奈米，2011年开始量产，让制程纳米技术战火更加的浓烈。
此外，内存模块龙头大厂金士顿(Kingston)跨入微型固态硬盘(SSD)领域，这是继金士顿2.5吋30GB的SSD产品之后，再次开辟第2条1.8吋的内建式SSD产品线，未来将广泛与个人计算机(PC)品牌通路商合作，针对中、高阶种的笔记本电脑做促销，力推用SSD产品线取代部分传统硬盘市场。
