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市场需求轻扬 闪存卡价格也开始止跌回稳

编辑:Helan 发布:2010-10-25 18:47

本周(1018-1025)NAND Flash价格呈跌涨起伏的趋势,价格波动仍然表现在高容量产品上,低容量产品价格波动幅度较弱,呈持平状态。本周16Gb、32Gb容量产品价格成微幅上扬走势,上扬幅度较弱,大约在2%左右。市场需求表现一般,成交一般。
合约价方面,10月上旬NAND Flash合约均价呈现部份下跌约3-5%及部份持稳的状况,在季节性因素及新产品上市效应的多空因素相互影响下,预期今年第四季主流NAND Flash合约价将会呈现缓跌的走势。
对于闪存卡方面,由于零售市场需求依然表现平淡,市场供货过多,市场价格持续下滑,其中128MB价格维持在10.3元价位,开始价格呈微幅下跌走势,到周四之后价格开始大幅上扬至10.8;256MB本周下跌幅度较大,本周由12.5下跌至10.7,下跌14.4%,周四价格开始反弹。512跌涨幅度也较大,从周一14.8下跌至13,下跌12.2%,周四也开始反弹,上扬至周一价格。1GB由15.2下跌至最低价13.6下跌10.5%,周四价格也反弹至周一价格水平;2GB容量产品价格下跌幅度相对较弱,下跌幅度在8.5%,周四价格开始止跌,价格上扬幅度较弱。
本周价格到周一价格持续下跌,下跌幅度较上周跌幅加倍,周四价格开始反弹,本周价格反弹,主要是上游厂商释出货量有限,导致市场供货短缺,市场价格被大幅抬高。从需求上来看,市场需求轻微好转,但价格大幅上涨时间恐较为短暂,本周市场后期需求增加,成交量也略有加大。

(备注:数据采用每日开盘价和收盘价作为参考)
产商制程演变及产品线布局
三星为了超越英特尔与美光,上周才宣布10月将率先量产可储存大容量信息的20奈米级制程64Gb TLC闪存。
本周19日英特尔则宣布,该公司将斥资60亿-80亿美元在美国奥勒冈州打造一座新的研发晶圆厂(代号「D1X」)并将亚利桑那州(Fab 12、Fab 32)、奥勒冈州(D1C、D1D)各两座晶圆厂制程技术升级至22奈米,2011年开始量产,让制程纳米技术战火更加的浓烈。
此外,内存模块龙头大厂金士顿(Kingston)跨入微型固态硬盘(SSD)领域,这是继金士顿2.5吋30GB的SSD产品之后,再次开辟第2条1.8吋的内建式SSD产品线,未来将广泛与个人计算机(PC)品牌通路商合作,针对中、高阶种的笔记本电脑做促销,力推用SSD产品线取代部分传统硬盘市场。

 

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股市快讯 更新于: 12-11 17:57,数据存在延时

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