上周(8-10—8-14)NAND闪存芯片价格继续呈上扬的趋势。上周前期NAND闪存芯片价格微幅上扬,上周后期NAND闪存芯片则出现两级分化局面,容量高的产品价格出现回落的趋势,低容量市场产品价格则出现上扬趋势。MicroSD卡方面还是持续价格还是持续上扬
2009年三星策略上减少现货市场的供货量,以系统业者大客户为主,加上释放到现货市场的记忆卡成卡数量也减少,因此是2009年NAND Flash价格稳健的主因之一。
低密度microSD卡,消息东芝工厂停电从而有助于进一步促进低密度NAND闪存芯片的价格在本周( 7月27号至31号)持续上升。
我们认为,改善记忆卡的需求在本周( 7月20号至24号) ,体现于更多的内存卡交易。
经济部工业局今(22)日举行「DARM产业再造方案」说明会,局长杜紫军在会后记者会中,率先针对TMC破局的市场看法澄清,政府对于DRAM产业再造上,希望进行结构性的改变,因此才会拖了这么久,如今「DRAM产业再造方案」公布,代表TMC条件都已准备好了,现在
下游客户采购意愿仍低,上游供应商也持续小幅调低主流 MLC NAND Flash 合约价, 7 月上旬主流的 MLC NAND Flash 合约价大致呈现小幅下跌约 1% 到 5%
年中库存盘点,导致上周NAND闪存现货市场需求下降,整体价格保持稳定;DRAM上周交易仍然有限,需求疲弱
NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。
DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势
NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌
Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展
全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名
由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。
DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势
DRAM :现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平
存储原厂 |
三星电子 | 54300 | KRW | -2.16% |
SK海力士 | 186000 | KRW | +4.79% |
铠侠 | 1825 | JPY | -0.44% |
美光科技 | 80.720 | USD | +3.79% |
西部数据 | 44.690 | USD | +1.68% |
闪迪 | 34.400 | USD | +5.55% |
南亚科 | 35.65 | TWD | -0.97% |
华邦电子 | 15.95 | TWD | +1.27% |
主控厂商 |
群联电子 | 454.5 | TWD | +1.56% |
慧荣科技 | 53.510 | USD | +6.32% |
联芸科技 | 41.35 | CNY | +1.95% |
点序 | 55.0 | TWD | -0.72% |
国科微 | 68.93 | CNY | -0.68% |
品牌/模组 |
江波龙 | 77.91 | CNY | +3.33% |
希捷科技 | 93.070 | USD | +3.40% |
宜鼎国际 | 238.5 | TWD | +2.36% |
创见资讯 | 101.5 | TWD | +1.50% |
威刚科技 | 85.7 | TWD | +2.39% |
世迈科技 | 17.450 | USD | +3.19% |
朗科科技 | 25.09 | CNY | +4.24% |
佰维存储 | 62.33 | CNY | +1.32% |
德明利 | 127.50 | CNY | +0.73% |
大为股份 | 14.18 | CNY | +2.09% |
封测厂商 |
华泰电子 | 32.10 | TWD | +0.63% |
力成 | 109.0 | TWD | +0.46% |
长电科技 | 33.43 | CNY | +1.24% |
日月光 | 139.0 | TWD | +2.58% |
通富微电 | 25.62 | CNY | +0.99% |
华天科技 | 9.28 | CNY | -5.31% |
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