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虽然即将进入第三季传统电子产品旺季,但市场价格仍然未见大的起色,市场终端需求也没有起色,需求表现清淡,厂商策略方面,为了提高竞争力,动作频繁,Hynix表现最为突出,其他厂商也不甘示弱。

NAND Flash呈微幅下滑趋势,闪存卡终端需求仍然比较清淡,成交量有限,由于上游力保价格,闪存卡价格维持在一定的价位,价格波动有限,呈稳定走势。

本周(5.31-6.4)记忆体价格跌涨起伏,价格走势不一。NAND Flash现货价格波动幅度仍然较弱,跌幅较小。闪存方面,本周价格波动幅度较大,主流产品128MB~2GB产品波动幅度较大,波动幅度在5%~14%之间。

本周(24-28)NAND Flash现货价格仍然呈下滑趋势,下滑幅度较弱。闪存卡价格也仍然呈下滑趋势,下滑幅度在3%~8%之间,预计6、7月需求将逐渐攀升,带动记忆体价格逐渐上升。

本周(417-421),价格仍然呈疲软走势。NAND flash价格波动幅度较小,波动幅度在1~3%左右。闪存卡本周价格虽然有回稳现象,但整体价格仍然呈下跌趋势,跌涨幅度在1~8%左右。

本周(510-514)NAND flash现货价格仍然表现疲软,NAND flash价格呈震荡整盘走势,波动幅度在1~4%左右。闪存卡本周价格走势格调不一,跌涨幅度一般,跌涨幅度在3~8%左右。

NAND Fash市场现货部分仍然出现下跌趋势,但下跌幅度较弱,下跌1%~2%左右,跌幅不深。闪存卡方面价格也持续下跌,主流产品256MB~1GB下跌幅度较大,下跌9%左右。

厂商制程微缩之快,大规模的产出会对市场价格有较大的影响,价格恐面临下跌的压力,另一方面,NAND Flash跌价,反会刺激SSD需求,成长幅度可期,但对NB渗透率仍须3-5年。

4 月下旬储存型快闪记忆体 (NAND Flash)合约价出炉,市场主流的16Gb MLC及32Mb MLC合约均价同步下挫逾1.4%,NAND Flash现货价格呈微幅下跌趋势,小跌1%~3%。

4月上旬动态随机存取记忆体 (DRAM)及储存型快闪记忆体 (NAND Flash)合约价出炉,包括DRAM与NAND Flash产品价格全面走扬。

本周(3.29-4.2)NAND Flash现货价格开始疲软,呈小幅下滑的趋势,随三星跳电效应影响消失后,截至4月2日中午,容量为16GB的和32GB的MLC NAND闪存的现货价格跌幅在2%~1%左右。

从合约市场来看,3月下旬DRAM报价全面与上旬持平,而NAND Flash呈现小幅涨跌,变动约1-5%。预期在苹果iPad 4月上市助力带动下,4月上旬主流规格晶片报价可望止跌回稳。

3月上旬NAND Flash合约价呈现部份下跌及部份持平,观望后市,由于Apple的iPad 销售优于预期,加上英特尔新品SSD问世,更使NAND Flash市场重燃希望。预期NAND Flash价格将止跌回稳。

如今观察DRAM,Flash的价格,价格如果能守在某一区间,上下游厂商都可接受,价位较合理,将有助于产业稳定。

32奈米制程可能沦为过渡技术,未来20奈米制程才会是主流,2010年产能增加几乎全仰赖制程微缩,而20奈米世代来临有助于固态硬碟(SSD)应用成熟。

股市快讯 更新于: 08-27 02:36,数据存在延时

存储原厂
三星电子70300KRW-1.68%
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