SK海力士考虑在日美建设HBM工厂以应对AI芯片需求

发布于：2024-05-24 来源：网络

SK海力士母公司SK集团会长崔泰源透露，公司正在研究在日本和美国等国家建设高带宽存储（HBM）工厂的可能性，以应对人工智能（AI）对高性能芯片的激增需求。同时，SK海力士强调清洁能源采购在选址过程中的重要性，...

创见推出工业级CFast存储卡：最大容量1TB

发布于：2024-05-24 来源：网络

CFX730与CFX610符合CFast 2.0规范，采用112层3D NAND Flash与SATA III 6Gb/s传输接口，提供高达1TB的存储容量，提供宽温规格（-40°C~85°C），能抵御严苛的运作环境。

三星否认HBM芯片未通过 Nvidia 测试的报道

发布于：2024-05-24 来源：网络

三星表示，其与全球各合作伙伴的 HBM 供应测试正在“顺利”进展。

威刚：库存已达新台币197亿元，Q2毛利率可望续写新高

发布于：2024-05-22 来源：网络

威刚强调，因其在去年存储价格相对低点时精准建置库存，将持续发挥低价库存利益，第二季毛利率可望续写新高。

美光上调2024年资本支出

发布于：2024-05-22 来源：网络

美光近期已开始向客户提供36GB 12层 HBM3E样品。

三星电子宣布重大人事变动，全永铉被任命为DS部门负责人

发布于：2024-05-21 来源：网络

三星电子于21日突然宣布更换负责半导体业务的DS部门负责人。全永铉未来事业计划团部长（副会长）被任命为新的DS部门负责人，而前任DS部门负责人庆桂显被任命为未来事业计划团部长。三星电子表示，这次人事变动是...

长江存储推出PC41Q SSD：采用QLC NAND，最大顺序读速5500MB/s

发布于：2024-05-20 来源：网络

PC41Q采用基于长江存储晶栈Xtacking3.0平台深度优化的QLC 3D NAND，PCIeGen4x4接口，M.22242和2280两种规格形态，提供512GB、1TB、2TB等三种容量选择。

三星电子在3D DRAM技术上取得突破

发布于：2024-05-20 来源：网络

三星电子成功将3D DRAM技术推进到16层堆叠。这一技术突破标志着三星在下一代存储半导体领域的领先地位，有望推动整个行业的发展。

Marvell在越南迅速扩张，岘港新址助力半导体设计中心建设

发布于：2024-05-20 来源：网络

Marvell 宣布，自去年计划在越南扩展研发、工程和设计活动以来，公司在越南的员工和业务规模实现了显著增长。Marvell在岘港的新地点进一步扩大了其在越南的业务，展现了公司在该国建立世界级半导体设计中心的决心。

英韧科技通过ISO 27001信息安全管理体系认证

发布于：2024-05-20 来源：英韧科技

近日，英韧科技通过国际权威认证机构英国标准学会(British Standards Institution，以下简称“BSI”)的审核，成功获得信息安全管理体系-ISO/IEC 27001:2022 认证，并获得ANAB和CNAS 认可。