三星计划将在中国建闪存芯片厂 2013年投产

发布于：2011-12-06 来源：中国闪存市场

北京时间12月6日下午消息，三星(微博)电子周二表示，他们决定在中国建立工厂，从2013年开始生产闪存芯片。三星此举旨在寻求抓住智能机和平板电脑快速发展的机遇。

三星德州12吋厂产能已达满载 月产4万片

发布于：2011-12-06 来源：中国闪存市场

三星电子位于美国德州Austin的系统LSI专用产线「S2 Line」产能已经达到满载的状态。报导指出，「S2 Line」为一条12吋自动化产线，主要生产采用45nm制程技术的低电力逻辑芯片(Logic IC)，月产能达4万片。

矽品Q4营收可望达高标

发布于：2011-12-06 来源：中国闪存市场

矽品（2325-TW）自结11月合并营收为新台币52.57亿元，月减1.72%、年增2.38%，瑞士信贷证券台湾区研究部主管艾蓝迪(Randy Abrams)预估矽品Q4营收可达公司展望季减4%到8%的高标，维持矽品评等为超越大盘，目标价为3...

威刚11月营收小增4% Q4有机会摆脱亏损

发布于：2011-12-05 来源：中国闪存市场

内存模块厂威刚(3260)受惠于固态硬盘(SSD)销售畅旺激励，11月营收达27.44亿元，较上月成长3.98%，表现持稳，年增率为1.83%，累计前11月营收271.47亿元，年减28.9%。

安国11月营收月增率11%

发布于：2011-12-05 来源：中国闪存市场

IC设计业安国 (8054)公布11月营收达2.89亿元，较上月增长11.35%，年增率亦达17.6%，表现亮眼，并且为今年5月以来新高纪录，累计前11月营收26.8亿元，年增率24.35%。

美光与英特尔合作20nm NAND技术将于本月投产

发布于：2011-12-05 来源：中国闪存市场

三星、东芝及美光进入储存型闪存（NAND Flash）三雄争霸战，美光科技与英特尔合资IM Flash（IMF）公司本周四（8日）将在台发表新产品。法人看好，未来美光可望扩大南科（2408）及华亚科合作，迎战三星。

美光：SSD需求明显攀升 取代硬盘在PC中位置

发布于：2011-12-01 来源：中国闪存市场

据报导，美国内存大厂美光(Micron Technology Inc.)NAND型闪存解决方案部门营销主任Kevin Kilbuck 11月30日在接受专访时指出，固态硬盘(solid-state drive；简称SSD)在泰国洪灾过后需求的确有明显攀升的

三星将发表20nm制程8Gbit相变记忆体

发布于：2011-12-01 来源：中国闪存市场

三星电子(Samsung)即将于2012年国际固态电路会议(ISSCC 2012)上发表采用20nm制程技术的8Gbit相变记忆体(PCM)元件，预期此举将再度挑起相变记忆体是否可商用化上市的辩论。

东芝关半导体厂 敦南台半可望吃转单

发布于：2011-12-01 来源：中国闪存市场

东芝规划整顿离散组件及模拟影像相关芯片，甚至不惜关厂，台湾离散组件相关业者敦南、台半可望受惠转单效应；国内模拟芯片厂则因产品线与东芝重复性低，暂时持平看待。

东芝整编半导体事业 将关闭3座日本厂并于年底减产

发布于：2011-11-30 来源：中国闪存市场

全球第2大NAND型闪存(Flash Memory)厂商东芝(Toshiba Corp)30日于日股收盘后发布新闻稿宣布，为了改善离散组件(discrete)以及模拟/影像(Analog and Imaging)IC事业获利，该公司将针对日本国内的生产据点