安国Q2获利季增25% 上半年EPS 1.45元

发布于：2011-08-22 来源：中国闪存市场

以第二季来看，安国受惠于合并扬智PC CAN部门的效应显现下，订单出货量放大，激励第二季营收达7.45亿元，季增率15.5%，一举创下历史新高纪录；税前盈余7570万元，季增率12%；税后净利6614万元，季增率25%，EPS0.8...

3年半三星半导体获利逾百亿美元 苹果影响未来营运关键之一

发布于：2011-08-18 来源：中国闪存市场

从客户端角度来看，影响三星未来半导体事业发展关键之一为苹果(Apple)释单状况。随智能型手机(Smartphone)与平板装置销售持续上攀，苹果已成上游业者最极力争取的客户，三星目前也是苹果DRAM与NAND Flash最大供应...

东芝拟调整芯片产线

发布于：2011-08-15 来源：中国闪存市场

据报导，东芝(Toshiba)拟于2012年3月以前重新调整芯片生产线，一方面中止落后世代晶圆的生产，并拟以软件改写的方式取代客制化芯片，期以减少生产成本，并增加因应供应链中断的弹性。

东芝于巴西成立半导体设计公司

发布于：2011-08-12 来源：中国闪存市场

东芝(Toshiba)和当地的关系企业STI共同出资，在巴西圣保罗市成立半导体设计公司。该公司资本额为400万美元(约新台币1.15亿元)，由东芝出资30%，STI出资70%，合资公司名称为STI Semiconductor Design Brazil(S

NAND Flash需求回笼 安国7月营收月增14%

发布于：2011-08-05 来源：中国闪存市场

IC设计业安国(8054)公布7月营收2.43亿元，较6月明显增加14.62%，较去年同期亦成长16.71%，累计前7月营收16.22亿元，年增率25.28%。

三星收购MRAM芯片厂Grandis　海力士可能受影响？

发布于：2011-08-03 来源：中国闪存市场

三星电子(Samsung Electronics) 宣布收购美国次世代存储器芯片STT-MRAM开发公司Grandis，然而Grandis与韩半导体大厂海力士(Hynix)有技术合作关系，因此三星收购Grandis对海力士是否造成影响也格外受瞩目。

近期内存需求疲软 力成下修目标价至100元

发布于：2011-08-03 来源：中国闪存市场

内存封测厂力成(6239-TW)日前法说会中看淡下半年景气与接单，力成方面认为由于DRAM库存压力仍大，仍需待3至6个月进行消化。

创见发表最新USB 3.0多功能卡片阅读机

发布于：2011-08-02 来源：中国闪存市场

创见信息(2451)发表最新USB 3.0多功能卡片阅读机，除了采用USB 3.0极速接口，还支持所有最新高规格记忆卡，包括SDHC UHS-1、 SDXC UHS-1、UDMA6/UDMA7 CF和 MSXC等卡类，成为专业级摄影玩家的传输新利器。

慧荣Q2营收创历史次高 税后净利988万美元

发布于：2011-07-29 来源：中国闪存市场

慧荣科技(NasdaqGS: SIMO)今日公布2011年第二季财报，营收约5,050万美元，较上一季成长16%，比去年同期成长56%。第二季毛利率46.9%，税后净利988万美元，每单位稀释之美国存托凭证盈余由前季的0.18美元0.29美元。

三星电子第2季营益季增27% 略优于预期

发布于：2011-07-29 来源：中国闪存市场

三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)29日公布2011年第2季(4-6月)财报：合并营收年增4%至39.44兆韩元；合并营益年减25.15%(季增27.12%)至3.75兆韩元；合并纯益年减18.2%至3.51兆韩元。