DRAM市场Q3举步维艰 三星披荆斩棘 市占创历史新高

发布于：2011-12-13 来源：中国闪存市场

研究机构发布市场简报，动态随机存储内存 (DRAM) 市场第 3 季市况艰难，然而龙头南韩三星电子 (Samsung Electronics Co.)(005930-KR) 越挫越勇，市占比率写下有史以来最高纪录。

英特尔下调4Q营收预期

发布于：2011-12-13 来源：中国闪存市场

全球计算机芯片大厂英特尔(Intel)于12月12日发出预警，因受泰国洪灾影响导致硬盘供应短缺，也将冲击该公司在2011年第4季的财报。英特尔声明一出，该公司股价立即下挫，重创科技类股。

擎泰11月营收月增8% 近9个月以来新高

发布于：2011-12-09 来源：中国闪存市场

NAND Flash控制芯片设计厂擎泰(3555)随着新产品出货量大量激励，11月营收来到2.34亿元，较上月增加8.33%，为今年3月以来新高，累计前11月营收25.6亿元，年增13.72%。

美光：SSD 1Gb 2013年将低于1美元 需求可期

发布于：2011-12-09 来源：中国闪存市场

随着NAND Flash主流制程迈入20奈米阶段，将可有效压低固态硬盘(SSD)1Gb每单位售价，预料2013年将可以低于1美元，届时将激励需求明显增温，美光本身的市占率也将往超过10%的目标迈进。

联阳11月营收扬升9% Q4估持平

发布于：2011-12-09 来源：中国闪存市场

联阳(3014)第四季虽逢淡季，但单月营收稳健回温，10月营收月增2%，11月份又上扬8.55%达3.31亿元，不过，大环境景气不佳，PC市况又疲弱，公司对于第四季业绩仍保守看待，估与上季持平。

SanDisk估今年销售量逾7亿个 年增逾15%

发布于：2011-12-08 来源：中国闪存市场

全球快闪记忆产品大厂SanDisk今年随着智能型手机、平板计算机、数字相机等产品销售成长推升下，预估今年全年的销售量将超过7亿个，较去年约6亿个成长逾15%，稳居全球快闪记忆卡第一大厂。

群联11月营收掉6.3% 12月淡季效应持续发酵

发布于：2011-12-08 来源：中国闪存市场

NAND Flash控制芯片大厂群联(8299)公布11月营收29.29亿元，较上月拉回6.3%，但仍维持相对高档水平，较去年同期则成长9.78%，累计前11月营收296.22亿元，年增率0.38%。

力成11月营收持稳 12月将与11月持平

发布于：2011-12-08 来源：中国闪存市场

DRAM封测力成(6239-TW)11月营收走势持稳，达32.5亿元，与10月持平，较去年同期33.5亿元下滑2.9%，主要是受FLASH营收支撑所致，力成看好第 4 季将与第 3 季持平或微增，法人指出，在需求走稳带动下，力成12月营收...

英特尔释出投资台湾诚意 台厂：成效待观察

发布于：2011-12-07 来源：中国闪存市场

英特尔(Intel)宣布其实验室将与工研院合作研究，英特尔在未来5年间提供资金与资源等总值共500万美元(约新台币1.5亿元)的协助，加上工研院提拨同额的经费与资源，合力推动研究计画，初步计画为开发超快速且深具电...

英特尔投资500万美元 携手工研院开发存储器新技术

发布于：2011-12-06 来源：中国闪存市场

英特尔(Intel)副总裁暨技术长Justin Rattner于12月6日在台湾宣布，与台湾的产官学界合作，推动多项全新与延伸的合作计划，以强化台湾研发竞争力，协助打造台湾成为全球IT产业的科技创新成长中心；