行动应用正夯 三星推出30奈米4G LPDDR3

发布于：2011-09-29 来源：中国闪存市场

全球内存龙头厂三星电子宣布，成功研发30奈米制程4Gb LPDDR3(Low Power Double Date Rate 3)，技术制程大幅领先同业1-2个世代。

三星电子行动解决方案论坛登场 推5款新产品

发布于：2011-09-29 来源：中国闪存市场

韩国半导体大厂三星电子今日于台北举行第八届年度三星行动解决方案论坛，并宣布推出5款全新科技与装置，为次世代行动应用程序带来更强化的解决方案。

三星半导体事业2012年首重系统芯片

发布于：2011-09-27 来源：中国闪存市场

据报导，三星电子(Samsung Electronics) 2012年在系统芯片的投资额将高于存储器芯片，这是三星展开半导体事业后，首度出现对系统芯片的投资规模大于存储器事业的情况。三星计划将系统LSI事业也培育成一流的事业。

李健熙：三星随时因应半导体业掀起的巨浪

发布于：2011-09-26 来源：中国闪存市场

据韩国电子新闻报导，三星电子(Samsung Electronics)会长李健熙出席16产线20纳米半导体启动生产典礼时，提及三星应全力以赴，因应半导体业界随时可能掀起的巨浪。而每当李健熙提出危机论时，总是能使三星集团出现...

三星全球最大存储器晶圆厂开始量产

发布于：2011-09-23 来源：中国闪存市场

三星电子(Samsung Electronics)打造号称全球最大的存储器晶圆厂，并开始量产20纳米世代的DDR 3 DRAM存储器，华尔街日报(WSJ)称此举将不利于台厂。

三星NAND新厂投入营运 20奈米级DRAM开始量产

发布于：2011-09-22 来源：中国闪存市场

三星电子 (005930-KR) 周四宣布，设在南韩的 NAND 快闪记忆芯片新厂正式投入营运。该公司同时表示，已启动 20 奈米级制程的 DDR3 DRAM 量产，可望提高生产效率并降低能源消耗。

SK电信成海力士股权仅存潜在买家

发布于：2011-09-20 来源：中国闪存市场

在韩国造船集团STX Group宣布放弃竞标海力士半导体(Hynix Semiconductor)20%的股权后，该国最大手机业者SK Telecom成为仅存的唯一潜在买家。

SanDisk全系列影像储存记忆新品将上市

发布于：2011-09-16 来源：中国闪存市场

全球快闪记忆卡领导厂商SanDisk，即将于9月22日在台湾一口气推出5项新产品，包括数字相机记忆卡、手机/平板计算机用Mirco记忆卡、安全机制创新USB随身碟、超轻薄SSD固态硬盘以及全新数字储存工具产品线。

尔必达找伴 力成跟着进补

发布于：2011-09-16 来源：中国闪存市场

尔必达（Elpida）有意转移约四成产能至台湾，将让沉寂已久的DRAM产业再度“动起来”，不仅瑞晶有更充裕的练兵空间，力成等相关协力厂，业绩也有望吞下大补丸。

群联Q3营运有望高于预期 股价奔涨停

发布于：2011-09-15 来源：中国闪存市场

近期NAND FLASH价格来到合理区间，推升客户下单力道，市场传控制IC群联(8299-TW)第 3 季营运可望优于原先预期的10%区间，逼近15%附近左右， 9 月营收可望冲今年次高，激励群联今(15)日股价反应利多，早盘直奔涨停...