群联明年力推SSD/USB3.0 二期厂近期投产

发布于：2011-12-20 来源：中国闪存市场

NAND Flash控制芯片大厂群联 (8299)2012年将力推SSD与USB3.0产品，看好后市的需求动能，群联位于苗栗县广源科技园区的二期厂房也将加入投产行列，预计明年1月12日举行启用开幕典礼。

三星有望明年成全球第二大芯片代工商

发布于：2011-12-19 来源：中国闪存市场

北京时间12月19日下午消息，据报道，按照产能计算，三星(微博)电子有望在明年超越联电、Globalfoundries成为全球第二大芯片代工厂，仅次于台积电。

三星在美国建厂专门为苹果生产A5芯片

发布于：2011-12-16 来源：中国闪存市场

据知情人士透露，苹果iPhone 4S和iPad 2所使用的A5处理器，目前已经交由三星(微博)位于德克萨斯州奥斯汀市的工厂生产。

力成买超丰 尬封测双雄

发布于：2011-12-16 来源：中国闪存市场

内存封测龙头力成昨（15）日宣布，将以每股25.28元，总计不超过71.37亿元，于公开市场收购逻辑芯片封测厂超丰30%到51%股权，是继日月光以约259亿元收购福雷电之后，台湾封测业第二大的现金收购案。

力成将公开收购超丰 触角延伸至低阶市场

发布于：2011-12-15 来源：中国闪存市场

超丰电子(2441)经营阶层近年来屡传倦勤有意引退，并购消息也是一传再传，并购传闻对象包括日月光(2311)、Amkor等，最后出线的则是内存封测龙头力成(6239)，这也显示力成有意积极分散产品结构，继逻辑IC之后，更将...

DRAM市场Q3举步维艰 三星披荆斩棘 市占创历史新高

发布于：2011-12-13 来源：中国闪存市场

研究机构发布市场简报，动态随机存储内存 (DRAM) 市场第 3 季市况艰难，然而龙头南韩三星电子 (Samsung Electronics Co.)(005930-KR) 越挫越勇，市占比率写下有史以来最高纪录。

英特尔下调4Q营收预期

发布于：2011-12-13 来源：中国闪存市场

全球计算机芯片大厂英特尔(Intel)于12月12日发出预警，因受泰国洪灾影响导致硬盘供应短缺，也将冲击该公司在2011年第4季的财报。英特尔声明一出，该公司股价立即下挫，重创科技类股。

擎泰11月营收月增8% 近9个月以来新高

发布于：2011-12-09 来源：中国闪存市场

NAND Flash控制芯片设计厂擎泰(3555)随着新产品出货量大量激励，11月营收来到2.34亿元，较上月增加8.33%，为今年3月以来新高，累计前11月营收25.6亿元，年增13.72%。

美光：SSD 1Gb 2013年将低于1美元 需求可期

发布于：2011-12-09 来源：中国闪存市场

随着NAND Flash主流制程迈入20奈米阶段，将可有效压低固态硬盘(SSD)1Gb每单位售价，预料2013年将可以低于1美元，届时将激励需求明显增温，美光本身的市占率也将往超过10%的目标迈进。

联阳11月营收扬升9% Q4估持平

发布于：2011-12-09 来源：中国闪存市场

联阳(3014)第四季虽逢淡季，但单月营收稳健回温，10月营收月增2%，11月份又上扬8.55%达3.31亿元，不过，大环境景气不佳，PC市况又疲弱，公司对于第四季业绩仍保守看待，估与上季持平。