美光LPDDR5X量产并已获骁龙8 Gen 2验证

发布于：2022-11-16 来源：网络

美光最新 LPDDR5X 专为高端和旗舰智能手机打造，峰值速度8.533 Gbps，比上一代 LPDDR5 提高33%。

日月光投控投资3亿美元，扩大马来西亚厂房

发布于：2022-11-15 来源：网络

新厂房计划于2025年竣工，完工后，总建筑面积将达到200万平方英尺，是当前厂房面积的两倍。新厂房的核心产品为需求殷切的铜片及影像传感器封装产品。

威刚：Q3营运已走出谷底，净利润同比增长305%

发布于：2022-11-11 来源：网络

尽管第4季市场需求仍受诸多不确定性因素干扰，内存合约价也尚在探底，但对公司而言，最坏的时间点已在第2季显现，下半年将逐季好转。

SK海力士全球首次在移动端DRAM制造上采用HKMG工艺

发布于：2022-11-11 来源：SK海力士

SK海力士紧跟市场趋势，不断深耕LPDDR的研发。继去年成功量产业界最高容量的18GB LPDDR5后，今年再次成功研发出业界最快的LPDDR5X（4266MHZ/8.5Gbps）。

SK海力士DDR5 和 CXL 解决方案通过AMD EPYC 9004 系列处理器验证

发布于：2022-11-11 来源：SK海力士

SK海力士1ynm、1anm 16Gb DDR5 和 1anm 24Gb DDR5 DRAM 在第 4 代 AMD EPYC 处理器上支持 4800Mbps，比DDR4 产品提供高达 50% 的内存带宽。

美光推出数据中心用DDR5，系统内存带宽增加2倍

发布于：2022-11-11 来源：网络

使用第 4代 AMD EPYC处理器系统，美光实现了每插槽 378 GB/s 的峰值内存带宽，而第 3 代 AMD EPYC 处理器系统为 189 GB/ s，系统内存带宽增加了两倍。

SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革

发布于：2022-11-08 来源：SK海力士

由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置...

威刚：Q3库存已至安全水位，DRAM现货价走跌幅度已非常有限

发布于：2022-11-07 来源：网络

威刚目前仍维持先前对存储市况的看法，虽然本季DRAM与NAND Flash合约价仍持续下探，但DRAM现货价走跌幅度已相当有限。多家存储原厂宣布调降明年资本支出及放缓制程微缩脚步，在DRAM与NAND Flash两相衡量下，预期...

佰维存储定制化存储解决方案，持续释放工业“智造”发展动能

发布于：2022-11-07 来源：

佰维存储Marketing副总经理李振华表示，佰维针对工业级存储的特定场景需要，持续投入研发更具优势的存储系列产品。

群联：NAND Flash市况已近底部，Q3库存环比减少

发布于：2022-11-07 来源：网络

群联执行长潘健成日前表示，NAND Flash价格在第三季相对第二季已跌了3成、预料市场需求在第四季到明年第一季还是疲弱，但NAND Flash原厂已相继宣布缩减或延后投资，显示目前NAND Flash的市场已逼近到底部，所有NA...