三星电子1c DRAM良率超80%,进入稳定生产阶段

存储器 2026-02-24 11:28

据韩媒报道,业内人士透露,三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率,这是在高温环境下(热测试)取得的最高良率,并进一步表示,基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高,已接近60%,去年第四季度约为50%。

简讯快报

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