日立高新技术宣布推出高精度电子束测量系统“GT2000”，该系统可以满足使用 EUV 光刻技术制造的半导体器件的开发和量产中的测量需求。

继任 CTO目前尚未确定。三星年终人事调整已经过去一个月，但代工CTO职位仍然空缺。据悉，必要的研发由代工部门内与技术开发相关的高管团队领导。

默克的半导体和显示材料，被广泛运用于全球几乎所有现代电子产品之中。如最新且最先进的手机，以及像ChatGPT这样的人工智能应用的处理元件。

鸿海公告，子公司Foxconn Singapore Pte. Ltd.现金增资印度Foxconn Precision Engineering PrivateLimited，总金额约5529.99万美元。

过去10年间，中国不仅在半导体小部件（材料、零件、装备）领域，还在旧型通用半导体和最尖端半导体等领域获得了大量技术专利。但中国半导体专利被引用指数（CPP）仅2.89，低于美国（6.96）和韩国（5.15）。

11月韩国半导体生产指数环比增长12.8%，这主要得益于DRAM和NAND Flash等存储芯片产量的提升。

以色列政府要求英特尔在2028 年之前开始在该工厂运营，并至少持续到2035 年。

据外媒报道，三星电子已将位于美国德克萨斯州泰勒的新半导体工厂的量产开始时间推迟至2025年。最初，预计将于明年开始批量生产。据推测，延迟与美国政府补贴和各种许可复杂性相关的问题相关。

据报道，三星电子计划逐步扩大智能传感器的开发和应用范围。目的是开发可用于各种半导体工艺而不仅限于等离子体的智能传感器和系统。

按出货区域，10月份日厂于日本国内的电子零件出货额较去年同月增加16.7%至951亿日圆、连续第9个月增长；对中国出货额下滑1.6%至1,371亿日圆、连12个月陷入萎缩；对美洲出货额下滑4.7%至442亿日圆、对欧洲出货额成长1.4%至399亿日圆、对亚洲其他地区出货额大减16.1%至755亿日圆。

印度政府已经采取了多项措施来促进包括半导体、智能手机和电动汽车在内的电子产品制造行业发展，鼓励对电子产品及家电进行大规模投资并推动出口。

供应链透露，联电将12nm制程技术授予英特尔，双方近期已签订合作意向书。因为联电12nm采用Arm架构，对主攻x86架构的英特尔产生互补性。另外，联发科已成为联电12nm制程首批客户，预计2025年正式量产。

英特尔CEO Pat Gelsinger承认半导体行业步伐已经放缓，晶体管现在每三年增加一倍，这实际上大大落后于摩尔定律的步伐。摩尔定律认为芯片的晶体管数量每两年增加一倍。

报告预测，明年IT行业景气有望回暖，推高对存储半导体、人工智能服务器、数据中心等的需求，进而拉动半导体行业大幅向好。

据媒体报道，日本半导体制造设备销售额同比连续6个月萎缩，11月份大减11%、连5个月出现2位数降幅，不过1-11月销售额仍创同期历史次高水准。