2010年DRAM厂制程转换从50奈米和40奈米世代技术,NAND Flash厂也转换至30奈米和20奈米世代,同样都需要浸润式微显影(Immersion Scanner)机器设备,同时晶圆代工也同样需要此款机器设备,造成浸润式微显影机台有交货不及的状况产

根据彭博报导,日经英文新闻 (Nikkei English News)未引述消息来源指出,东芝 (Toshiba JP-6502)投资的二座日本NAND厂,其中一座今年将关闭,另一座将专注于内存芯片组装。

即使DRAM现货价格相当惨淡,DRAM大厂力晶2010年1月营收仍是传出捷报,直逼新台币60亿元大关,较上月成长8%,力晶日前因应产品规格世代交替,积极将12吋晶圆厂产能从DDR2转到DDR3,预计3月DDR3产能会占到75%,届时可降低DDR2跌价所造成

内存封测厂华东科技(8110)在重量级客户尔必达、南科(2408)等积极转换DDR3产品的激励下,2009年第三季开始着手添购测试机台,转进DDR3速度逐渐跟上客户的脚步。

研究机构表示,多数NAND Flash品牌供货商受惠于电子系统客户去年第四季旺季库存回补的订单,第四季NAND Flash平均销售价格(ASP)较第三季小涨约5%。

处理器龙头英特尔(Intel)与 DRAM大厂美光(Micron)达成重大技术突破,1日联合发表全球首款采用25奈米技术的 NAND快闪记忆体,容量比现有的快闪记忆体倍增,可能导致未来智慧型手机、媒体播放器等电子装置的储存容量更大、尺寸更小。

华邦电子公司的总裁詹东义近日宣布,华邦公司将于年内开始40nm制程工艺的开发,不过华邦拒绝就其将于尔必达合作进行40nm制程产品制作的传言进行评论。

因淡季需求减缓,上周DRAM价格下滑,本周持续缓跌,DDR2 1Gb eTT微跌至2美元左右,本月上旬DDR2合约价面临压力,DDR3则相对持稳。

4Q09转亏为盈,税后EPS0.09元。 华邦电已逐渐退出标准型DRAM市场,近期以NOR FLASH及MOBILE DRAM的成长动能较强。IBTSIC预估华邦电2010年税后EPS0.44元,年底每股净值9.7元,投资建议为PBR0.75~1X区间操作

2009年NAND Flash市场战况激烈,三星电子(Samsung Electronics)虽然以全球市占率37.9%维持龙头,但也面临东芝(Toshiba)以34.2%的市占率节节逼近;

当记忆体大厂热闹掀起一股NAND Flash 40奈米制程大战的同时,英特尔(Intel)与美光(Micron)所合资的IMFT(IM Flash Technologies)公司1日对外发表25奈米制程的NAND Flash,将在2010年第2季开始量产

继奇梦达淡出利基型内存IC设计产品后,中芯国际也将退出市场,近来市场上也传出,因标准型内存产品市场陆续回温,韩系内存业者也将进行产能的调整,减少利基型产品的供应数量。

据南韩媒体Korea Herald报导,各家市场专家皆认为,即将上市的苹果(Apple)平板计算机iPad,将为面板及NAND Flash市场注入强心针,内存及面板各厂将间接受惠。

DRAM大厂力晶(5346)发言人谭仲民昨(1)日表示,今年DRAM产业回稳,力晶产能利用率已提升至100%,且大幅拉高DDR3投片比重,今年也将大举投入先进的45奈米制程技术。

受惠各类需求升温,以及下游客户积极回补库存激励,去年第4季品牌NAND Flash营收合计季增15.7%。不过,不管是以第4季或是2009年来看,龙头大厂三星电子均拿下双料冠军,市占率分别以38.6%、37.9%。而去年全球前2大厂三星、东芝就拿下高达72

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